公开(公告)号：US20060286755A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11154138

申请日：2005-06-15

申请人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L31/119 ,  H01L31/113 ,  H01L31/062 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。

公开(公告)号：US20060157747A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11037512

申请日：2005-01-18

申请人： Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

发明人： Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/938

摘要： A nanotube transistor, such as a carbon nanotube transistor, may be formed with a top gate electrode and a spaced source and drain. Conduction along the transistor from source to drain is controlled by the gate electrode. Underlying the gate electrode are at least two nanotubes. In some embodiments, the substrate may act as a back gate.

摘要翻译： 诸如碳纳米管晶体管的纳米管晶体管可以形成有顶栅电极和间隔开的源极和漏极。 沿晶体管从源极到漏极的导通由栅电极控制。 栅电极底部至少有两个纳米管。 在一些实施例中，衬底可用作背栅。

公开(公告)号：US20060063318A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10938778

申请日：2004-09-10

申请人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： Ambipolar conduction can be reduced in carbon nanotube transistors by forming a gate electrode of a metal. Metal sidewall spacers having different workfunctions than the gate electrode may be formed to bracket the metal gate electrode.

摘要翻译： 通过形成金属的栅电极，可以在碳纳米管晶体管中减少双极传导。 可以形成具有与栅电极不同的功函数的金属侧壁间隔物以支撑金属栅电极。

公开(公告)号：US20070090408A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11240487

申请日：2005-09-29

申请人： Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Been-Yih Jin ,  Robert Chau

发明人： Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Been-Yih Jin ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854

摘要： A field-effect transistor for a narrow-body, multiple-gate transistor such as a FinFET, tri-gate or Ω-FET is described. The corners of the channel region disposed beneath the gate are rounded n, for instance, oxidation steps, to reduce the comer effect associated with conduction initiating in the corners of the channel region.

摘要翻译： 描述了用于诸如FinFET，三栅极或者Omega-FET的窄体多栅极晶体管的场效应晶体管。 设置在栅极下方的通道区域的角部是圆形的，例如氧化步骤，以减少与沟道区域的拐角中的传导起始相关的拐角效应。

公开(公告)号：US20070001219A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11173866

申请日：2005-06-30

申请人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： A contact architecture for nanoscale channel devices having contact structures coupling to and extending between source or drain regions of a device having a plurality of parallel semiconductor bodies. The contact structures being able to contact parallel semiconductor bodies having sub-lithographic pitch.

摘要翻译： 一种用于纳米尺度通道器件的接触结构，其具有耦合到具有多个平行半导体器件的器件的源极或漏极区域之间并具有接触结构的接触结构。 接触结构能够接触具有亚光刻间距的平行半导体本体。

公开(公告)号：US20060220090A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11089247

申请日：2005-03-23

申请人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/516 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A semiconductor device is described. That semiconductor device comprises a high-k gate dielectric layer that is formed over a channel that is positioned within a substrate, and a metal gate electrode that is formed on the high-k gate dielectric layer. The high-k gate dielectric layer has off-state leakage characteristics that are superior to those of a silicon dioxide based gate dielectric, and on-state mobility characteristics that are superior to those of a high-k gate dielectric that comprises an isotropic material.

摘要翻译： 描述半导体器件。 该半导体器件包括形成在位于衬底内的沟道上的高k栅介质层和形成在高k栅介质层上的金属栅电极。 高k栅极电介质层具有优于基于二氧化硅的栅极电介质的截止状态泄漏特性，以及优于包含各向同性材料的高k栅极电介质的导通状态迁移率特性。

公开(公告)号：US20070141790A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11638333

申请日：2006-12-12

申请人： Suman Datta ,  Marko Radosavljevic ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Robert Chau

发明人： Suman Datta ,  Marko Radosavljevic ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0508 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  Y10S977/762

摘要： A structure to form an energy well within a Carbon nanotube is described. The structure includes a doped semiconductor region and an undoped semiconductor region. The Carbon nanotube is between the doped semiconductor region and the undoped semiconductor region. The structure also includes a delta doped semiconductor region. The undoped semiconductor region is between the Carbon nanotube and the delta doped region. The delta doped semiconductor region is doped opposite that of the doped semiconductor region.

摘要翻译： 描述了在碳纳米管内形成能量阱的结构。 该结构包括掺杂半导体区域和未掺杂的半导体区域。 碳纳米管位于掺杂半导体区域和未掺杂的半导体区域之间。 该结构还包括δ掺杂半导体区域。 未掺杂的半导体区域在碳纳米管和δ掺杂区之间。 该掺杂掺杂的δ掺杂半导体区域与掺杂半导体区域的掺杂相反。

公开(公告)号：US20060220074A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096984

申请日：2005-03-31

申请人： Suman Datta ,  Marko Radosavljevic ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Robert Chau

发明人： Suman Datta ,  Marko Radosavljevic ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L51/0508 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  Y10S977/762

摘要： A structure to form an energy well within a Carbon nanotube is described. The structure includes a doped semiconductor region and an undoped semiconductor region. The Carbon nanotube is between the doped semiconductor region and the undoped semiconductor region. The structure also includes a delta doped semiconductor region. The undoped semiconductor region is between the Carbon nanotube and the delta doped region. The delta doped semiconductor region is doped opposite that of the doped semiconductor region.

摘要翻译： 描述了在碳纳米管内形成能量阱的结构。 该结构包括掺杂半导体区域和未掺杂的半导体区域。 碳纳米管位于掺杂半导体区域和未掺杂的半导体区域之间。 该结构还包括δ掺杂半导体区域。 未掺杂的半导体区域在碳纳米管和δ掺杂区之间。 该掺杂掺杂的δ掺杂半导体区域与掺杂半导体区域的掺杂相反。

公开(公告)号：US20060068591A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11240440

申请日：2005-09-29

申请人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Brian Doyle ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Brian Doyle ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/926 ,  Y10S438/957

摘要： A method for fabricating a field-effect transistor with a gate completely wrapping around a channel region is described. Ion implantation is used to make the oxide beneath the channel region of the transistor more etchable, thereby allowing the oxide to be removed below the channel region. Atomic layer deposition is used to form a gate dielectric and a metal gate entirely around the channel region once the oxide is removed below the channel region.

摘要翻译： 描述了一种制造具有完全围绕通道区域的栅极的场效应晶体管的方法。 离子注入用于使晶体管的沟道区下方的氧化物更易蚀刻，从而允许在沟道区下方除去氧化物。 一旦氧化物在通道区域下方被去除，原子层沉积被用于在通道区域的整个周围形成栅极电介质和金属栅极。

公开(公告)号：US20070152266A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11322795

申请日：2005-12-29

申请人： Brian Doyle ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

发明人： Brian Doyle ,  Justin Brask ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： The fabrication of a tri-gate transistor formed with a replacement gate process is described. A nitride dummy gate, in one embodiment, is used allowing the growth of epitaxial source and drain regions immediately adjacent to the dummy gate. This reduces the external resistance.

摘要翻译： 描述了用替换栅极工艺形成的三栅极晶体管的制造。 在一个实施例中，使用氮化物虚拟栅极，允许生长与伪栅极紧邻的外延源极和漏极区域。 这减少了外部电阻。