公开(公告)号：US08802882B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US12862739

申请日：2010-08-24

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07887883B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12777519

申请日：2010-05-11

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US07786320B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US12464726

申请日：2009-05-12

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07781605B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12578262

申请日：2009-10-13

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US20070281476A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11446339

申请日：2006-06-02

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic structure are described. Those methods may comprise forming a thin conformal copper layer on a surface by utilizing a formation temperature below about 125 degrees Celsius.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构的方法和相关结构。 那些方法可以包括通过利用低于约125摄氏度的地层温度在表面上形成薄的共形铜层。

公开(公告)号：US08268665B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US08236097B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US13028193

申请日：2011-02-15

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C09D5/00 ,  C07F7/02 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US08008117B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20110183528A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13069217

申请日：2011-03-22

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SioxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜以及含有氮化硅（Si3N4），硅氧氮化物（SioxNy）等的薄膜的半导体器件的制造中形成含硅膜的硅前驱体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07713346B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US12247120

申请日：2008-10-07

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。