公开(公告)号：TWI619181B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW103111517

申请日：2014-03-27

Applicant: 東麗工程股份有限公司 ,  TORAY ENGINEERING CO., LTD.

Inventor： 寺田勝美 ,  TERADA, KATSUMI

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L21/67138 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TWI596684B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW103129077

申请日：2014-08-22

Applicant: 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： 廣瀨治 ,  HIROSE, OSAMU

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/00

CPC classification number: H01L24/80 ,  G01N3/02 ,  G01N19/08 ,  G01N29/14 ,  G01N2291/2697 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/75985 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI582899B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW103135594

申请日：2014-10-15

Applicant: 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

Inventor： 瀬山耕平 ,  SEYAMA, KOHEI

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/68

CPC classification number: H05K3/30 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H05K13/0404

公开(公告)号：TWI567859B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103143598

申请日：2014-12-15

Applicant: 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

Inventor： 高橋誠 ,  TAKAHASHI, MAKOTO ,  佐藤亮 ,  SATO, AKIRA

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/81122 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83908

公开(公告)号：TW201533820A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW104106036

申请日：2015-02-25

Applicant: 庫利克和索夫工業公司 ,  KULICKE AND SOFFA INDUSTRIES, INC.

Inventor： 沃瑟曼 馬修B ,  WASSERMAN, MATTHEW B.

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L24/81 ,  B32B37/0046 ,  B32B37/06 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81092 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81948 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/0475 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供了一種用於接合半導體元件的熱壓接合系統及其操作方法。所述熱壓接合系統包括(1)接合頭組件，其包括一個用於加熱要接合的半導體元件的加熱器，且所述接合頭組件包括被設置來接收冷卻流體的流體路徑；(2)加壓冷卻流體源；(3)增壓泵，其用於接收來自加壓冷卻流體源的加壓冷卻流體，並用於增加所接收的加壓冷卻流體的壓力；(4)加壓流體儲存器，其用於接收來自增壓泵的加壓冷卻流體；以及(5)控制閥，其用於對加壓冷卻流體從加壓流體儲存器向流體路徑的供應進行調節。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种用于接合半导体组件的热压接合系统及其操作方法。所述热压接合系统包括(1)接合头组件，其包括一个用于加热要接合的半导体组件的加热器，且所述接合头组件包括被设置来接收冷却流体的流体路径；(2)加压冷却流体源；(3)增压泵，其用于接收来自加压冷却流体源的加压冷却流体，并用于增加所接收的加压冷却流体的压力；(4)加压流体存储器，其用于接收来自增压泵的加压冷却流体；以及(5)控制阀，其用于对加压冷却流体从加压流体存储器向流体路径的供应进行调节。

公开(公告)号：TW201532718A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103116030

申请日：2014-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪 艾蒂 ,  ANG, AI-TEE ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  陳正庭 ,  CHEN, CHENG TING ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: B23K1/005 ,  B23K3/08 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  B23K3/04 ,  B23K3/082 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/75

Abstract: 本發明揭示回銲製程及裝置。一種製程包括在一回銲機台之一腔室的一封閉環境中封閉一封裝工件；使得該腔室之該封閉環境的氧含量小於40ppm；及在該氧含量小於40ppm的同時在該腔室之該封閉環境中執行一回銲製程。一種裝置包括一回銲腔室；至該回銲腔室的一門；該回銲腔室中的一能量源；及耦接至該腔室的氣體供應設備。該門可操作以封閉該回銲腔室中的一環境。該能量源可操作以使該回銲腔室中之該環境的一溫度增加。該氣體供應設備可操作以將一氣體提供至該回銲腔室。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示回焊制程及设备。一种制程包括在一回焊机台之一腔室的一封闭环境中封闭一封装工件；使得该腔室之该封闭环境的氧含量小于40ppm；及在该氧含量小于40ppm的同时在该腔室之该封闭环境中运行一回焊制程。一种设备包括一回焊腔室；至该回焊腔室的一门；该回焊腔室中的一能量源；及耦接至该腔室的气体供应设备。该门可操作以封闭该回焊腔室中的一环境。该能量源可操作以使该回焊腔室中之该环境的一温度增加。该气体供应设备可操作以将一气体提供至该回焊腔室。

公开(公告)号：TW201415562A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：TW101137739

申请日：2012-10-12

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 呂文鎔 ,  LU, WENG JUNG ,  吳文獻 ,  WU, WEN HSIEN ,  蘇濬賢 ,  SU, CHUN HSIEN

