公开(公告)号：US08865497B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12973422

申请日：2010-12-20

申请人： George A. Dunbar, III ,  Zhong-Xiang He ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper

发明人： George A. Dunbar, III ,  Zhong-Xiang He ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G06F17/50 ,  H01H57/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam over the plurality of discrete wires. The at least one of the forming of the electrode beam and the plurality of discrete wires are formed with a layout which minimizes hillocks and triple points in subsequent silicon deposition.

摘要翻译： 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括在基板上形成下布线层。 该方法还包括从下布线层形成多条分立布线。 该方法还包括在多个离散导线上形成电极束。 形成电极束和多个离散导线中的至少一个形成有最小化后续硅沉积中的小丘和三点的布局。

公开(公告)号：US09406472B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US12974854

申请日：2010-12-21

申请人： Dinh Dang ,  Thai Doan ,  George A. Dunbar, III ,  Zhong-Xiang He ,  Russell T. Herrin ,  Christopher V. Jahnes ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  John G. Twombly ,  Eric J. White

发明人： Dinh Dang ,  Thai Doan ,  George A. Dunbar, III ,  Zhong-Xiang He ,  Russell T. Herrin ,  Christopher V. Jahnes ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  John G. Twombly ,  Eric J. White

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01H59/00 ,  H01L21/768 ,  H01L41/113 ,  H01H57/00 ,  B81B3/00 ,  G06F17/50 ,  H01H1/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： Planar cavity Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity having a planar surface using a reverse damascene process.

摘要翻译： 提供了平面腔微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括使用反向镶嵌工艺形成具有平面表面的至少一个微机电系统（MEMS）空腔。

公开(公告)号：US08921144B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US12973333

申请日：2010-12-20

申请人： George A. Dunbar, III ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper

发明人： George A. Dunbar, III ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H01L21/00 ,  G06F17/50 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H57/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower sacrificial material used to form a lower cavity. The method further includes forming a cavity via connecting the lower cavity to an upper cavity. The cavity via is formed with a top view profile of rounded or chamfered edges. The method further includes forming an upper sacrificial material within and above the cavity via, which has a resultant surface based on the profile of the cavity via. The upper cavity is formed with a lid that is devoid of structures that would interfere with a MEMS beam, including: depositing a lid material on the resultant surface of the upper sacrificial material; and venting the upper sacrificial material to form the upper cavity such the lid material forms the lid which conforms with the resultant surface of the upper sacrificial material.

摘要翻译： 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括形成用于形成下腔的较低牺牲材料。 该方法还包括通过将下腔体连接到上部空腔来形成空腔。 空腔通孔形成有圆形或倒角边缘的顶视图。 该方法还包括在空腔内部和上方形成上部牺牲材料，其具有基于空腔通路的轮廓的合成表面。 上空腔形成有没有会干扰MEMS梁的结构的盖，包括：在上牺牲材料的所得表面上沉积盖材料; 并且排出上部牺牲材料以形成上部空腔，使得盖子材料形成与上部牺牲材料的合成表面一致的盖子。

公开(公告)号：US20110315528A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12977850

申请日：2010-12-23

申请人： Russell T. HERRIN ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

发明人： Russell T. HERRIN ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H01H57/00 ,  G06F17/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a beam structure and an electrode on an insulator layer, remote from the beam structure. The method further includes forming at least one sacrificial layer over the beam structure, and remote from the electrode. The method further includes forming a lid structure over the at least one sacrificial layer and the electrode. The method further includes providing simultaneously a vent hole through the lid structure to expose the sacrificial layer and to form a partial via over the electrode. The method further includes venting the sacrificial layer to form a cavity. The method further includes sealing the vent hole with material. The method further includes forming a final via in the lid structure to the electrode, through the partial via.

摘要翻译： 形成至少一个微电子机械系统（MEMS）的方法包括在远离梁结构的绝缘体层上形成梁结构和电极。 该方法还包括在光束结构上方并且远离电极形成至少一个牺牲层。 该方法还包括在至少一个牺牲层和电极上形成盖结构。 该方法还包括同时提供穿过盖结构的通气孔以暴露牺牲层并在电极上形成部分通孔。 该方法还包括排出牺牲层以形成空腔。 该方法还包括用材料密封通气孔。 该方法还包括通过部分通孔在盖结构中形成最终通孔至电极。

公开(公告)号：US09330856B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US12977850

申请日：2010-12-23

申请人： Russell T. Herrin ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

发明人： Russell T. Herrin ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H05K3/00 ,  H01H1/00 ,  H01L41/113 ,  B81C1/00 ,  H01H57/00 ,  B81B3/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a beam structure and an electrode on an insulator layer, remote from the beam structure. The method further includes forming at least one sacrificial layer over the beam structure, and remote from the electrode. The method further includes forming a lid structure over the at least one sacrificial layer and the electrode. The method further includes providing simultaneously a vent hole through the lid structure to expose the sacrificial layer and to form a partial via over the electrode. The method further includes venting the sacrificial layer to form a cavity. The method further includes sealing the vent hole with material. The method further includes forming a final via in the lid structure to the electrode, through the partial via.

