公开(公告)号：US06291696B1

公开(公告)日：2001-09-18

申请号：US09754320

申请日：2001-01-05

申请人： Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Ayumu Kiyomori

发明人： Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Ayumu Kiyomori

IPC分类号： C07F708

摘要： An industrially acceptable process for preparing 2-[tris(trimethylsilyl)silyl]ethyl (meth)acrylate in high yields involves reacting 2-[tris(trimethylsilyl)silyl]ethyl acetate with an alcohol in the presence of a catalyst to form 2-[tris(trimethylsilyl)silyl]ethanol, then reacting it with a (meth)acrylate ester.

公开(公告)号：US09076738B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13183175

申请日：2011-07-14

申请人： Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： H01L21/311 ,  C07C69/753 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C07C69/753 ,  C07C2604/00 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116

摘要： The invention provides a composition for a resist underlayer film, the composition for a resist underlayer film to form a resist underlayer film of a multilayer resist film used in lithography, wherein the composition comprises at least (A) a fullerene derivative that is a reaction product of a substance having a fullerene skeleton with a 1,3-diene compound derivative having an electron-withdrawing group and (B) an organic solvent. There can be a composition for a resist underlayer film for a multilayer resist film used in lithography, the composition giving a resist underlayer film having excellent high dry etching resistance, capable of suppressing wiggling during substrate etching with high effectiveness, and capable of avoiding a poisoning problem in upperlayer patterning that uses a chemical amplification resist; a process for forming a resist underlayer film; a patterning process; and a fullerene derivative.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于抗蚀剂下层膜的组合物，用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，用于形成用于光刻的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜，其中所述组合物至少包含（A）富勒烯衍生物，其为反应产物 具有富勒烯骨架的物质与具有吸电子基团的1,3-二烯化合物衍生物和（B）有机溶剂。 可以使用用于光刻中的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物赋予抗蚀剂下层膜，其具有优异的耐干蚀刻性，能够高效地抑制基板蚀刻期间的扭曲，并且能够避免中毒 使用化学增幅抗蚀剂的上层图案化问题; 形成抗蚀剂下层膜的工序; 图案化过程; 和富勒烯衍生物。

公开(公告)号：US08835697B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13424455

申请日：2012-03-20

申请人： Daisuke Kori ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuya Takemura ,  Tsutomu Ogihara ,  Takeru Watanabe ,  Hiroyuki Urano

发明人： Daisuke Kori ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuya Takemura ,  Tsutomu Ogihara ,  Takeru Watanabe ,  Hiroyuki Urano

IPC分类号： C07C39/17 ,  G03F7/09 ,  C09D161/12

CPC分类号： C07C39/17 ,  C09D161/12 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

摘要： A biphenyl derivative having formula (1) is provided wherein Ar1 and Ar2 denote a benzene or naphthalene ring, and x and z each are 0 or 1. A material comprising the biphenyl derivative or a polymer comprising recurring units of the biphenyl derivative is spin coated and heat treated to form a resist bottom layer having improved properties, optimum values of n and k, step coverage, etch resistance, heat resistance, solvent resistance, and minimized outgassing.

摘要翻译： 提供具有式（1）的联苯衍生物，其中Ar1和Ar2表示苯或萘环，x和z各自为0或1.包含联苯衍生物或包含联苯衍生物的重复单元的聚合物的材料是旋涂 并进行热处理以形成具有改进性能，n和k的最佳值，台阶覆盖率，耐蚀刻性，耐热性，耐溶剂性和最小化除气的抗蚀剂底层。

公开(公告)号：US08663898B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13311137

申请日：2011-12-05

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Takeru Watanabe ,  Yusuke Biyajima ,  Daisuke Kori ,  Takeshi Kinsho ,  Toshihiko Fujii

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Takeru Watanabe ,  Yusuke Biyajima ,  Daisuke Kori ,  Takeshi Kinsho ,  Toshihiko Fujii

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/094

摘要： There is disclosed A resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), one or more kinds of a compound represented by the following general formula (2), and one or more kinds of a compound, represented by the following general formula (3), and/or an equivalent body thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.

摘要翻译： 公开了抗蚀剂下层膜组合物，其中组合物含有通过至少一种或多种下列通式（1-1）和/或（1-2）表示的化合物的缩合得到的聚合物：一种或多种 由以下通式（2）表示的化合物的种类以及由以下通式（3）表示的化合物和/或其等同体的一种或多种。 可以提供能够形成具有降低的反射率的下层膜（即，具有最佳n值和k值作为抗反射膜的下层膜）的三层抗蚀剂工艺的下层膜组合物， 特别是在60nm以上的高方位线上，特别是在蚀刻后，不会引起线下落或翘曲，以及使用其的图案化处理。

公开(公告)号：US08592956B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13292696

申请日：2011-11-09

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Daisuke Kori ,  Yusuke Biyajima ,  Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Daisuke Kori ,  Yusuke Biyajima ,  Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095

摘要： There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formula (1-1) and/or general formula (1-2), and one or more kinds of compounds and/or equivalent bodies thereof represented by the following general formula (2). There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.

