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    Phase-change memory device
    1.
    发明授权
    Phase-change memory device 有权
    相变存储器件

    公开(公告)号：US07450415B2

    公开(公告)日：2008-11-11

    申请号：US11640956

    申请日：2006-12-19

    申请人： Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Beak-hyung Cho ,  Byung-gil Choi

    发明人： Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Beak-hyung Cho ,  Byung-gil Choi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C8/12 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase-change memory device is provided. The phase-change memory device includes a phase-change memory cell array including a first memory block having a plurality of phase-change memory cells each connected between each of a plurality of bit lines and a first word line, a second memory block having a plurality of phase-change memory cells each connected between each of the plurality of bit lines and a second word line, and first and second pull-down transistors pulling-down each voltage level of the first and the second word lines and sharing a node and a row driver including a first and a second pull-up transistor pulling-up each voltage level of the first and the second word lines.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件。 相变存储器件包括相变存储器单元阵列，该相变存储单元阵列包括具有连接在多个位线和第一字线中的每一个之间的多个相变存储单元的第一存储器块，具有第 多个相变存储单元，分别连接在多个位线和第二字线之间，第一和第二下拉晶体管下拉第一和第二字线的每个电压电平并共享一个节点;以及 行驱动器，包括第一和第二上拉晶体管，其拉出第一和第二字线的每个电压电平。

    Phase-change memory device
    2.
    发明申请
    Phase-change memory device 有权
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20070153616A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11640956

    申请日：2006-12-19

    申请人： Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Beak-hyung Cho ,  Byung-gil Choi

    发明人： Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Beak-hyung Cho ,  Byung-gil Choi

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

    CPC分类号： G11C8/12 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase-change memory device is provided. The phase-change memory device includes a phase-change memory cell array including a first memory block having a plurality of phase-change memory cells each connected between each of a plurality of bit lines and a first word line, a second memory block having a plurality of phase-change memory cells each connected between each of the plurality of bit lines and a second word line, and first and second pull-down transistors pulling-down each voltage level of the first and the second word lines and sharing a node and a row driver including a first and a second pull-up transistor pulling-up each voltage level of the first and the second word lines.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件。 相变存储器件包括相变存储器单元阵列，该相变存储单元阵列包括具有连接在多个位线和第一字线中的每一个之间的多个相变存储单元的第一存储器块，具有第 多个相变存储单元，分别连接在多个位线和第二字线之间，第一和第二下拉晶体管下拉第一和第二字线的每个电压电平并共享一个节点;以及 行驱动器，包括第一和第二上拉晶体管，其拉出第一和第二字线的每个电压电平。

    Phase-change memory device and method that maintains the resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range
    7.
    发明授权
    Phase-change memory device and method that maintains the resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range 有权
    相变存储器件和方法，其将相变材料的电阻维持在恒定电阻范围内的复位状态

    公开(公告)号：US07242605B2

    公开(公告)日：2007-07-10

    申请号：US10937943

    申请日：2004-09-11

    申请人： Byung-gil Choi ,  Woo-yeong Cho ,  Hyung-rok Oh ,  Beak-hyung Cho

    发明人： Byung-gil Choi ,  Woo-yeong Cho ,  Hyung-rok Oh ,  Beak-hyung Cho

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

    摘要： Provided are a phase-change memory device and method that maintains a resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range. In the method, data is provided to a first phase-change memory cell and then it is first determined whether data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are not identical, a complementary write current is provided to the first phase-change memory cell and it is second determined whether the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical, data is provided to a second phase-change memory cell.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和方法，其将相变材料的电阻保持在恒定电阻范围内的复位状态。 在该方法中，将数据提供给第一相变存储器单元，然后首先确定存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据是否相同。 如果存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据不相同，则向第一相变存储单元提供互补写入电流，并且第二相位变换存储单元是否将数据 存储在第一相变存储单元中，提供给第一相变存储单元的数据相同。 如果存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据相同，则将数据提供给第二相变存储单元。

    Phase-change memory device and method that maintains the resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range
    8.
    发明申请
    Phase-change memory device and method that maintains the resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range 有权
    相变存储器件和方法，其将相变材料的电阻维持在恒定电阻范围内的复位状态