摘要翻译： 形成至少一个微电子机械系统（MEMS）的方法包括在远离梁结构的绝缘体层上形成梁结构和电极。 该方法还包括在光束结构上方并且远离电极形成至少一个牺牲层。 该方法还包括在至少一个牺牲层和电极上形成盖结构。 该方法还包括同时提供穿过盖结构的通气孔以暴露牺牲层并在电极上形成部分通孔。 该方法还包括排出牺牲层以形成空腔。 该方法还包括用材料密封通气孔。 该方法还包括通过部分通孔在盖结构中形成最终通孔至电极。

公开(公告)号：US09102517B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13591771

申请日：2012-08-22

申请人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Dana R. DeReus ,  Arthur S. Morris, III

发明人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Dana R. DeReus ,  Arthur S. Morris, III

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  H01L23/34 ,  H01H1/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00825 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01H1/0036 ,  H01L23/34 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity. The method for forming the cavity further includes forming at least one first vent hole of a first dimension which is sized to avoid or minimize material deposition on a beam structure during sealing processes. The method for forming the cavity further includes forming at least one second vent hole of a second dimension, larger than the first dimension.

摘要翻译： 公开了微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括形成至少一个微机电系统（MEMS）腔。 用于形成空腔的方法还包括形成至少一个第一尺寸的第一通气孔，其尺寸设计成在密封过程中避免或最小化在梁结构上的材料沉积。 形成空腔的方法还包括形成大于第一尺寸的第二尺寸的至少一个第二通气孔。

公开(公告)号：US08829518B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13231516

申请日：2011-09-13

申请人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

发明人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： B81C99/004

摘要： A test structure for measuring a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity height structure and calibration method. The method includes forming a sacrificial cavity material over a plurality of electrodes and forming an opening into the sacrificial cavity material. The method further includes forming a transparent or substantially transparent material in the opening to form a transparent or substantially transparent window. The method further includes tuning a thickness of the sacrificial cavity material based on measurements obtained through the transparent or substantially transparent window.

摘要翻译： 用于测量微机电系统（MEMS）腔体高度结构和校准方法的测试结构。 该方法包括在多个电极上形成牺牲腔材料并在牺牲腔材料中形成开口。 该方法还包括在开口中形成透明或基本上透明的材料以形成透明或基本上透明的窗口。 该方法还包括基于通过透明或基本上透明的窗口获得的测量值调整牺牲腔材料的厚度。

公开(公告)号：US20130062603A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13231516

申请日：2011-09-13

申请人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

发明人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/66

CPC分类号： B81C99/004

摘要： A test structure for measuring a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity height structure and calibration method. The method includes forming a sacrificial cavity material over a plurality of electrodes and forming an opening into the sacrificial cavity material. The method further includes forming a transparent or substantially transparent material in the opening to form a transparent or substantially transparent window. The method further includes tuning a thickness of the sacrificial cavity material based on measurements obtained through the transparent or substantially transparent window.

摘要翻译： 用于测量微机电系统（MEMS）腔体高度结构和校准方法的测试结构。 该方法包括在多个电极上形成牺牲腔材料并在牺牲腔材料中形成开口。 该方法还包括在开口中形成透明或基本上透明的材料以形成透明或基本上透明的窗口。 该方法还包括基于通过透明或基本上透明的窗口获得的测量值调整牺牲腔材料的厚度。

公开(公告)号：US08722445B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US12973430

申请日：2010-12-20

申请人： Dinh Dang ,  Thai Doan ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

发明人： Dinh Dang ,  Thai Doan ,  Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper

IPC分类号： H01L21/00 ,  B81B3/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a plurality of discrete wires on a substrate. The method further includes forming a sacrificial cavity layer on the discrete wires. The method further includes forming trenches in an upper surface of the sacrificial cavity layer. The method further includes filling the trenches with dielectric material. The method further includes depositing metal on the sacrificial cavity layer and on the dielectric material to form a beam with at least one dielectric bumper extending from a bottom surface thereof.

摘要翻译： 形成至少一个微电子机械系统（MEMS）的方法包括在基板上形成多个分立的导线。 该方法还包括在分立导线上形成牺牲腔层。 该方法还包括在牺牲腔层的上表面中形成沟槽。 该方法还包括用电介质材料填充沟槽。 该方法还包括在牺牲腔层和介电材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个介电保险杠的梁。

公开(公告)号：US20140054728A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：US13591771

申请日：2012-08-22

申请人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Dana R. DeReus ,  Arthur S. Morris, III

发明人： Jeffrey C. Maling ,  Anthony K. Stamper ,  Dana R. DeReus ,  Arthur S. Morris, III

IPC分类号： H01L29/84 ,  G06F17/50 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00825 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01H1/0036 ,  H01L23/34 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity. The method for forming the cavity further includes forming at least one first vent hole of a first dimension which is sized to avoid or minimize material deposition on a beam structure during sealing processes. The method for forming the cavity further includes forming at least one second vent hole of a second dimension, larger than the first dimension.

摘要翻译： 公开了微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括形成至少一个微机电系统（MEMS）空腔。 用于形成空腔的方法还包括形成至少一个第一尺寸的第一通气孔，其尺寸设计成在密封过程中避免或最小化在梁结构上的材料沉积。 形成空腔的方法还包括形成大于第一尺寸的第二尺寸的至少一个第二通气孔。