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公开(公告)号：TW201234450A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100137456
申请日：2011-10-17
申请人： 東京威力科創股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/67092 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13117 , H01L2224/16145 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7526 , H01L2224/75283 , H01L2224/75303 , H01L2224/75312 , H01L2224/75314 , H01L2224/755 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/757 , H01L2224/75901 , H01L2224/75985 , H01L2224/81001 , H01L2224/81204 , H01L2224/8122 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032
摘要： 本發明關於一種接合裝置與接合方法,可有效率地進行具有金屬接合部之基板彼此的接合,來提高基板接合處理的產能。該接合裝置係具有將熱處理單元及接合單元一體地連接之結構。熱處理單元係具有載置聚合晶圓並進行熱處理之第1熱處理板。接合單元係具有載置聚合晶圓並進行熱處理之第2熱處理板,以及按壓第2熱處理板上的聚合晶圓之加壓機構。第1熱處理板係具有冷卻該第1熱處理板上的聚合晶圓之冷媒流道。各單元的內部氛圍可被減壓至特定真空度。熱處理單元係具有複數個在與接合單元之間搬送晶圓之搬送機構。
简体摘要： 本发明关于一种接合设备与接合方法,可有效率地进行具有金属接合部之基板彼此的接合,来提高基板接合处理的产能。该接合设备系具有将热处理单元及接合单元一体地连接之结构。热处理单元系具有载置聚合晶圆并进行热处理之第1热处理板。接合单元系具有载置聚合晶圆并进行热处理之第2热处理板,以及按压第2热处理板上的聚合晶圆之加压机构。第1热处理板系具有冷却该第1热处理板上的聚合晶圆之冷媒流道。各单元的内部氛围可被减压至特定真空度。热处理单元系具有复数个在与接合单元之间搬送晶圆之搬送机构。
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公开(公告)号：TW200402813A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092109689
申请日：2003-04-25
发明人： 山內朗 YAMAUCHI AKIRA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/302 , H01L24/75 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7901 , H01L2224/81013 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/14
摘要： 本發明之目的在於提供一種安裝方法及安裝裝置，其係於將被接合物的至少一方的面洗淨之後將被接合物彼此接合者；其特徵在於，前述洗淨係藉由一邊將被接合物加熱一邊對接合面以能量波或能量粒子照射而進行。藉此，可得到充分高的洗淨效果，並可防止電荷蓄積損害的發生，藉此，可在常溫或接近常溫的低溫進行對齊與接合，而可兼顧達成洗淨效果之提高與高精密度的安裝。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种安装方法及安装设备，其系于将被接合物的至少一方的面洗净之后将被接合物彼此接合者；其特征在于，前述洗净系借由一边将被接合物加热一边对接合面以能量波或能量粒子照射而进行。借此，可得到充分高的洗净效果，并可防止电荷蓄积损害的发生，借此，可在常温或接近常温的低温进行对齐与接合，而可兼顾达成洗净效果之提高与高精密度的安装。
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公开(公告)号：TWI595610B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102110614
申请日：2013-03-26
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 岡本和也 , OKAMOTO, KAZUYA , 菅谷功 , SUGAYA, ISAO , 倉田尚彦 , KURATA, NAOHIKO , 岡田政志 , OKADA, MASASHI , 三石創 , MITSUISHI, HAJIME
CPC分类号： H01L24/75 , B23K37/04 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2223/54413 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/755 , H01L2224/7555 , H01L2224/7565 , H01L2224/75701 , H01L2224/75724 , H01L2224/75725 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/758 , H01L2224/75802 , H01L2224/75804 , H01L2224/759 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/81011 , H01L2224/81012 , H01L2224/81047 , H01L2224/8109 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/8115 , H01L2224/8116 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TW201332047A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101135218
申请日：2012-09-26
