公开(公告)号：US20070148848A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11614975

申请日：2006-12-22

申请人： Gyu Hyun Kim ,  Geun Min Choi ,  Baik II Choi ,  Dong Joo Kim ,  Ji Hye Han

发明人： Gyu Hyun Kim ,  Geun Min Choi ,  Baik II Choi ,  Dong Joo Kim ,  Ji Hye Han

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： Disclosed herein is a method for forming a dual gate of a semiconductor device. The method comprises the steps of forming a first polysilicon layer doped with p-type impurity ions and a second polysilicon layer doped with n-type impurity ions on a first region and a second region of a semiconductor substrate, respectively, and sequentially subjecting the surfaces of the first and second polysilicon layers to first wet cleaning, second wet cleaning and dry cleaning.

摘要翻译： 本文公开了一种用于形成半导体器件的双栅极的方法。 该方法包括以下步骤：分别在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成掺杂有p型杂质离子的第一多晶硅层和掺杂n型杂质离子的第二多晶硅层， 的第一和第二多晶硅层进行第一次湿式清洗，第二次湿式清洗和干洗。

公开(公告)号：US20060109154A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11153045

申请日：2005-06-14

申请人： Seung-Chul Lee ,  Kwi-Dong Kim ,  Gyu-Hyun Kim ,  Jong-Ki Kwon ,  Jong-Dae Kim

发明人： Seung-Chul Lee ,  Kwi-Dong Kim ,  Gyu-Hyun Kim ,  Jong-Ki Kwon ,  Jong-Dae Kim

IPC分类号： H03M1/66

CPC分类号： H03M1/0604 ,  H03M1/1215 ,  H03M1/167 ,  H03M1/804

摘要： A multiplying digital to analog converter comprising a digital to analog converter having a plurality of capacitors coupled in parallel, applying first signals to the capacitors during a sampling period, and applying second signals to the capacitors during an amplifying period, and an amplifier including a first amplifier electrically coupled to the digital to analog converter; a second amplifier electrically coupled to the first amplifier; and a first switch electrically coupled between an input end and an output end of the second amplifier, being turned off during a sampling period, and being turned off during an amplifying period.

摘要翻译： 一种乘法数模转换器，包括具有并联耦合的多个电容器的数模转换器，在采样周期期间将第一信号施加到电容器，以及在放大期间向电容器施加第二信号，以及放大器，包括第一 放大器电耦合到数模转换器; 电耦合到所述第一放大器的第二放大器; 并且电耦合在第二放大器的输入端和输出端之间的第一开关在采样周期期间被关断，并且在放大期间被关断。

公开(公告)号：US08288263B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12850903

申请日：2010-08-05

申请人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

发明人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02057 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a multilayer, forming a plurality of patterns by etching the multilayer and a portion of the substrate, forming a supporter to support the plurality of patterns, and removing residues formed during the etching.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：通过蚀刻多层和一部分衬底形成多个图案，形成多个图案，形成支撑体以支撑多个图案，以及去除蚀刻期间形成的残留物。

公开(公告)号：US20080188056A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11965901

申请日：2007-12-28

申请人： Gyu Hyun KIM

发明人： Gyu Hyun KIM

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A method for forming a capacitor of a semiconductor device includes the steps of forming first and second sacrificial insulation layers over a semiconductor substrate divided into first and second regions. The second and first sacrificial insulation layers in the first region are etched to define in the first region of the semiconductor substrate. Storage nodes on surfaces of the holes are formed. A partial thickness of the second sacrificial insulation layer is etched to partially expose upper portions of the storage nodes. A mask pattern is formed to cover the first region while exposing the second sacrificial insulation layer remaining in the second region. The exposed second sacrificial insulation layer in the second region is removed to expose the first sacrificial insulation layer in the second region. The exposed first sacrificial insulation layer in the second region and the first sacrificial insulation layer in the first region is removed. The mask pattern is removed. The second sacrificial insulation layer remaining in the first region is removed.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的电容器的方法包括以下步骤：在分成第一和第二区域的半导体衬底上形成第一和第二牺牲绝缘层。 蚀刻第一区域中的第二和第一牺牲绝缘层以限定在半导体衬底的第一区域中。 形成孔的表面上的存储节点。 蚀刻第二牺牲绝缘层的部分厚度以部分地暴露存储节点的上部。 形成掩模图案以覆盖第一区域，同时暴露残留在第二区域中的第二牺牲绝缘层。 去除第二区域中暴露的第二牺牲绝缘层，以露出第二区域中的第一牺牲绝缘层。 在第二区域中暴露的第一牺牲绝缘层和第一区域中的第一牺牲绝缘层被去除。 去除掩模图案。 残留在第一区域中的第二牺牲绝缘层被去除。

公开(公告)号：US20070126663A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11521338

申请日：2006-09-14

申请人： Gyu Hyun Kim ,  Yil Suk Yang ,  Dae Woo Lee ,  Jong Dae Kim

发明人： Gyu Hyun Kim ,  Yil Suk Yang ,  Dae Woo Lee ,  Jong Dae Kim

IPC分类号： G09G3/30

CPC分类号： G09G3/3241 ,  G09G3/3283 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842

摘要： Provided is a pixel driving circuit including a threshold voltage compensation circuit. The pixel driving circuit includes a diode-connected type first transistor through which input current data flows; a second transistor copying the current data flowing through the first transistor; a third transistor connected in series to the second transistor; a fourth transistor diode-connected between a power supply voltage terminal and the third transistor; and a driving transistor connected to the power supply voltage terminal, copying the current data flowing through the third transistor, and providing the data to a light emitting diode. Since the pixel driving circuit compensates for variation in the threshold voltage of the driving transistor driving each pixel, brightness uniformity of pixels according to applied current data can be maintained.

