公开(公告)号：US09484462B2

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：US12766233

申请日：2010-04-23

申请人： Feng Yuan ,  Hung-Ming Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Chang-Yun Chang ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Hung-Ming Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Chang-Yun Chang ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/308 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

摘要： An exemplary structure for the fin field effect transistor comprises a substrate comprising a major surface; a plurality of fin structures protruding from the major surface of the substrate, wherein each fin structure comprises an upper portion and a lower portion separated at a transition location at where the sidewall of the fin structure is at an angle of 85 degrees to the major surface of the substrate, wherein the upper portion has sidewalls that are substantially perpendicular to the major surface of the substrate and a top surface having a first width, wherein the lower portion has tapered sidewalls on opposite sides of the upper portion and a base having a second width larger than the first width; and a plurality of isolation structures between the fin structures, wherein each isolation structure extends from the major surface of the substrate to a point above the transition location.

摘要翻译： 鳍状场效应晶体管的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 多个翅片结构，从所述基底的主表面突出，其中每个翅片结构包括在翅片结构的侧壁与主表面成85度角的过渡位置处分离的上部和下部 ，其中所述上部具有基本上垂直于所述基底的主表面的侧壁和具有第一宽度的顶表面，其中所述下部具有在所述上部的相对侧上的锥形侧壁和具有第二宽度的基部 宽度大于第一宽度; 以及在翅片结构之间的多个隔离结构，其中每个隔离结构从基板的主表面延伸到过渡位置上方的点。

公开(公告)号：US08847293B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13411304

申请日：2012-03-02

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Wei-Jen Lai

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Wei-Jen Lai

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device and method of fabricating thereof is described that includes a substrate having a fin with a top surface and a first and second lateral sidewall. A hard mask layer may be formed on the top surface of the fin (e.g., providing a dual-gate device). A gate dielectric layer and work function metal layer are formed on the first and second lateral sidewalls of the fin. A silicide layer is formed on the work function metal layer on the first and the second lateral sidewalls of the fin. The silicide layer may be a fully-silicided layer and may provide a stress to the channel region of the device disposed in the fin.

摘要翻译： 描述了一种半导体器件及其制造方法，其包括具有顶表面的翅片和第一和第二侧向侧壁的基板。 可以在翅片的顶表面上形成硬掩模层（例如，提供双栅极器件）。 栅极电介质层和功函数金属层形成在鳍的第一和第二侧壁上。 在翅片的第一和第二侧壁上的功函数金属层上形成硅化物层。 硅化物层可以是完全硅化的层，并且可以对设置在鳍中的器件的沟道区域提供应力。

公开(公告)号：US08623718B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20130078772A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13247570

申请日：2011-09-28

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Shao-Ming Yu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66803

摘要： In a method for forming FinFETs, a photo resist is formed to cover a first semiconductor fin in a wafer, wherein a second semiconductor fin adjacent to the first semiconductor fin is not covered by the photo resist. An edge of the photo resist between and parallel to the first and the second semiconductor fins is closer to the first semiconductor fin than to the second semiconductor fin. A tilt implantation is performed to form a lightly-doped source/drain region in the second semiconductor fin, wherein the first tilt implantation is tilted from the second semiconductor fin toward the first semiconductor fin.

摘要翻译： 在形成FinFET的方法中，形成光致抗蚀剂以覆盖晶片中的第一半导体鳍片，其中与第一半导体鳍片相邻的第二半导体鳍片不被光致抗蚀剂覆盖。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间的平行于第一和第二半导体鳍片的光刻胶的边缘比第二半导体鳍片更靠近第一半导体鳍片。 进行倾斜注入以在第二半导体鳍片中形成轻掺杂的源极/漏极区域，其中第一倾斜注入从第二半导体鳍片向第一半导体鳍片倾斜。

公开(公告)号：US20130075818A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13243723

申请日：2011-09-23

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary semiconductor device includes a substrate and a 3D structure disposed over the substrate. The semiconductor device further includes a dielectric layer disposed over the 3D structure, a WFMG layer disposed over the dielectric layer, and a gate structure disposed over the WFMG layer. The gate structure traverses the 3D structure and separates a source region and a drain region of the 3D structure. The source and drain region define a channel region therebetween. The gate structure induces a stress in the channel region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件的半导体器件和方法。 示例性的半导体器件包括衬底和设置在衬底上的3D结构。 半导体器件还包括设置在3D结构上的电介质层，设置在电介质层上的WFMG层，以及设置在WFMG层上的栅极结构。 栅极结构横穿3D结构并分离3D结构的源极区域和漏极区域。 源极和漏极区域在其间限定沟道区域。 栅极结构在沟道区域中引起应力。

公开(公告)号：US20110133292A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12843595

申请日：2010-07-26

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Chih Chieh Yeh ,  Chang-Yun Chang ,  Feng Yuan

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Chih Chieh Yeh ,  Chang-Yun Chang ,  Feng Yuan

