公开(公告)号：TWI414029B

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW096114752

申请日：2007-04-26

申请人： 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

发明人： 藤田和雄

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/30

CPC分类号： B23K20/004 ,  B08B7/0035 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

公开(公告)号：TW200926321A

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：TW097138369

申请日：2008-10-06

申请人： 新川股份有限公司 SHINKAWA LTD. ,  國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 前田徹 MAEDA, TORU ,  歌野哲彌 UTANO, TETSUYA ,  寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00

摘要： 在接合裝置10中,有效進行電極與焊墊及導線兩者之表面清洗。具備:處理室12,係將內部保持在惰性氣體環境氣氛;第1電漿炬20,係安裝於處理室12,並將經電漿化之氣體照射於置放在處理室12內之基板41與半導體晶片42,而進行焊墊與電極之表面處理;第2電漿炬30,係安裝於處理室12,並將經電漿化之氣體照射於位在處理室12內之毛細管17前端之初始球體19或導線18,而進行初始球體19或導線18之表面處理;以及接合處理部100,係在處理室12內將經表面處理之初始球體19、及導線18接合於經表面處理之焊墊與電極。

简体摘要： 在接合设备10中,有效进行电极与焊垫及导线两者之表面清洗。具备:处理室12,系将内部保持在惰性气体环境气氛;第1等离子炬20,系安装于处理室12,并将经等离子化之气体照射于置放在处理室12内之基板41与半导体芯片42,而进行焊垫与电极之表面处理;第2等离子炬30,系安装于处理室12,并将经等离子化之气体照射于位在处理室12内之毛细管17前端之初始球体19或导线18,而进行初始球体19或导线18之表面处理;以及接合处理部100,系在处理室12内将经表面处理之初始球体19、及导线18接合于经表面处理之焊垫与电极。

公开(公告)号：TW200705583A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：TW095112351

申请日：2006-04-07

申请人： 新川股份有限公司

发明人： 藤田和雄 ,  前田徹

IPC分类号： H01L ,  H05H

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  B23K2201/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78252 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本發明提供一種能有效率的進行表面處理與接合處理的接合裝置。接合裝置,包含:前端部捲繞有高頻線圈50、供插通接合引線2之毛細管40,用以變更接合引線2之前端位置的位置變更部,對毛細管40供應氣體之氣體供應部,對高頻線圈50供應電力之高頻電力供應部。當接合引線2在電漿區域52外時,於電漿區域52生成之微電漿從開口48噴出,除去接合對象之表面。當接合引線2插入電漿區域52中時,接合引線2之材料即微粒子化,含該被濺鍍之金微粒子的微電漿303從開口48噴出,於接合對象表面堆積與接合引線2相同材料。

简体摘要： 本发明提供一种能有效率的进行表面处理与接合处理的接合设备。接合设备,包含:前端部卷绕有高频线圈50、供插通接合引线2之毛细管40,用以变更接合引线2之前端位置的位置变更部,对毛细管40供应气体之气体供应部,对高频线圈50供应电力之高频电力供应部。当接合引线2在等离子区域52外时,于等离子区域52生成之微等离子从开口48喷出,除去接合对象之表面。当接合引线2插入等离子区域52中时,接合引线2之材料即微粒子化,含该被溅镀之金微粒子的微等离子303从开口48喷出,于接合对象表面堆积与接合引线2相同材料。

公开(公告)号：TW348306B

公开(公告)日：1998-12-21

申请号：TW085113625

申请日：1996-11-07

申请人： 富士通半導體股份有限公司

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/6833 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K3/303 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一個包括一晶片(211)、一個包封晶片之樹脂封裝體(212)，該樹脂封裝體具有位於樹脂封裝體之安裝側上之樹脂突伸部，該樹脂突伸物由安裝側向下延伸，並由樹脂封裝體之至少一側面而向周緣延伸，分別對樹脂封裝體提供金屬膜(213)，以及電氣連接晶片之電極墊與金屬膜的連接零件(218)。

简体摘要： 一个包括一芯片(211)、一个包封芯片之树脂封装体(212)，该树脂封装体具有位于树脂封装体之安装侧上之树脂突伸部，该树脂突伸物由安装侧向下延伸，并由树脂封装体之至少一侧面而向周缘延伸，分别对树脂封装体提供金属膜(213)，以及电气连接芯片之电极垫与金属膜的连接零件(218)。

公开(公告)号：TW200848689A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW096139979

申请日：2007-10-25

申请人： 新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.

