公开(公告)号：US20090057653A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12051513

申请日：2008-03-19

申请人： Eun Kyung LEE ,  Byoung Lyong CHOI ,  Young KUK ,  Je Hyuk CHOI ,  Hun Huy JUNG

发明人： Eun Kyung LEE ,  Byoung Lyong CHOI ,  Young KUK ,  Je Hyuk CHOI ,  Hun Huy JUNG

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84

摘要： Methods for the site-selective growth of horizontal nanowires are provided. According to the methods, horizontal nanowires having a predetermined length and diameter can be grown site-selectively at desired sites in a direction parallel to a substrate to fabricate a device with high degree of integration. Further provided are nanowires grown by the methods and nanodevices comprising the nanowires.

摘要翻译： 提供了水平纳米线场地选择性生长的方法。 根据该方法，具有预定长度和直径的水平纳米线可以在平行于基板的方向上在所需位置选择性地生长，从而制造具有高集成度的装置。 还提供了通过包括纳米线的方法和纳米器件生长的纳米线。

公开(公告)号：US20110204321A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13099768

申请日：2011-05-03

申请人： Byoung Lyong CHOI ,  Jong Min KIM ,  Eun Kyung LEE

发明人： Byoung Lyong CHOI ,  Jong Min KIM ,  Eun Kyung LEE

IPC分类号： H01L29/06 ,  B32B3/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B29/60 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10T428/249994

摘要： Disclosed herein is a method for producing nanowires. The method comprises the steps of providing a porous template with a plurality of holes in the form of tubes, filling the tubes with nanoparticles or nanoparticle precursors, and forming the filled nanoparticles or nanoparticle precursors into nanowires. According to the method, highly rectilinear and well-ordered nanowires can be produced in a simple manner.

摘要翻译： 本文公开了一种生产纳米线的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有管形式的多个孔的多孔模板，用纳米颗粒或纳米颗粒前体填充管，并将填充的纳米颗粒或纳米颗粒前体形成纳米线。 根据该方法，可以以简单的方式制备高度直线和有序的纳米线。

公开(公告)号：US20100140584A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12708027

申请日：2010-02-18

申请人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

发明人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

摘要： Disclosed herein is a method for producing catalyst-free single crystal silicon nanowires. According to the method, nanowires can be produced in a simple and economical manner without the use of any metal catalyst. In addition, impurities contained in a metal catalyst can be prevented from being introduced into the nanowires, contributing to an improvement in the electrical and optical properties of the nanowires. Also disclosed herein are nanowires produced by the method and nanodevice comprising the nanowires.

摘要翻译： 本文公开了一种生产无催化剂的单晶硅纳米线的方法。 根据该方法，可以简单且经济地制造纳米线，而不使用任何金属催化剂。 此外，可以防止包含在金属催化剂中的杂质被引入纳米线中，有助于纳米线的电学和光学性质的改善。 本文还公开了通过包括纳米线的方法和纳米器件制备的纳米线。

公开(公告)号：US20090152527A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12128362

申请日：2008-05-28

申请人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

发明人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

摘要： Disclosed herein is a method for producing catalyst-free single crystal silicon nanowires. According to the method, nanowires can be produced in a simple and economical manner without the use of any metal catalyst. In addition, impurities contained in a metal catalyst can be prevented from being introduced into the nanowires, contributing to an improvement in the electrical and optical properties of the nanowires. Also disclosed herein are nanowires produced by the method and nanodevice comprising the nanowires.

摘要翻译： 本文公开了一种生产无催化剂的单晶硅纳米线的方法。 根据该方法，可以简单且经济地制造纳米线，而不使用任何金属催化剂。 此外，可以防止包含在金属催化剂中的杂质被引入纳米线中，有助于纳米线的电学和光学性质的改善。 本文还公开了通过包括纳米线的方法和纳米器件制备的纳米线。

公开(公告)号：US20100065809A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12350709

申请日：2009-01-08

申请人： Eun Kyung LEE ,  Byoung Lyong CHOI ,  Gyeong Su PARK ,  Jai Yong HAN

发明人： Eun Kyung LEE ,  Byoung Lyong CHOI ,  Gyeong Su PARK ,  Jai Yong HAN

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/113 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66 ,  H01L33/18

摘要： Disclosed herein is a nanowire including silicon rich oxide and a method for producing the same. The nanowire exhibits excellent electrically conducting properties and optical characteristics, and therefore is effectively used in a variety of applications including, for example, solar cells, sensors, photodetectors, light emitting diodes, laser diodes, EL devices, PL devices, CL devices, FETs, CTFs, surface plasmon waveguides, MOS capacitors and the like.

摘要翻译： 本文公开了包含富硅氧化物的纳米线及其制造方法。 纳米线表现出优异的导电性能和光学特性，因此有效地用于各种应用中，包括例如太阳能电池，传感器，光电探测器，发光二极管，激光二极管，EL器件，PL器件，CL器件，FET ，CTF，表面等离子体波导，MOS电容器等。

公开(公告)号：US20070138460A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11534710

申请日：2006-09-25

申请人： Jae Young CHOI ,  Byoung Lyong CHOI ,  Dong Kee YI ,  Kwang Soo SEOL ,  Seong Jae CHOI

发明人： Jae Young CHOI ,  Byoung Lyong CHOI ,  Dong Kee YI ,  Kwang Soo SEOL ,  Seong Jae CHOI

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/502 ,  H01L51/52

摘要： A three-dimensional light emitting device and a method for fabricating the light emitting device are provided. The light emitting device comprises a substrate and a semiconductor nanoparticle layer wherein the substrate is provided with a plurality of three-dimensional recesses and the surface having the recesses is coated with semiconductor nanoparticles. According to the three-dimensional light emitting device, the formation of the semiconductor nanoparticles on the surface of the recessed substrate increases the light emitting area and enhances the luminescence intensity, leading to an increase in the amount of light emitted from the light emitting device per unit area. Therefore, the three-dimensional light emitting device has the advantage of improved luminescence efficiency.

摘要翻译： 提供三维发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括衬底和半导体纳米颗粒层，其中衬底设置有多个三维凹槽，并且具有凹陷的表面涂覆有半导体纳米颗粒。 根据三维发光装置，在凹陷基板的表面上形成半导体纳米颗粒增加发光面积并增强发光强度，导致从发光装置发射的光量增加 单位面积 因此，三维发光装置具有提高发光效率的优点。