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116 条记录 (耗时 0.036 秒)

    CONTROLLER, DATA STORAGE DEVICE, AND PROGRAM PRODUCT
    11.
    发明申请
    CONTROLLER, DATA STORAGE DEVICE, AND PROGRAM PRODUCT 有权
    控制器，数据存储设备和程序产品

    公开(公告)号：US20110231624A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US12883796

    申请日：2010-09-16

    申请人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Kenichiro Yoshii ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    发明人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Kenichiro Yoshii ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/16 ,  G06F12/10

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0644 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/00 ,  G06F12/16 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/214 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7205

    摘要： According to one embodiment, a write instructing unit instructs a data access unit to write, in a storage area of a data storage unit indicated by a first physical address, write object data, instructs a management information access unit to update address conversion information, and instructs a first access unit to update the first physical address. A compaction unit extracts a physical address of compaction object data, instructs the data access unit to read the compaction object data stored in a storage area of the data storage unit indicated by the physical address, instructs the data access unit to write the compaction object data in a storage area of the data storage unit indicated by a second physical address, instructs the management information access unit to update the address conversion information, and instructs a second access unit to update the second physical address.

    摘要翻译： 根据一个实施例，写指令单元指示数据存取单元在由第一物理地址指示的数据存储单元的存储区中写入对象数据，指示管理信息访问单元更新地址转换信息，以及 指示第一个访问单元更新第一个物理地址。 压缩单元提取压缩对象数据的物理地址，指示数据存取单元读取存储在由物理地址指示的数据存储单元的存储区域中的压缩对象数据，指示数据存取单元写入压缩对象数据 在由第二物理地址指示的数据存储单元的存储区域中，指示管理信息存取单元更新地址转换信息，并指示第二存取单元更新第二物理地址。

    Memory system and computer program product
    12.
    发明授权
    Memory system and computer program product 有权
    内存系统和计算机程序产品

    公开(公告)号：US08812774B2

    公开(公告)日：2014-08-19

    申请号：US13217461

    申请日：2011-08-25

    申请人： Shigehiro Asano ,  Shinichi Kanno ,  Kazuhiro Fukutomi ,  Akira Yamaga

    发明人： Shigehiro Asano ,  Shinichi Kanno ,  Kazuhiro Fukutomi ,  Akira Yamaga

    IPC分类号： G06F12/00

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/1068

    摘要： According to an embodiment, a memory system includes semiconductor memories each having a plurality of blocks; a first table; a receiving unit; a generating unit; a second table; and a writing unit. The first table includes a plurality of memory areas each associated with each block and in each of which defect information is stored. The generating unit generates a set of blocks by selecting one block to which data are to be written in each semiconductor memory based on an index number indicating one of a plurality of rows in the first table and the first table. In the second table, an index number and a channel number are stored for each logical block address in association with one another. When a write command is received by the receiving unit, the writing unit writes data to a block associated with a selected channel number among blocks constituting the set.

    摘要翻译： 根据一个实施例，存储器系统包括每个具有多个块的半导体存储器; 第一张桌子 接收单元; 发电机组; 第二个表 和书写单位。 第一表包括多个存储区，每个存储区与每个块相关联，并且每个存储区存储缺陷信息。 生成单元基于指示第一表和第一表中的多行的索引号，选择要在每个半导体存储器中写入数据的一个块来生成一组块。 在第二表中，对于每个逻辑块地址彼此相关联地存储索引号和通道号。 当接收单元接收到写入命令时，写入单元将数据写入与构成该组的块中的所选频道号相关联的块。

    Semiconductor memory device and controlling method
    13.
    发明授权
    Semiconductor memory device and controlling method 有权
    半导体存储器件及其控制方法

    公开(公告)号：US08612824B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13038804

    申请日：2011-03-02

    申请人： Kazumasa Yamamoto ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Hiroyuki Nagashima

    发明人： Kazumasa Yamamoto ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Hiroyuki Nagashima

    IPC分类号： H03M13/00 ,  G11C29/00

    CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/00 ,  G11C29/028

    摘要： A semiconductor memory device includes: plural semiconductor memory chips to store information depending on an amount of accumulated charge; plural parameter storage units provided in correspondence with the semiconductor memory chips, each parameter to store therein a parameter that defines an electrical characteristic of a signal used for writing information into or reading information from a corresponding one of the semiconductor memory chips; an error correction encoding unit configured to generate a first correction code capable of correcting an error in the information stored in a number of semiconductor memory chips no greater than a predetermined number out of the semiconductor memory chips, from the information stored in the semiconductor memory chips; and a parameter processing unit configured to change the parameters respectively corresponding to the number of semiconductor memory chips no greater than the predetermined number, and write the parameters changed into the parameter storage units, respectively.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括：多个半导体存储器芯片，用于根据累积电荷的量存储信息; 多个参数存储单元，与半导体存储器芯片对应地设置，每个参数用于存储定义用于将信息写入或从相应的一个半导体存储器芯片读取信息的信号的电特性的参数; 错误校正编码单元，被配置为从存储在半导体存储器芯片中的信息生成能够校正存储在半导体存储器芯片中的不大于预定数量的多个半导体存储器芯片中的信息中的误差的第一校正代码 ; 以及参数处理单元，被配置为分别对应于不大于预定数量的半导体存储器芯片的数量来分别改变参数，并将分别写入参数存储单元的参数进行写入。