发明人： 早田滋 HAYATA, SHIGERU

IPC分类号： G01B ,  H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/78801 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85121 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 於晶片接合裝置用攝影裝置,以高精度拍攝在高度方向有大段差之半導體晶片,並縮短導線架之攝影時間。具備:高倍率光學系統,具有經由高倍率透鏡34而到達共通攝影面36且對應於位於離高倍率透鏡34不同距離之位置之複數被攝體攝影範圍從高倍率透鏡34至共通攝影面36之長度相異之第1、第2高倍率光路51、52;快門90,開放2條高倍率光路51、52其中1條並遮斷另1條;以及低倍率光學系統,具有經由低倍率透鏡35而到達攝影面38之低倍率光路53且具備較各高倍率光路51、52寬廣之視野;具有高倍率光學系統之共通攝影面36之攝影元件31係取得半導體晶片63之影像,具有低倍率光學系統之攝影面38之攝影元件33係取得導線架61之影像。

简体摘要： 于芯片接合设备用摄影设备,以高精度拍摄在高度方向有大段差之半导体芯片,并缩短导线架之摄影时间。具备:高倍率光学系统,具有经由高倍率透镜34而到达共通摄影面36且对应于位于离高倍率透镜34不同距离之位置之复数被摄体摄影范围从高倍率透镜34至共通摄影面36之长度相异之第1、第2高倍率光路51、52;快门90,开放2条高倍率光路51、52其中1条并遮断另1条;以及低倍率光学系统,具有经由低倍率透镜35而到达摄影面38之低倍率光路53且具备较各高倍率光路51、52宽广之视野;具有高倍率光学系统之共通摄影面36之摄影组件31系取得半导体芯片63之影像,具有低倍率光学系统之摄影面38之摄影组件33系取得导线架61之影像。

公开(公告)号：TW200541035A

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：TW094105883

申请日：2005-02-25

申请人： 庫力克及索發投資公司 KULICKE & SOFFA INVESTMENTS, INC.

发明人： 霍司特 克勞伯格 CLAUBERG, HORST ,  羅那得J 佛西亞 FOCIA, RONALD J. ,  大衛T 貝森 BEATSON, DAVID T. ,  肯尼司 凱兒 達瑞 DURY, KENNETH KYLE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  B08B7/0042 ,  B23K20/004 ,  B23K26/1224 ,  B23K26/123 ,  B23K26/142 ,  B23K26/1462 ,  B23K2201/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85014 ,  H01L2224/85016 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種連線銲接系統，其用於在一半導體元件與一基板上之銲接襯墊之間附著一連線。該連線銲接系統包括一框架及一附著至該框架且適於在一半導體元件與一基板上之銲接襯墊之間附著一連線之銲接頭。該連線銲接系統亦包括一安裝至該框架上之雷射清潔機構，該雷射清潔機構包括一用於發射適於照射銲接襯墊上之污染物的雷射光之雷射，該雷射機構被定位於該框架上，以便可在該銲接頭將該連線附著於該半導體元件與該基板中之至少一者的一銲接襯墊上之前，先將光發射至該銲接襯墊上。

简体摘要： 本发明揭示一种连接焊接系统，其用于在一半导体组件与一基板上之焊接衬垫之间附着一连接。该连接焊接系统包括一框架及一附着至该框架且适于在一半导体组件与一基板上之焊接衬垫之间附着一连接之焊接头。该连接焊接系统亦包括一安装至该框架上之激光清洁机构，该激光清洁机构包括一用于发射适于照射焊接衬垫上之污染物的激光光之激光，该激光机构被定位于该框架上，以便可在该焊接头将该连接附着于该半导体组件与该基板中之至少一者的一焊接衬垫上之前，先将光发射至该焊接衬垫上。

公开(公告)号：TW200414482A

公开(公告)日：2004-08-01

申请号：TW092128310

申请日：2003-10-13

申请人： 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC.

