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    Optical field concentrator using multiple low-index nano-layer configuration for CMOS compatible laser devices
    12.
    发明申请
    Optical field concentrator using multiple low-index nano-layer configuration for CMOS compatible laser devices 有权
    使用CMOS兼容激光器件的多个低折射率纳米层配置的光场集中器

    公开(公告)号：US20070248308A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11410228

    申请日：2006-04-24

    申请人： Ning-Ning Feng ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    发明人： Ning-Ning Feng ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： G02B6/10

    CPC分类号： G02B6/107 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/0229 ,  G02B6/03611 ,  G02B6/03644 ,  G02B6/03688 ,  G02B6/1223

    摘要： An optical field concentrator includes a plurality of waveguide layers comprising high index materials having a first defined thickness. At least one nano-layer structure is positioned between said waveguide layers. The at least one nano-layer structure comprises low index materials having a second defined thickness that is smaller than the first defined thickness. A plurality of cladding layers are positioned between the waveguide layers and the at least one nano-layer structure. The cladding layers have a third defined thickness that is larger than the first defined thickness.

    摘要翻译： 光场集中器包括多个波导层，其包括具有第一限定厚度的高折射率材料。 至少一个纳米层结构位于所述波导层之间。 所述至少一个纳米层结构包括具有小于所述第一限定厚度的第二限定厚度的低折射率材料。 多个包层位于波导层和至少一个纳米层结构之间。 包覆层具有大于第一限定厚度的第三限定厚度。

    Partial confinement photonic crystal waveguides
    13.
    发明申请
    Partial confinement photonic crystal waveguides 有权
    局部约束光子晶体波导

    公开(公告)号：US20070181915A1

    公开(公告)日：2007-08-09

    申请号：US11349761

    申请日：2006-02-08

    申请人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

    发明人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： H01L29/768

    CPC分类号： H01L29/768

    摘要： An optical waveguide structure includes an air-via region that receives an optical signal from an optical source. A photonic crystal cladding region is formed on the surface of the air-via region. The photonic crystal cladding region confines the optical signal within the air-via region and propagates the optical signal along the axial direction while ensuring near complete transmission of the optical signal.

    摘要翻译： 光波导结构包括从光源接收光信号的通气区域。 在透气区域的表面上形成光子晶体包层区域。 光子晶体覆盖区域将光信号限制在通气区域内，并且沿着轴向传播光信号，同时确保光信号的接近完全传输。

    Energy coupled superlattice structures for silicon based lasers and modulators
    18.
    发明申请
    Energy coupled superlattice structures for silicon based lasers and modulators 有权
    用于硅基激光器和调制器的能量耦合超晶格结构

    公开(公告)号：US20070069332A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：US11490961

    申请日：2006-07-21

    申请人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Lionel Kimerling

    发明人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01S3/0632 ,  G02B6/12004 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/17

    摘要： A waveguide structure includes a SOI substrate. A core structure is formed on the SOI substrate comprising a plurality of multilayers having alternating or aperiodically distributed thin layers of either Si-rich oxide (SRO), Si-rich nitride (SRN) or Si-rich oxynitride (SRON). The multilayers are doped with a rare earth material so as to extend the emission range of the waveguide structure to the near infrared region. A low index cladding includes conductive oxides to act as electrodes.

    摘要翻译： 波导结构包括SOI衬底。 在包括多个具有富Si氧化物（SRO），富Si的氮化物（SRN）或富Si氧氮化物（SRON）的交替或非周期分布的薄层的多层的SOI衬底上形成芯结构。 多层掺杂有稀土材料，以将波导结构的发射范围扩展到近红外区域。 低折射率包层包括用作电极的导电氧化物。

    Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures
    19.
    发明申请
    Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures 审中-公开
    富硅氮化物CMOS兼容光源和Si基激光器结构

    公开(公告)号：US20060140239A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11113542

    申请日：2005-04-25

    申请人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    发明人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： H01S3/07 ,  H01S3/083

    CPC分类号： H01S3/0627 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L33/46 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0632 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0933 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/16 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/169 ,  H01S5/105 ,  H01S5/183

    摘要： A fabrication method produces Si compatible light-emitting materials showing sizeable optical gain by thermally annealing thin film layers of Si-rich nitride (SiNx) By utilizing the Si compatible light-emitting material, light emitting devices can be fabricated that are compatible with CMOS processes. The Si compatible light-emitting material is a high index (refractive index ranging from 1.6 to 2.3) material allowing flexible design of high confinements photonic devices with strong structural stability with respect to annealing treatments. The Si compatible light-emitting material realizes broad band light emission by allowing resonant coupling with rare earth atoms and other infrared emitting quantum dots and better electrical conduction properties with respect to SiO2 systems. The Si compatible light-emitting material also realizes high transparency (low pumping and modal losses) in the visible range.

    摘要翻译： 制造方法通过热退火富Si氮化物（SiN x x）的薄膜层产生显示出相当大的光学增益的Si兼容的发光材料。通过利用Si兼容的发光材料，发光器件可以 与CMOS工艺兼容。 Si兼容的发光材料是高折射率（折射率范围为1.6至2.3）的材料，允许灵活设计具有相对于退火处理的强结构稳定性的高约束光子器件。 Si兼容的发光材料通过与稀土元素和其它红外发射量子点的谐振耦合以及相对于SiO 2系统的更好的导电性能来实现宽带发光。 Si兼容的发光材料在可见光范围内也实现了高透明度（低抽运和模态损耗）。

    Infrared detection material and method of production
    20.
    发明申请
    Infrared detection material and method of production 审中-公开
    红外线检测材料及生产方法

    公开(公告)号：US20060102870A1

    公开(公告)日：2006-05-18

    申请号：US11252140

    申请日：2005-10-17

    申请人： Jean Viens ,  Juejun Hu ,  Fernand Viens ,  Anuradha Agarwal ,  Lionel Kimerling

    发明人： Jean Viens ,  Juejun Hu ,  Fernand Viens ,  Anuradha Agarwal ,  Lionel Kimerling

    IPC分类号： C04B35/00

    CPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14652 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/0272

    摘要： A thin film quaternary compound semiconductor comprising arsenic (As), selenium (Se), tellurium (Te) and copper (Cu) atoms with adjustable molar concentrations during processing, whose atomic arrangement is predominantly amorphous, glassy or polycrystalline, and dominated by covalent chemical bonds between the said atoms. The amorphous nature of the atomic arrangement gives predominance to short range atomic order, eliminating the constraints of lattice constant mismatch and polarity mismatch with the substrate, which opens the way to wide chemical compositional adjustments and to lower-cost deposition processes such as thermal evaporation or sputtering.

    摘要翻译： 包含砷（As），硒（Se），碲（Te）和铜（Cu）原子的薄膜季铵化合物半导体，其加工过程中的摩尔浓度可调，其原子排列主要为无定形，玻璃状或多晶，并以共价化学 所述原子之间的键。 原子排列的无定形性给出了短程原子序列的优势，消除了晶格常数不匹配和与衬底的极性失配的约束，这开辟了广泛的化学成分调整和较低成本的沉积工艺，如热蒸发或 溅射。