    CONTROLLER, STORAGE APPARATUS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT
    14.
    发明申请
    CONTROLLER, STORAGE APPARATUS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT 有权
    控制器，存储设备和计算机程序产品

    公开(公告)号：US20120072811A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：US13035194

    申请日：2011-02-25

    申请人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

    发明人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

    IPC分类号： H03M13/09 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/108 ,  G06F2211/1059 ,  G06F2211/1073 ,  G06F2211/1092

    摘要： According to one embodiment, a controller controls writing into and reading from a storage apparatus that includes a first data-storage unit and a second data-storage unit. The second data-storage unit stores user data and parity data of the user data. The first data-storage unit stores the parity data. The controller includes a parity updating unit and a parity writing unit. When parity data is updated, the parity updating unit writes the updated parity data into the first data-storage unit. When a certain requirement is satisfied, the parity writing unit reads the parity data written in the first data-storage unit, and writes the parity data thus read into the second data-storage unit.

    摘要翻译： 根据一个实施例，控制器控制对包括第一数据存储单元和第二数据存储单元的存储装置的写入和读取。 第二数据存储单元存储用户数据和用户数据的奇偶校验数据。 第一数据存储单元存储奇偶校验数据。 控制器包括奇偶校验更新单元和奇偶校验写入单元。 当更新奇偶校验数据时，奇偶校验更新单元将更新的奇偶校验数据写入第一数据存储单元。 当满足特定要求时，奇偶写入单元读取写入第一数据存储单元中的奇偶校验数据，并将读出的奇偶校验数据写入第二数据存储单元。

    Storage control device, data recovery device, and storage system
    16.
    发明授权
    Storage control device, data recovery device, and storage system 有权
    存储控制装置，数据恢复装置和存储系统

    公开(公告)号：US07984325B2

    公开(公告)日：2011-07-19

    申请号：US12398608

    申请日：2009-03-05

    申请人： Kazuhiro Fukutomi ,  Hideaki Sato ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    发明人： Kazuhiro Fukutomi ,  Hideaki Sato ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G06F11/108 ,  G06F11/1068

    摘要： When data in one semiconductor memory device is corrupted during a padding process by a padding unit and the data cannot be recovered even by using an error correcting code for correcting a data error, a storage control device issues a data recovery request to a data recovery device. The data recovery device reads the data from other semiconductor memory device in response to the data recovery request to recover the data, and returns a recovery result to the padding unit in the storage control device to perform the padding process.

    摘要翻译： 当一个半导体存储器件中的数据在填补单元的填充处理期间被破坏时，即使通过使用用于校正数据错误的纠错码也不能恢复数据，存储控制装置向数据恢复装置发出数据恢复请求 。 数据恢复装置响应于数据恢复请求从其他半导体存储装置读取数据以恢复数据，并将恢复结果返回到存储控制装置中的填充单元以执行填充处理。

    SEMICONDUCTOR STORAGE
    18.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STORAGE 失效
    半导体存储

    公开(公告)号：US20100223531A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12713631

    申请日：2010-02-26

    申请人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hideaki Sato ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    发明人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hideaki Sato ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano

    IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F12/16 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/108 ,  G06F11/1052

    摘要： A semiconductor storage includes a receiver configured to receive a write request from a host device; a storage unit configured to hold redundancy data generation/non-generation information; a writing unit configured to write data in a semiconductor memory array and write redundancy data generation/non-generation information of the written data in the storage unit; a first data extracting unit configured to extract data whose redundancy data is not generated from among the data held by the semiconductor memory array; a first redundancy data generating unit configured to generate redundancy data; a first redundancy data writing unit configured to write the generated redundancy data in the semiconductor memory array; and a first redundancy data generation/non-generation information updating unit configured to update the redundancy data generation/non-generation information of the data whose redundancy data held by the storage unit is generated.

    摘要翻译： 半导体存储器包括被配置为从主机设备接收写请求的接收器; 存储单元，被配置为保存冗余数据生成/非生成信息; 写入单元，被配置为在半导体存储器阵列中写入数据，并将写入的数据的冗余数据生成/非生成信息写入存储单元中; 第一数据提取单元，被配置为从半导体存储器阵列保存的数据中提取不产生冗余数据的数据; 第一冗余数据生成单元，被配置为生成冗余数据; 第一冗余数据写入单元，被配置为将所生成的冗余数据写入所述半导体存储器阵列中; 以及第一冗余数据生成/非生成信息更新单元，被配置为更新由所述存储单元保持的冗余数据生成的数据的冗余数据生成/非生成信息。