公开(公告)号：US20100206076A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12678669

申请日：2008-09-19

申请人： Jochen Zoellin ,  Axel Franke ,  Kathrin Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Jochen Zoellin ,  Axel Franke ,  Kathrin Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： G01P15/125

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084

摘要： A sensor element is provided for sensing accelerations in three spatial directions, which furnishes reliable measurement results and moreover can be implemented economically and with a small configuration. The sensor element encompasses at least one seismic mass deflectable in three spatial directions, a diaphragm structure that functions as a suspension mount for the seismic mass, and at least one stationary counterelectrode for capacitive sensing of the deflections of the diaphragm structure. According to the exemplary embodiments and/or exemplary methods of the present invention, the diaphragm structure encompasses at least four electrode regions, electrically separated from one another, that are mechanically coupled via the seismic mass.

摘要翻译： 提供了用于感测三个空间方向上的加速度的传感器元件，其提供可靠的测量结果，并且还可以经济地实现并且具有小的配置。 传感器元件包括至少一个在三个空间方向上可偏转的地震质量，作为用于地震质量块的悬挂安装件的隔膜结构，以及至少一个用于对隔膜结构的偏转进行电容感测的固定反电极。 根据本发明的示例性实施例和/或示例性方法，隔膜结构包括彼此电分离的至少四个电极区域，其经由地震块机械耦合。

公开(公告)号：US08353213B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12678669

申请日：2008-09-19

申请人： Jochen Zoellin ,  Axel Franke ,  Kathrin Van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Jochen Zoellin ,  Axel Franke ,  Kathrin Van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/08

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084

摘要： A sensor element is provided for sensing accelerations in three spatial directions, which furnishes reliable measurement results and moreover can be implemented economically and with a small configuration. The sensor element encompasses at least one seismic mass deflectable in three spatial directions, a diaphragm structure that functions as a suspension mount for the seismic mass, and at least one stationary counterelectrode for capacitive sensing of the deflections of the diaphragm structure. According to the exemplary embodiments and/or exemplary methods of the present invention, the diaphragm structure encompasses at least four electrode regions, electrically separated from one another, that are mechanically coupled via the seismic mass.

摘要翻译： 提供了用于感测三个空间方向上的加速度的传感器元件，其提供可靠的测量结果，并且还可以经济地实现并且具有小的配置。 传感器元件包括至少一个在三个空间方向上可偏转的地震质量，作为用于地震质量块的悬挂安装件的隔膜结构，以及至少一个用于对隔膜结构的偏转进行电容感测的固定反电极。 根据本发明的示例性实施例和/或示例性方法，隔膜结构包括彼此电分离的至少四个电极区域，其经由地震块机械耦合。

公开(公告)号：US08637945B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13259570

申请日：2010-04-07

申请人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  Y10T428/31663

摘要： A component having a robust, but acoustically sensitive microphone structure is provided and a simple and cost-effective method for its production. This microphone structure includes an acoustically active diaphragm, which functions as deflectable electrode of a microphone capacitor, a stationary, acoustically permeable counter element, which functions as counter electrode of the microphone capacitor, and an arrangement for detecting and analyzing the capacitance changes of the microphone capacitor. The diaphragm is realized in a diaphragm layer above the semiconductor substrate of the component and covers a sound opening in the substrate rear. The counter element is developed in a further layer above the diaphragm. This further layer generally extends across the entire component surface and compensates level differences, so that the entire component surface is largely planar according to this additional layer. This allows a foil to be applied on the layer configuration of the microphone structures exposed in the wafer composite, which makes it possible to dice up the components in a standard sawing process.

摘要翻译： 提供具有坚固但声学敏感的麦克风结构的部件，并且是用于其生产的简单且成本有效的方法。 这种麦克风结构包括一个声学活动的隔膜，它起着麦克风电容器的可偏转电极的作用，一个固定的，声学可渗透的计数元件，起着麦克风电容器的对电极的作用，以及用于检测和分析麦克风的电容变化的装置 电容器。 膜片在元件的半导体衬底上方的隔膜层中实现，并覆盖衬底后部的声音开口。 计数元件在膜片上方的另一层中显影。 该另一层通常跨越整个组件表面延伸并补偿水平差，使得根据该附加层，整个组件表面大部分是平面的。 这允许将箔施加在暴露在晶片复合材料中的麦克风结构的层结构上，这使得可以在标准锯切工艺中引导部件。

公开(公告)号：US20120091544A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13259570

申请日：2010-04-07

申请人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： H04R19/005 ,  Y10T428/31663