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate, and a FinFET over the semiconductor substrate. The FinFET includes a semiconductor fin; a gate dielectric on a top surface and sidewalls of the semiconductor fin; a gate electrode on the gate dielectric; and a source/drain region at an end of the semiconductor fin. A first pair of shallow trench isolation (STI) regions includes portions directly underlying portions of the source/drain regions, wherein the first pair of STI regions is separated by, and adjoining a semiconductor strip. The first pair of STI regions further has first top surfaces. A second pair of STI regions comprises portions directly underlying the gate electrode, wherein the second pair of STI regions is separated from each other by, and adjoining, the semiconductor strip. The second pair of STI regions has second top surfaces higher than the first top surfaces.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底和半导体衬底上的FinFET。 FinFET包括半导体鳍片; 顶表面上的栅极电介质和半导体鳍片的侧壁; 栅电极上的栅电极; 以及在半导体鳍片的端部处的源极/漏极区域。 第一对浅沟槽隔离（STI）区域包括直接在源极/漏极区域的下方部分的部分，其中第一对STI区域被分隔开并邻接半导体条带。 第一对STI区域还具有第一顶面。 第二对STI区域包括直接位于栅极电极下方的部分，其中第二对STI区域彼此分离并邻接半导体条带。 第二对STI区域具有高于第一顶表面的第二顶表面。

公开(公告)号：US20110097889A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12843693

申请日：2010-07-26

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： A method of forming an integrated circuit structure includes providing a semiconductor substrate including a top surface; forming a first insulation region and a second insulation region in the semiconductor substrate; and recessing the first insulation region and the second insulation region. Top surfaces of remaining portions of the first insulation region and the second insulation region are flat surfaces or divot surfaces. A portion of the semiconductor substrate between and adjoining removed portions of the first insulation region and the second insulation region forms a fin.

摘要翻译： 形成集成电路结构的方法包括提供包括顶表面的半导体衬底; 在所述半导体衬底中形成第一绝缘区域和第二绝缘区域; 并使第一绝缘区域和第二绝缘区域凹陷。 第一绝缘区域和第二绝缘区域的剩余部分的顶表面是平坦表面或表面。 第一绝缘区域和第二绝缘区域的相邻去除部分之间的半导体衬底的一部分形成翅片。

公开(公告)号：US08445340B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12622038

申请日：2009-11-19

申请人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh

发明人： Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan ,  Chih Chieh Yeh

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary embodiment of the method includes providing a substrate; forming a fin structure over the substrate; forming a gate structure, wherein the gate structure overlies a portion of the fin structure; forming a sacrificial-offset-protection layer over another portion of the fin structure; and thereafter performing an implantation process.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法。 该方法的示例性实施例包括提供衬底; 在衬底上形成翅片结构; 形成栅极结构，其中所述栅极结构覆盖所述翅片结构的一部分; 在翅片结构的另一部分上形成牺牲偏移保护层; 然后进行植入处理。

公开(公告)号：US20120091511A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12907272

申请日：2010-10-19

申请人： Hsin-Chih Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan

发明人： Hsin-Chih Chen ,  Tsung-Lin Lee ,  Feng Yuan

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides a method includes forming a multi-fin device. The method includes forming a patterned mask layer on a semiconductor substrate. The patterned mask layer includes a first opening having a first width W1 and a second opening having a second width W2 less than the first width. The patterned mask layer defines a multi-fin device region and an inter-device region, wherein the inter-device region is aligned with the first opening; and the multi-fin device region includes at least one intra-device region being aligned with the second opening. The method further includes forming a material layer on the semiconductor substrate and the patterned mask layer, wherein the material layer substantially fills in the second opening; performing a first etching process self-aligned to remove the material layer within the first opening such that the semiconductor substrate within the first opening is exposed; performing a second etching process to etch the semiconductor substrate within the first opening, forming a first trench in the inter-device region; and thereafter performing a third etching process to remove the material layer in the second opening.

摘要翻译： 本公开提供了一种包括形成多翅片装置的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成图案化掩模层。 图案化掩模层包括具有第一宽度W1的第一开口和具有小于第一宽度的第二宽度W2的第二开口。 图案化掩模层限定多鳍器件区域和器件间区域，其中器件间区域与第一开口对准; 并且所述多鳍片器件区域包括与所述第二开口对准的至少一个器件内区域。 该方法还包括在半导体衬底和图案化掩模层上形成材料层，其中材料层基本上填充在第二开口中; 执行自对准的第一蚀刻工艺以去除第一开口内的材料层，使得第一开口内的半导体衬底被暴露; 执行第二蚀刻工艺以在所述第一开口内蚀刻所述半导体衬底，在所述器件间区域中形成第一沟槽; 然后执行第三蚀刻处理以去除第二开口中的材料层。

公开(公告)号：US20110084340A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12612442

申请日：2009-11-04

申请人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

发明人： Feng Yuan ,  Tsung-Lin Lee ,  Hung-Ming Chen ,  Chang-Yun Chang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/0203 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate; two insulation regions over the substrate, with one of the two insulation regions including a void therein; and a first semiconductor strip between and adjoining the two insulation regions. The first semiconductor strip includes a top portion forming a fin over top surfaces of the two insulation regions.

摘要翻译： 集成电路结构包括：基板; 两个绝缘区域在衬底上，两个绝缘区域中的一个在其中包括空隙; 以及在所述两个绝缘区域之间并邻接所述两个绝缘区域的第一半导体条带。 第一半导体条包括在两个绝缘区域的顶表面上形成翅片的顶部部分。