公开(公告)号：TW200414482A

公开(公告)日：2004-08-01

申请号：TW092128310

申请日：2003-10-13

申请人： 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC.

发明人： 蘇珊H. 陶尼 SUSAN H. DOWNEY ,  彼得R. 哈伯 PETER R. HARPER

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/45693 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/745 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  Y10S228/904 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45688 ,  H01L2924/0534 ,  H01L2924/053

摘要： 一種封裝IC(110)，其中包含一用以電子連接該封裝IC之導體結構的絕緣線(120)。在一些具體實施例裡，該封裝IC包含一IC晶粒(114)，接附於一封裝基板(112)，在此會藉絕緣線而將該IC晶粒之接合平板(118)電子連接該基板接合凸指(116)。該絕緣線具有一導體核芯(306)及一絕緣鍍層(304)。在一些範例裡，該絕緣鍍層包括一無機共有結合之物質，此者非屬該電子導體核芯的氧化物，即如氮化矽或氧化矽。在一範例裡，會藉像是一電漿強化之化學氣相沉積處理(PECVD)的化學氣相沉積(CVD)製程來對該絕緣鍍層施以一導體核芯。

简体摘要： 一种封装IC(110)，其中包含一用以电子连接该封装IC之导体结构的绝缘线(120)。在一些具体实施例里，该封装IC包含一IC晶粒(114)，接附于一封装基板(112)，在此会藉绝缘线而将该IC晶粒之接合平板(118)电子连接该基板接合凸指(116)。该绝缘线具有一导体核芯(306)及一绝缘镀层(304)。在一些范例里，该绝缘镀层包括一无机共有结合之物质，此者非属该电子导体核芯的氧化物，即如氮化硅或氧化硅。在一范例里，会藉像是一等离子强化之化学气相沉积处理(PECVD)的化学气相沉积(CVD)制程来对该绝缘镀层施以一导体核芯。

公开(公告)号：TW201727787A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105142326

申请日：2016-12-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 張貴松 ,  CHANG, KUEI-SUNG ,  蔡念宗 ,  TSAI, NIEN-TSUNG

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明實施例揭露半導體裝置、半導體結構及其製造方法。在一些實施例中，一種方法係包括形成一接觸墊在一半導體裝置上方。一鈍化材料係形成在該接觸墊上方。該鈍化材料具有一厚度以及一材料種類而使得可透過該鈍化材料對該接觸墊作出一電連接。

简体摘要： 本发明实施例揭露半导体设备、半导体结构及其制造方法。在一些实施例中，一种方法系包括形成一接触垫在一半导体设备上方。一钝化材料系形成在该接触垫上方。该钝化材料具有一厚度以及一材料种类而使得可透过该钝化材料对该接触垫作出一电连接。

公开(公告)号：TWI317541B

公开(公告)日：2009-11-21

申请号：TW092128310

申请日：2003-10-13

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 蘇珊H. 陶尼 ,  彼得R. 哈伯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/45693 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/745 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  Y10S228/904 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45688 ,  H01L2924/0534 ,  H01L2924/053

摘要： 一種封裝IC(110)，其中包含一用以電子連接該封裝IC之導體結構的絕緣線(120)。在一些具體實施例裡，該封裝IC包含一IC晶粒(114)，接附於一封裝基板(112)，在此會藉絕緣線而將該IC晶粒之接合平板(118)電子連接該基板接合凸指(116)。該絕緣線具有一導體核芯(306)及一絕緣鍍層(304)。在一些範例裡，該絕緣鍍層包括一無機共價鍵結之物質，此者非屬該電子導體核芯的氧化物，即如氮化矽或氧化矽。在一範例裡，會藉像是一電漿強化之化學氣相沉積處理(PECVD)的化學氣相沉積(CVD)製程來對該絕緣鍍層施以一導體核芯。

简体摘要： 一种封装IC(110)，其中包含一用以电子连接该封装IC之导体结构的绝缘线(120)。在一些具体实施例里，该封装IC包含一IC晶粒(114)，接附于一封装基板(112)，在此会藉绝缘线而将该IC晶粒之接合平板(118)电子连接该基板接合凸指(116)。该绝缘线具有一导体核芯(306)及一绝缘镀层(304)。在一些范例里，该绝缘镀层包括一无机共价键结之物质，此者非属该电子导体核芯的氧化物，即如氮化硅或氧化硅。在一范例里，会藉像是一等离子强化之化学气相沉积处理(PECVD)的化学气相沉积(CVD)制程来对该绝缘镀层施以一导体核芯。

公开(公告)号：TW201641644A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105111028