摘要翻译： 公开了一种抗蚀剂下层膜组合物，其中组合物含有通过至少一种或多种下列通式（1-1）和/或通式（1-2）表示的化合物的缩合得到的聚合物，和 一种或多种由以下通式（2）表示的化合物和/或其等同体。 可以提供能够形成具有降低的反射率的下层膜（即，具有最佳n值和k值的下层膜）的三层抗蚀剂工艺的下层膜组合物，优异的填充性，高 图案抗菌性，特别是在薄于60nm的高纵横线上，特别是在蚀刻后不会引起线下落或摆动，以及使用其的图案化处理。

公开(公告)号：US20120077121A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13235719

申请日：2011-09-19

申请人： Koji HASEGAWA ,  Takeru Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Koji HASEGAWA ,  Takeru Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/20 ,  C07C69/675 ,  C07C69/732 ,  C08F228/02 ,  C08F22/20 ,  C08F220/22 ,  C08F220/38 ,  G03F7/004 ,  C07C69/734

CPC分类号： C07C69/675 ,  C07C69/67 ,  C07C69/708 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： Fluoroalcohol compounds of formula (1) are useful in producing polymers which are used as the base resin to formulate radiation-sensitive resist compositions having transparency to radiation having a wavelength of up to 500 nm and improved development characteristics. R1 is hydrogen or a monovalent C1-C20 hydrocarbon group in which any constituent —CH2— moiety may be replaced by —O— or —C(═O)—, Aa is a (k1+1)-valent C1-C20 hydrocarbon or fluorinated hydrocarbon group, and k1 is 1, 2 or 3.

摘要翻译： 式（1）的氟醇化合物可用于制备用作基础树脂的聚合物，以配制具有高达500nm波长的辐射透明度和改进的显影特性的对透射性的辐射敏感性抗蚀剂组合物。 R1是氢或一价C1-C20烃基，其中任何组成的-CH 2 - 部分可以被-O-或-C（= O） - 代替，A a是（k1 + 1）价的C1-C20烃或 氟化烃基，k1为1,2或3。

公开(公告)号：US08053165B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12405670

申请日：2009-03-17

申请人： Takeshi Kinsho ,  Masaki Ohashi ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe

发明人： Takeshi Kinsho ,  Masaki Ohashi ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C07C69/54 ,  C07C2601/08 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A hydroxyl-containing monomer of formula (1) is provided wherein R1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R2 and R3 are monovalent C1-C15 hydrocarbon groups, or R2 and R3 may form an aliphatic ring. The monomers are useful for the synthesis of polymers which have high transparency to radiation of up to 500 nm and the effect of controlling acid diffusion so that the polymers may be used as a base resin to formulate radiation-sensitive resist compositions having a high resolution.

摘要翻译： 提供式（1）的含羟基的单体，其中R 1是H，F，甲基或三氟甲基，R 2和R 3是一价C 1 -C 15烃基，或者R 2和R 3可以形成脂族环。 单体可用于合成对高达500nm的辐射具有高透明度的聚合物，以及控制酸扩散的效果，使得聚合物可用作基础树脂以配制具有高分辨率的辐射敏感性抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US07993811B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12355446

申请日：2009-01-16

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/143

摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising specific recurring units, represented by formula (1). The acid generator (B) is a specific sulfonium salt compound. When processed by lithography, the composition is improved in resolution and forms a pattern with a satisfactory mask fidelity and a minimal LER. Herein R1 is H or methyl, R2 is an acid labile group, R3 is CO2R4 when X is CH2, R3 is H or CO2R4 when X is O, R4 is a monovalent C1-C20 hydrocarbon group, and m is 1 or 2.

摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含由式（1）表示的特定重复单元的聚合物。 酸产生剂（B）是特定的锍盐化合物。 当通过光刻处理时，组合物的分辨率提高，并形成具有令人满意的掩模保真度和最小LER的图案。 本文中R1是H或甲基，R2是酸不稳定基团，当X是CH2时，R3是CO2R4，当X是O时，R3是H，CO2R4，R4是一价C1-C20烃基，m是1或2。

公开(公告)号：US07807331B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12252123

申请日：2008-10-15

申请人： Tomohiro Kobayashi ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Tadahiro Sunaga ,  Yuichi Okawa

发明人： Tomohiro Kobayashi ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Tadahiro Sunaga ,  Yuichi Okawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C08F232/08

CPC分类号： G03F7/0395 ,  C08G61/08 ,  Y10S430/106

摘要： Resist compositions comprising a hydrogenated ring-opening metathesis polymer bearing an alicyclic structure in its backbone and comprising structural units having an oxygen atom incorporated as part of the cyclic structure exhibit a high resolution and minimal proximity bias upon ArF excimer laser lithography and have high etching resistance.

摘要翻译： 包含在其主链上带有脂环结构的氢化开环复分解聚合物的抗蚀剂组合物并且包括具有作为环状结构的一部分结合的氧原子的结构单元在ArF准分子激光平版印刷法上表现出高分辨率和最小的邻近偏压，并具有高耐蚀刻性 。

公开(公告)号：US07285368B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US10864424

申请日：2004-06-10

申请人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0395

摘要： Novel ester compounds having a sulfonamide structure are polymerizable into polymers having improved transparency at wavelength of up to 300 nm, especially ArF excimer laser light, and dry etching resistance. Resist compositions comprising the polymers are sensitive to high-energy radiation, have a high resolution, and lend themselves to micropatterning with electron beams or deep-UV rays.

摘要翻译： 具有磺酰胺结构的新型酯化合物可聚合成在高达300nm的波长下具有改善的透明度的聚合物，特别是ArF准分子激光和耐干蚀刻性。 包含聚合物的抗蚀剂组合物对高能量辐射敏感，具有高分辨率，并且借助电子束或深紫外线照射微图案。