    公开(公告)号：US20050068804A1

    公开(公告)日：2005-03-31

    申请号：US10937943

    申请日：2004-09-11

    申请人： Byung-gil Choi ,  Woo-yeong Cho ,  Hyung-rok Oh ,  Beak-hyung Cho

    发明人： Byung-gil Choi ,  Woo-yeong Cho ,  Hyung-rok Oh ,  Beak-hyung Cho

    IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

    摘要： Provided are a phase-change memory device and method that maintains a resistance of a phase-change material in a reset state within a constant resistance range. In the method, data is provided to a first phase-change memory cell and then it is first determined whether data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are not identical, a complementary write current is provided to the first phase-change memory cell and it is second determined whether the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical. If the data stored in the first phase-change memory cell and the data provided to the first phase-change memory cell are identical, data is provided to a second phase-change memory cell.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和方法，其将相变材料的电阻保持在恒定电阻范围内的复位状态。 在该方法中，将数据提供给第一相变存储器单元，然后首先确定存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据是否相同。 如果存储在第一相变存储器单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据不相同，则向第一相变存储单元提供互补写入电流，并且第二确定数据 存储在第一相变存储单元中，提供给第一相变存储单元的数据相同。 如果存储在第一相变存储单元中的数据和提供给第一相变存储单元的数据相同，则将数据提供给第二相变存储单元。

    Phase change memory device and method of driving word line thereof
    9.
    发明申请
    Phase change memory device and method of driving word line thereof 有权
    相变存储器件及其驱动字线的方法

    公开(公告)号：US20060256612A1

    公开(公告)日：2006-11-16

    申请号：US11303910

    申请日：2005-12-19

    申请人： Beak-hyung Cho ,  Jong-soo Seo ,  Du-eung Kim ,  Woo-yeong Cho

    发明人： Beak-hyung Cho ,  Jong-soo Seo ,  Du-eung Kim ,  Woo-yeong Cho

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/72

    摘要： A method and device for driving the word lines of a phase change memory device is provided. The method may include applying a first voltage level to non-selected word lines and a second voltage level to selected word lines during a normal operational mode, and placing the word lines in a floating state during a standby operational mode. The phase change memory device may include a plurality of word line drive circuits for driving corresponding word lines, where each of the plurality of word line drive circuits includes a drive unit which sets a corresponding word line to a first voltage level or a second voltage level in response to a first control signal, and a mode selector which selectively applies the first voltage level to the driving unit according to an operational mode of the phase change memory device.

    摘要翻译： 提供了一种用于驱动相变存储器件的字线的方法和装置。 该方法可以包括在正常操作模式期间将未选择字线的第一电压电平和第二电压电平施加到所选择的字线，以及在备用操作模式期间将字线置于浮置状态。 相变存储装置可以包括用于驱动对应字线的多个字线驱动电路，其中多个字线驱动电路中的每一个包括驱动单元，该驱动单元将相应的字线设置为第一电压电平或第二电压电平 响应于第一控制信号，以及模式选择器，其根据相变存储器件的操作模式选择性地将第一电压电平施加到驱动单元。

    Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability
    10.
    发明申请
    Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability 有权
    具有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20060215440A1

    公开(公告)日：2006-09-28

    申请号：US11348432

    申请日：2006-02-06

    申请人： Beak-hyung Cho ,  Du-eung Kim ,  Choong-keun Kwak ,  Hyung-rok Oh ,  Woo-yeong Cho

    发明人： Beak-hyung Cho ,  Du-eung Kim ,  Choong-keun Kwak ,  Hyung-rok Oh ,  Woo-yeong Cho

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

    摘要： Phase-changeable random access memory (PRAM) devices include a plurality of rows and columns of PRAM memory cells therein and at least one local bit line electrically coupled to a column of the PRAM memory cells. First and second bit line selection circuits are provided to increase the rate at which the at least one local bit line can be accessed and driven with a bit line signal. These first and second bit line selection circuits are configured to electrically connect first and second ends of the at least one local bit line to a global bit line during an operation to read data from a selected one of the PRAM memory cells in the column.

    摘要翻译： 相位可变随机存取存储器（PRAM）装置包括其中的多个行和列的PRAM存储器单元，以及电耦合到PRAM存储器单元的列的至少一个局部位线。 提供第一和第二位线选择电路以增加利用位线信号来访问和驱动至少一个局部位线的速率。 这些第一位线选择电路和第二位线选择电路被配置为在操作期间将至少一个局部位线的第一和第二端电连接到全局位线，以从列中的所选PRAM存储器单元读取数据。