发明人： 蘇珊H. 陶尼 SUSAN H. DOWNEY ,  彼得R. 哈伯 PETER R. HARPER

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/45693 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/745 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  Y10S228/904 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45688 ,  H01L2924/0534 ,  H01L2924/053

摘要： 一種封裝IC(110)，其中包含一用以電子連接該封裝IC之導體結構的絕緣線(120)。在一些具體實施例裡，該封裝IC包含一IC晶粒(114)，接附於一封裝基板(112)，在此會藉絕緣線而將該IC晶粒之接合平板(118)電子連接該基板接合凸指(116)。該絕緣線具有一導體核芯(306)及一絕緣鍍層(304)。在一些範例裡，該絕緣鍍層包括一無機共有結合之物質，此者非屬該電子導體核芯的氧化物，即如氮化矽或氧化矽。在一範例裡，會藉像是一電漿強化之化學氣相沉積處理(PECVD)的化學氣相沉積(CVD)製程來對該絕緣鍍層施以一導體核芯。

简体摘要： 一种封装IC(110)，其中包含一用以电子连接该封装IC之导体结构的绝缘线(120)。在一些具体实施例里，该封装IC包含一IC晶粒(114)，接附于一封装基板(112)，在此会藉绝缘线而将该IC晶粒之接合平板(118)电子连接该基板接合凸指(116)。该绝缘线具有一导体核芯(306)及一绝缘镀层(304)。在一些范例里，该绝缘镀层包括一无机共有结合之物质，此者非属该电子导体核芯的氧化物，即如氮化硅或氧化硅。在一范例里，会藉像是一等离子强化之化学气相沉积处理(PECVD)的化学气相沉积(CVD)制程来对该绝缘镀层施以一导体核芯。

公开(公告)号：TW378346B

公开(公告)日：2000-01-01

申请号：TW087103400

申请日：1998-03-09

申请人： 沖電氣工業股份有限公司

发明人： 工藤勳

IPC分类号： H01L ,  G06F

CPC分类号： G06K1/126 ,  G06Q10/08 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/78901 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S235/90 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 基於本發明，依據晶片ID資訊，各個的二度空間條碼30，91及173提供給晶圓50上排列之各個晶片31，接合有晶片92之每個接腳架92，及各個樹脂封緘構成之各個封裝產品171，使得資訊管理得以分別對各晶片31，各框架93及各晶片產品171執行。因此，在半導體元件之資訊管理中，在半導體生產之各製程中，包括各製造過程，物質分佈過程，傳送過程及申報處理過程中，得到一較高程度的效率及精確度。

简体摘要： 基于本发明，依据芯片ID信息，各个的二度空间条码30，91及173提供给晶圆50上排列之各个芯片31，接合有芯片92之每个接脚架92，及各个树脂封缄构成之各个封装产品171，使得信息管理得以分别对各芯片31，各框架93及各芯片产品171运行。因此，在半导体组件之信息管理中，在半导体生产之各制程中，包括各制造过程，物质分布过程，发送过程及申报处理过程中，得到一较高程度的效率及精确度。

公开(公告)号：TWI442525B

公开(公告)日：2014-06-21

申请号：TW100131254

申请日：2011-08-31

申请人： 日立先端科技儀器股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECH INSTRUMENTS CO., LTD.

发明人： 大久保達行 ,  OHKUBO, TATSUYUKI ,  依田光央 ,  YODA, MITSUO

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67259 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67778 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/789 ,  H01L2924/00014 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/141 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201409528A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102103760

申请日：2013-01-31

申请人： JCU股份有限公司 ,  JCU CORPORATION

发明人： 佐波正浩 ,  SAWA, MASAHIRO ,  上山浩幸 ,  UEYAMA, HIROYUKI

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J1/02

CPC分类号： H01J37/32403 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32844 ,  H01J37/32853 ,  H01L21/4835 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/7801 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/789 ,  H01L2224/7898 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85

摘要： 藉由電漿均勻地對複數個被處理物進行表面處理。於真空的處理室(14)內，安置有容置複數片基板(11)之支架(21)。於支架(21)與導入口(38)之間，排列有被彼此分離地配置之第1電極及第2電極(41，42)。利用第1電極及第2電極(41，42)，使自導入口(38)放出之製程氣體激發而產生電漿。自設置於支架(21)的側板(22)之側面開口向支架(21)的內部供給所產生之電漿，來去除各基板(11)表面的污染物質。

简体摘要： 借由等离子均匀地对复数个被处理物进行表面处理。于真空的处理室(14)内，安置有容置复数片基板(11)之支架(21)。于支架(21)与导入口(38)之间，排列有被彼此分离地配置之第1电极及第2电极(41，42)。利用第1电极及第2电极(41，42)，使自导入口(38)放出之制程气体激发而产生等离子。自设置于支架(21)的侧板(22)之侧面开口向支架(21)的内部供给所产生之等离子，来去除各基板(11)表面的污染物质。