申请日：2016-04-08

申请人： 納美仕有限公司 ,  NAMICS CORPORATION

发明人： 達濟 瑞蒙 ,  DIETZ, RAYMOND ,  特璐伯爾 凱西 史瓦 ,  TRUMBLE, CATHY SHAW ,  帕特卡 馬克傑 ,  PATELKA, MACIEJ ,  吉井明人 ,  YOSHII, AKITO ,  坂井徳幸 ,  SAKAI, NORIYUKI ,  山口 ,  YAMAGUCHI, HIROSHI

IPC分类号： C09J9/02 ,  C09J5/06

CPC分类号： H01L24/29 ,  C03C3/122 ,  C03C3/14 ,  C03C3/21 ,  C03C4/14 ,  C03C8/02 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  C03C8/24 ,  C03C10/00 ,  C03C27/044 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/8389 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/05994 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105

摘要： 本發明係提供一種接合體之製造方法，其係藉由比較低溫之加熱使第一被接合體與第二被接合體接合，而可獲得接合後具有優異之耐熱性的接合體。 本發明係關於一種接合體之製造方法，其中，玻璃膏係包含(A)結晶化玻璃料及(B)溶劑，(A)結晶化玻璃料具有玻璃轉移溫度、結晶化溫度與再熔融溫度，再熔融溫度為超過結晶化溫度之溫度，結晶化溫度為超過玻璃轉移溫度之溫度，且該接合體之製造方法包含下列步驟：於第一被接合體與第二被接合體塗佈玻璃膏之步驟；隔著玻璃膏使第一被接合體與第二被接合體接合之步驟；將隔著玻璃膏而接合之第一被接合體與第二被接合體加熱至(A)結晶化玻璃料之結晶化溫度以上、未達再熔融溫度之步驟；以及將隔著玻璃膏而接合之第一被接合體與第二被接合體冷卻至結晶化玻璃料之玻璃轉移溫度以下而製得接合體之步驟。

简体摘要： 本发明系提供一种接合体之制造方法，其系借由比较低温之加热使第一被接合体与第二被接合体接合，而可获得接合后具有优异之耐热性的接合体。 本发明系关于一种接合体之制造方法，其中，玻璃膏系包含(A)结晶化玻璃料及(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃转移温度、结晶化温度与再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度之温度，结晶化温度为超过玻璃转移温度之温度，且该接合体之制造方法包含下列步骤：于第一被接合体与第二被接合体涂布玻璃膏之步骤；隔着玻璃膏使第一被接合体与第二被接合体接合之步骤；将隔着玻璃膏而接合之第一被接合体与第二被接合体加热至(A)结晶化玻璃料之结晶化温度以上、未达再熔融温度之步骤；以及将隔着玻璃膏而接合之第一被接合体与第二被接合体冷却至结晶化玻璃料之玻璃转移温度以下而制得接合体之步骤。

公开(公告)号：TWI556266B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW103133945

申请日：2014-09-30

申请人： 三星SDI股份有限公司 ,  SAMSUNG SDI CO., LTD.

发明人： 申潁株 ,  SHIN, YOUNG JU ,  姜炅求 ,  KANG, KYOUNG KU ,  金智軟 ,  KIM, JI YEON ,  朴憬修 ,  PARK, KYOUNG SOO ,  申遇汀 ,  SHIN, WOO JUNG ,  鄭光珍 ,  JUNG, KWANG JIN ,  黃慈英 ,  HWANG, JA YOUNG

IPC分类号： H01B5/14

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/30101 ,  H05K3/323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

公开(公告)号：TW201513140A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103133945

申请日：2014-09-30

申请人： 三星SDI股份有限公司 ,  SAMSUNG SDI CO., LTD.

发明人： 申潁株 ,  SHIN, YOUNG JU ,  姜炅求 ,  KANG, KYOUNG KU ,  金智軟 ,  KIM, JI YEON ,  朴憬修 ,  PARK, KYOUNG SOO ,  申遇汀 ,  SHIN, WOO JUNG ,  鄭光珍 ,  JUNG, KWANG JIN ,  黃慈英 ,  HWANG, JA YOUNG

IPC分类号： H01B5/14

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/30101 ,  H05K3/323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

摘要： 本文揭露了一種各向異性導電膜和一種使用所述各向異性導電膜的半導體裝置。所述各向異性導電膜具有三層結構，包含第一絕緣層、導電層和第二絕緣層，所述三層以此順序依序堆疊。所述各向異性導電膜可通過調整所述各別層的流動性使得終端之間的空間可由所述絕緣層充分填充且可抑制導電粒子向所述空間中流出來防止終端之間短路並具有提高的連接可靠性。

简体摘要： 本文揭露了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体设备。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆栈。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。