摘要翻译： 提供了包括阈值电压补偿电路的像素驱动电路。 像素驱动电路包括输入电流数据流过的二极管连接型第一晶体管; 第二晶体管复制流过第一晶体管的电流数据; 与第二晶体管串联连接的第三晶体管; 连接在电源电压端子和第三晶体管之间的第四晶体管二极管; 以及连接到电源电压端子的驱动晶体管，复制流过第三晶体管的电流数据，并将数据提供给发光二极管。 由于像素驱动电路补偿驱动每个像素的驱动晶体管的阈值电压的变化，所以可以保持根据所施加的当前数据的像素的亮度均匀性。

公开(公告)号：US20070126615A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11588455

申请日：2006-10-27

申请人： Yi Gyeong Kim ,  Chong Ki Kwon ,  Jong Dae Kim ,  Min Hyung Cho ,  Seung Chul Lee ,  Gyu Hyun Kim

发明人： Yi Gyeong Kim ,  Chong Ki Kwon ,  Jong Dae Kim ,  Min Hyung Cho ,  Seung Chul Lee ,  Gyu Hyun Kim

IPC分类号： H03M1/66

CPC分类号： H03M3/352 ,  H03M3/424 ,  H03M3/464

摘要： A digital-to-analog converter (DAC) for a sigma-delta modulator is provided. The DAC has a switched capacitor structure using an operational amplifier (OP amp) and performs a function exceeding 3-level using a switching method employing only one capacitor in single ended form. Thus, DAC non-linearity caused by capacitor mismatching does not occur, and the number of output levels of the DAC is increased. Also, the DAC capacitor may be applied to a general DAC to increase the ratio of DAC output levels to capacitors.

摘要翻译： 提供了一种用于Σ-Δ调制器的数模转换器（DAC）。 DAC具有使用运算放大器（OP放大器）的开关电容器结构，并且使用仅采用单端形式的一个电容器的开关方法来执行超过3电平的功能。 因此，不会发生由电容器失配引起的DAC非线性，并且DAC的输出电平的数量增加。 此外，DAC电容器可以被施加到通用DAC以增加DAC输出电平与电容器的比率。

公开(公告)号：US08120113B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12688738

申请日：2010-01-15

申请人： Young-Soo Choi ,  Gyu-Hyun Kim

发明人： Young-Soo Choi ,  Gyu-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line in a semiconductor device includes an insulation layer having trenches formed therein, a barrier metal layer formed over the insulation layer and the trenches, a metal layer formed over the barrier metal layer, wherein the metal layer fills the trenches, and an anti-galvanic corrosion layer formed on an interface between the metal layer and the barrier metal layer.

摘要翻译： 半导体器件中的金属线包括其中形成有沟槽的绝缘层，形成在绝缘层和沟槽上的阻挡金属层，形成在阻挡金属层上的金属层，其中金属层填充沟槽， 形成在金属层和阻挡金属层之间的界面上的 - 腐蚀性腐蚀层。

公开(公告)号：US20110269304A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12850903

申请日：2010-08-05

申请人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

发明人： Gyu-Hyun Kim ,  Kwon Hong ,  Cha-Deok Dong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02057 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a multilayer, forming a plurality of patterns by etching the multilayer and a portion of the substrate, forming a supporter to support the plurality of patterns, and removing residues formed during the etching.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成多层，通过蚀刻多层和一部分衬底形成多个图案，形成支撑体以支撑多个图案，以及去除蚀刻期间形成的残留物。

公开(公告)号：US07648904B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11770681

申请日：2007-06-28

申请人： Young-Soo Choi ,  Gyu-Hyun Kim

发明人： Young-Soo Choi ,  Gyu-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line in a semiconductor device includes an insulation layer having trenches formed therein, a barrier metal layer formed over the insulation layer and the trenches, a metal layer formed over the barrier metal layer, wherein the metal layer fills the trenches, and an anti-galvanic corrosion layer formed on an interface between the metal layer and the barrier metal layer.

摘要翻译： 半导体器件中的金属线包括其中形成有沟槽的绝缘层，形成在绝缘层和沟槽上的阻挡金属层，形成在阻挡金属层上的金属层，其中金属层填充沟槽， 形成在金属层和阻挡金属层之间的界面上的 - 腐蚀性腐蚀层。

公开(公告)号：US20080057706A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11755112

申请日：2007-05-30

申请人： Gyu Hyun KIM ,  Yong Soo CHOI

发明人： Gyu Hyun KIM ,  Yong Soo CHOI

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A cylinder type storage node is made by, inter alia: forming a sacrificial oxide layer containing organic material over a semiconductor substrate; defining holes for storage nodes by etching the sacrificial oxide layer; forming storage nodes on surfaces of the holes; and removing the sacrificial oxide layer through wet etching and removing the organic material contained in the sacrificial oxide layer using ozone gas.

摘要翻译： 圆筒型存储节点尤其通过在半导体衬底上形成含有有机材料的牺牲氧化物层; 通过蚀刻牺牲氧化物层来定义存储节点的孔; 在孔的表面上形成存储节点; 并且通过湿蚀刻去除牺牲氧化物层，并且使用臭氧气体除去包含在牺牲氧化物层中的有机材料。