发明人： 山口永司 , YAMAGUCHI, EIJI , 飯田到 , IIDA, ITARU , 原田宗生 , HARADA, MUNEO , 中尾賢 , NAKAO, KEN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/27312 , H01L2224/29035 , H01L2224/2919 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75102 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 提供一種晶片三維構裝方法，可防止半導體元件之晶片之熱劣化，並可防止製造效率之降低。於晶片積層裝置之平台上對於下面晶片來積層上面晶片之際，使得下面晶片之上側表面之各配線端部與於上面晶片之下側表面所配置之各電極墊相對向，且於兩晶片之間介設含有會因加熱而消失之還原劑的黏著劑來使得兩晶片彼此黏著，將積層後之複數晶片移動到晶片加熱裝置之平台上後，對積層後之複數晶片進行加熱使得黏著劑消失，進而持續加熱來使得對向之各配線端部與各電極墊相接合。
简体摘要： 提供一种芯片三维构装方法，可防止半导体组件之芯片之热劣化，并可防止制造效率之降低。于芯片积层设备之平台上对于下面芯片来积层上面芯片之际，使得下面芯片之上侧表面之各配线端部与于上面芯片之下侧表面所配置之各电极垫相对向，且于两芯片之间介设含有会因加热而消失之还原剂的黏着剂来使得两芯片彼此黏着，将积层后之复数芯片移动到芯片加热设备之平台上后，对积层后之复数芯片进行加热使得黏着剂消失，进而持续加热来使得对向之各配线端部与各电极垫相接合。
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公开(公告)号：TWI475620B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101141742
申请日：2012-11-09
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 酒井泰治 , SAKAI, TAIJI , 今泉延弘 , IMAIZUMI, NOBUHIRO
CPC分类号： H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2201/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
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公开(公告)号：TW201351576A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102110614
申请日：2013-03-26
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 岡本和也 , OKAMOTO, KAZUYA , 菅谷功 , SUGAYA, ISAO , 倉田尚彦 , KURATA, NAOHIKO , 岡田政志 , OKADA, MASASHI , 三石創 , MITSUISHI, HAJIME
CPC分类号： H01L24/75 , B23K37/04 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2223/54413 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/755 , H01L2224/7555 , H01L2224/7565 , H01L2224/75701 , H01L2224/75724 , H01L2224/75725 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/758 , H01L2224/75802 , H01L2224/75804 , H01L2224/759 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/81011 , H01L2224/81012 , H01L2224/81047 , H01L2224/8109 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/8115 , H01L2224/8116 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要： 本發明之基板貼合裝置係彼此貼合第一基板與第二基板，且具備：接合部，其係彼此接合彼此對準而重疊之第一基板與第二基板；檢測部，其係在藉由接合部接合之前，檢測第一基板及第二基板之至少一方的凹凸狀態；及判斷部，其係判斷藉由檢測部檢測出之凹凸狀態是否符合指定之條件；藉由判斷部判斷為凹凸狀態不符合指定條件時，接合部不進行第一基板及第二基板之接合。
简体摘要： 本发明之基板贴合设备系彼此贴合第一基板与第二基板，且具备：接合部，其系彼此接合彼此对准而重叠之第一基板与第二基板；检测部，其系在借由接合部接合之前，检测第一基板及第二基板之至少一方的凹凸状态；及判断部，其系判断借由检测部检测出之凹凸状态是否符合指定之条件；借由判断部判断为凹凸状态不符合指定条件时，接合部不进行第一基板及第二基板之接合。
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7.发明专利減少焊料上氧化物形成之技術 REDUCING FORMATION OF OXIDE ON SOLDER 审中-公开减少焊料上氧化物形成之技术 REDUCING FORMATION OF OXIDE ON SOLDER
公开(公告)号：TW201227843A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100135872
申请日：2011-10-04
申请人： 雷神公司
CPC分类号： B23K1/206 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K3/047 , B23K3/08 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/742 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/056 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/2781 , H01L2224/27826 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/83013 , H01L2224/83201 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00