摘要： A component having a robust, but acoustically sensitive microphone structure is provided and a simple and cost-effective method for its production. This microphone structure includes an acoustically active diaphragm, which functions as deflectable electrode of a microphone capacitor, a stationary, acoustically permeable counter element, which functions as counter electrode of the microphone capacitor, and an arrangement for detecting and analyzing the capacitance changes of the microphone capacitor. The diaphragm is realized in a diaphragm layer above the semiconductor substrate of the component and covers a sound opening in the substrate rear. The counter element is developed in a further layer above the diaphragm. This further layer generally extends across the entire component surface and compensates level differences, so that the entire component surface is largely planar according to this additional layer. This allows a foil to be applied on the layer configuration of the microphone structures exposed in the wafer composite, which makes it possible to dice up the components in a standard sawing process.

摘要翻译： 提供具有坚固但声学敏感的麦克风结构的部件，并且是用于其生产的简单且成本有效的方法。 这种麦克风结构包括一个声学活动的隔膜，它起着麦克风电容器的可偏转电极的作用，一个固定的，声学可渗透的计数元件，起着麦克风电容器的对电极的作用，以及用于检测和分析麦克风的电容变化的装置 电容器。 膜片在元件的半导体衬底上方的隔膜层中实现，并覆盖衬底后部的声音开口。 计数元件在膜片上方的另一层中显影。 该另一层通常跨越整个组件表面延伸并补偿水平差，使得根据该附加层，整个组件表面大部分是平面的。 这允许将箔施加在暴露在晶片复合材料中的麦克风结构的层结构上，这使得可以在标准锯切工艺中引导部件。

公开(公告)号：US20130327147A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13880388

申请日：2011-09-19

申请人： Ando Feyh ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Gary O'Brien

发明人： Ando Feyh ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Gary O'Brien

IPC分类号： G01P15/125

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0831

摘要： A micromechanical device measures an acceleration, a pressure or the like. It comprises a substrate having at least one fixed electrode, a seismic mass moveably arranged on the substrate, at least one ground electrode, which is arranged on the seismic mass, and resetting means for returning the seismic mass into an initial position, wherein the fixed electrode and the ground electrode are configured in one measurement plane for measuring an acceleration, a pressure or the like in the measurement plane, and wherein the fixed electrode and the ground electrode are configured for measuring an acceleration, pressure or the like acting on the seismic mass perpendicular to the measurement plane. The disclosure likewise relates to a corresponding method and a corresponding use.

摘要翻译： 微机械装置测量加速度，压力等。 它包括具有至少一个固定电极的基板，可移动地布置在基板上的地震块，布置在地震块上的至少一个接地电极，以及用于使地震块返回初始位置的复位装置，其中固定 电极和接地电极被配置在一个测量平面中，用于测量测量平面中的加速度，压力等，并且其中固定电极和接地电极被配置为测量作用在地震上的加速度，压力等 质量垂直于测量平面。 本公开同样涉及相应的方法和相应的用途。

公开(公告)号：US08492188B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13296923

申请日：2011-11-15

申请人： Heiko Stahl ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Jochen Reinmuth ,  Ando Feyh ,  Christian Rettig

发明人： Heiko Stahl ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Jochen Reinmuth ,  Ando Feyh ,  Christian Rettig

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00777

摘要： A method for producing a micromechanical component is described. The method includes providing a substrate having a layer system including an insulating material situated on the substrate, a conductive layer section and a protective layer structure connected to the conductive layer section, which borders a section of the insulating material. The method furthermore includes carrying out an isotropic etching process for removing a part of the insulating material, the conductive layer section and the protective layer structure preventing the removal of the bordered section of the insulating material; and a structural element being developed, which includes the conductive layer section, the protective layer structure and the bordered section of the insulating material.

摘要翻译： 对微机械部件的制造方法进行说明。 该方法包括提供具有包括位于基板上的绝缘材料的层系统的基板，与导电层部分连接的导电层部分和保护层结构，其与绝缘材料的一部分相接触。 该方法还包括进行用于去除绝缘材料的一部分，导电层部分和保护层结构的各向同性蚀刻工艺，以防止去除绝缘材料的边界部分; 以及正在开发的结构元件，其包括导电层部分，保护层结构和绝缘材料的边界部分。

公开(公告)号：US20120129291A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13296923

申请日：2011-11-15

申请人： Heiko Stahl ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Jochen Reinmuth ,  Ando Feyh ,  Christian Rettig

发明人： Heiko Stahl ,  Christina Leinenbach ,  Axel Franke ,  Jochen Reinmuth ,  Ando Feyh ,  Christian Rettig

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00777

摘要： A method for producing a micromechanical component is described. The method includes providing a substrate having a layer system including an insulating material situated on the substrate, a conductive layer section and a protective layer structure connected to the conductive layer section, which borders a section of the insulating material. The method furthermore includes carrying out an isotropic etching process for removing a part of the insulating material, the conductive layer section and the protective layer structure preventing the removal of the bordered section of the insulating material; and a structural element being developed, which includes the conductive layer section, the protective layer structure and the bordered section of the insulating material.