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83098 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種黏晶方法，其步驟包含有：將一基板加熱至一預定溫度；吸取至少一晶粒，該至少一晶粒具有一基礎溫度，該基礎溫度係小於該預定溫度；將該至少一晶粒固晶於該基板；冷卻該已固晶之基板；以及將該已固晶之基板移至一上下料位置，加熱另一基板至該預定溫度，並重複上述之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 一种黏晶方法，其步骤包含有：将一基板加热至一预定温度；吸取至少一晶粒，该至少一晶粒具有一基础温度，该基础温度系小于该预定温度；将该至少一晶粒固晶于该基板；冷却该已固晶之基板；以及将该已固晶之基板移至一上下料位置，加热另一基板至该预定温度，并重复上述之步骤。

公开(公告)号：TW201400224A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW102123001

申请日：2013-06-27

Applicant: 澁谷工業股份有限公司 ,  SHIBUYA KOGYO CO., LTD.

Inventor： 田中榮次 ,  TANAKA, EIJI ,  安吉裕之 ,  YASUYOSHI, HIROYUKI

IPC: B23K26/20 ,  B23K26/42

CPC classification number: B23K26/0066 ,  B23K26/067 ,  H01L21/2026 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明之接合頭6，具備設置於殼體6A且雷射光L可穿透的工具基座8，可利用穿透該工具基座8的雷射光L將電子零件3加熱並接合於基板2上。使散熱構件15的表面接觸於上述工具基座8的上述雷射光入射的表面上而設置。該散熱構件15具有上述雷射光L可穿透的透光性，同時具有比上述工具基座8的熱傳導係數更大的熱傳導係數。工具基座8雖然會在接合處理時受到加熱，然而傳導至該工具基座8的熱會迅速地散逸到具有較大之熱傳導係數的散熱構件15。因此可經常良好地防止工具基座8升溫，進而達到使接合裝置的產距縮短之目的。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之接合头6，具备设置于壳体6A且激光光L可穿透的工具基座8，可利用穿透该工具基座8的激光光L将电子零件3加热并接合于基板2上。使散热构件15的表面接触于上述工具基座8的上述激光光入射的表面上而设置。该散热构件15具有上述激光光L可穿透的透光性，同时具有比上述工具基座8的热传导系数更大的热传导系数。工具基座8虽然会在接合处理时受到加热，然而传导至该工具基座8的热会迅速地散逸到具有较大之热传导系数的散热构件15。因此可经常良好地防止工具基座8升温，进而达到使接合设备的产距缩短之目的。

公开(公告)号：TW403976B

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：TW087119204

申请日：1998-11-19

Applicant: 東芝股份有限公司

Inventor： 芝田元二郎 ,  池谷之宏 ,  久保哲也

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K3/04 ,  B23K2201/40 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明係即使以面朝下來搭接半導體晶片於基板上，亦可確實地偵測搭接精(密)度之異常者。
為此，以圖l為參考，將予以偵測在搭接前之半導體晶片13之側面，並在搭接後，以第l偵測部來求出基板 ll上之半導體晶片13之側面和基準(參考)圖案28之距離，而依據該等各相對位置和距離，以暫存部24來記錄偏位判定用之基準值，在於實際的搭接中，依據搭接前之半導體晶片13之側面和搭接後之半導體晶片13之側面與基準圖案28的距離且以第2偵測部25來求出測定值，並將該測定值和基準值以檢查部26來加以比較，以檢查半導體晶片13和基板ll之偏位。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系即使以面朝下来搭接半导体芯片于基板上，亦可确实地侦测搭接精(密)度之异常者。 为此，以图l为参考，将予以侦测在搭接前之半导体芯片13之侧面，并在搭接后，以第l侦测部来求出基板 ll上之半导体芯片13之侧面和基准(参考)图案28之距离，而依据该等各相对位置和距离，以暂存部24来记录偏位判定用之基准值，在于实际的搭接中，依据搭接前之半导体芯片13之侧面和搭接后之半导体芯片13之侧面与基准图案28的距离且以第2侦测部25来求出测定值，并将该测定值和基准值以检查部26来加以比较，以检查半导体芯片13和基板ll之偏位。

公开(公告)号：TWI595610B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102110614

申请日：2013-03-26

Applicant: 尼康股份有限公司 ,  NIKON CORPORATION

Inventor： 岡本和也 ,  OKAMOTO, KAZUYA ,  菅谷功 ,  SUGAYA, ISAO ,  倉田尚彦 ,  KURATA, NAOHIKO ,  岡田政志 ,  OKADA, MASASHI ,  三石創 ,  MITSUISHI, HAJIME

IPC: H01L23/28 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K37/04 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/8115 ,  H01L2224/8116 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014