摘要： 在某些實施例中,一系統包括一沈積系統及一電漿/接合系統。該沈積系統由複數個基材之一基材向外沈積一焊料。該電漿/接合系統包含一組配成電漿清潔該基材之電漿系統及一組配成接合該等基材之接合系統。該電漿/接合系統至少減少該焊料之再氧化。在某些實施例中,一方法包含由一基材向外沈積焊料,由該基材移除金屬氧化物,及由該基材向外沈積一覆蓋層以便至少減少該焊料之再氧化。
简体摘要： 在某些实施例中,一系统包括一沉积系统及一等离子/接合系统。该沉积系统由复数个基材之一基材向外沉积一焊料。该等离子/接合系统包含一组配成等离子清洁该基材之等离子系统及一组配成接合该等基材之接合系统。该等离子/接合系统至少减少该焊料之再氧化。在某些实施例中,一方法包含由一基材向外沉积焊料,由该基材移除金属氧化物,及由该基材向外沉积一覆盖层以便至少减少该焊料之再氧化。
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公开(公告)号：TW201137994A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099145987
申请日：2010-12-27
申请人： 東京威力科創股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/75102 , H01L2224/75272 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/7598 , H01L2224/81005 , H01L2224/81201 , H01L2224/83 , H01L2224/83907 , H01L2224/95001 , H01L2224/95146 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/3512 , Y10T156/10 , Y10T156/1744 , H01L2924/00014 , H01L2924/00011 , H01L2924/00
摘要： 本發明係關於一種封裝方法,係於基板上封裝元件者;具有下述製程:第1親水化處理製程,係進行基板之基板表面且為接合元件之區域的親水化處理;第2親水化處理製程,係進行元件之元件表面的親水化處理;載置製程,係將元件以經親水化處理之元件表面面向上方的方式載置於載置部;塗佈製程,係塗佈液體於經親水化處理之元件表面;配置製程,係將基板以基板表面且為接合元件之區域面向下方的方式配置於載置部上方;以及接觸製程,係使得配置於載置部上方之基板和載置著元件之載置部相互接近,讓液體與基板表面接觸。
简体摘要： 本发明系关于一种封装方法,系于基板上封装组件者;具有下述制程:第1亲水化处理制程,系进行基板之基板表面且为接合组件之区域的亲水化处理;第2亲水化处理制程,系进行组件之组件表面的亲水化处理;载置制程,系将组件以经亲水化处理之组件表面面向上方的方式载置于载置部;涂布制程,系涂布液体于经亲水化处理之组件表面;配置制程,系将基板以基板表面且为接合组件之区域面向下方的方式配置于载置部上方;以及接触制程,系使得配置于载置部上方之基板和载置着组件之载置部相互接近,让液体与基板表面接触。
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公开(公告)号：TWI490933B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW100137455
申请日：2011-10-17
发明人： 秋山直樹 , AKIYAMA, NAOKI , 杉山雅彥 , SUGIYAMA, MASAHIKO , 古家元 , FURUYA, HAJIME
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/67092 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13117 , H01L2224/16145 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/7526 , H01L2224/75283 , H01L2224/753 , H01L2224/75303 , H01L2224/75312 , H01L2224/75314 , H01L2224/755 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/757 , H01L2224/75901 , H01L2224/75985 , H01L2224/81001 , H01L2224/81204 , H01L2224/8122 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032
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公开(公告)号：TW201332028A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101141742
申请日：2012-11-09
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 酒井泰治 , SAKAI, TAIJI , 今泉延弘 , IMAIZUMI, NOBUHIRO
CPC分类号： H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2201/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 根據本揭露，提供一種電子裝置的製造方法，其中包括將第一電子組件的第一電極的頂表面暴露於有機酸，以紫外線光照射暴露在有機酸的該第一電極之該頂表面，並藉由加熱和將該第一電極和該第二電極彼此壓抵而接合該第一電子組件和該第二電子組件的該第一電極和該第二電極。
简体摘要： 根据本揭露，提供一种电子设备的制造方法，其中包括将第一电子组件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，以紫外线光照射暴露在有机酸的该第一电极之该顶表面，并借由加热和将该第一电极和该第二电极彼此压抵而接合该第一电子组件和该第二电子组件的该第一电极和该第二电极。
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