摘要翻译： 对微机械部件的制造方法进行说明。 该方法包括提供具有包括位于基板上的绝缘材料的层系统的基板，与导电层部分连接的导电层部分和保护层结构，其与绝缘材料的一部分相接触。 该方法还包括进行用于去除绝缘材料的一部分，导电层部分和保护层结构的各向同性蚀刻工艺，以防止去除绝缘材料的边界部分; 以及正在开发的结构元件，其包括导电层部分，保护层结构和绝缘材料的边界部分。

公开(公告)号：US20100203739A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12452692

申请日：2008-07-02

申请人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

发明人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32135

摘要： A method for selective etching of an SiGe mixed semiconductor layer on a silicon semiconductor substrate by dry chemical etching of the SiGe mixed semiconductor layer with the aid of an etching gas selected from the group including ClF3 and/or ClF5, a gas selected from the group including Cl2 and/or HCl being added to the etching gas.

摘要翻译： 借助于选自ClF3和/或ClF5的蚀刻气体，通过SiGe混合半导体层的干法化学蚀刻来选择性地蚀刻硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层的方法， 包括添加到蚀刻气体中的Cl 2和/或HCl。

公开(公告)号：US20120018779A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12740607

申请日：2008-10-13

申请人： Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

发明人： Franz Laermer ,  Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0136

摘要： A method for producing micromechanical patterns having a relief-like sidewall outline shape or an angle of inclination that is able to be set, the micromechanical patterns being etched out of a SiGe mixed semiconductor layer that is present on or deposited on a silicon semiconductor substrate, by dry chemical etching of the SiGe mixed semiconductor layer; the sidewall outline shape of the micromechanical pattern being developed by varying the germanium proportion in the SiGe mixed semiconductor layer that is to be etched; a greater germanium proportion being present in regions that are to be etched more strongly; the variation in the germanium proportion in the SiGe mixed semiconductor layer being set by a method selected from the group including depositing a SiGe mixed semiconductor layer having varying germanium content, introducing germanium into a silicon semiconductor layer or a SiGe mixed semiconductor layer, introducing silicon into a germanium layer or an SiGe mixed semiconductor layer and/or by thermal oxidation of a SiGe mixed semiconductor layer.

摘要翻译： 一种用于生产具有凸起状侧壁轮廓形状或能够被设定的倾斜角的微机械图案的方法，从存在于或沉积在硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层中蚀刻微机械图案， 通过干法化学蚀刻SiGe混合半导体层; 通过改变要蚀刻的SiGe混合半导体层中的锗比例来显影微机械图案的侧壁轮廓形状; 存在于要被更强蚀刻的区域中更大的锗比例; SiGe混合半导体层中的锗比例的变化通过选自包括沉积具有不同锗含量的SiGe混合半导体层，将锗引入到硅半导体层或SiGe混合半导体层中的方法来设置，将硅引入 锗层或SiGe混合半导体层和/或通过SiGe混合半导体层的热氧化。

公开(公告)号：US20100294710A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12308522

申请日：2007-05-04

申请人： Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

发明人： Tino Fuchs ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： B32B5/16 ,  C23F1/00 ,  C23C16/50 ,  B01D69/00 ,  B01D63/08 ,  G01N33/00

CPC分类号： B81C1/0069 ,  B01D61/243 ,  B01D67/003 ,  B01D67/0058 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/35 ,  B01D2325/028 ,  B01D2325/08 ,  B01D2325/26 ,  B81B2201/10 ,  B81C2201/0115 ,  Y10T428/24893

摘要： A method for producing a component, and a component, in particular a micromechanical and/or microfluidic and/or microelectronic component, is provided, the component including at least one patterned material region, and in a first step the patterned material region is produced in that microparticles of a first material are embedded in a matrix of a second material, and in a second step the patterned material region is rendered porous by etching using a dry etching method or a gas-phase etching method.

摘要翻译： 提供了一种用于制造组件和组件，特别是微机械和/或微流体和/或微电子部件的方法，所述部件包括至少一个图案化材料区域，并且在第一步骤中，图案化材料区域 将第一材料的微粒嵌入第二材料的基体中，在第二步骤中，通过使用干蚀刻法或气相蚀刻法蚀刻图案化材料区域而使多孔化。