公开(公告)号：US20150115318A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14584732

申请日：2014-12-29

Applicant: Seoul Viosys Co., Ltd.

Inventor： Ki Yon PARK ,  Hwa Mok KIM ,  Kyu Ho LEE ,  Sung Hyun LEE ,  Hyung Kyu KIM

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/11

CPC classification number: H01L31/03048 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/108 ,  H01L31/11 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544

Abstract: An ultraviolet (UV) photo-detecting device, including: a first nitride layer; a secondary light absorption layer disposed on the first nitride layer; a primary light absorption layer disposed on the secondary light absorption layer; and a Schottky junction layer disposed on the primary light absorption layer. The secondary light absorption layer includes a nitride layer having lower band-gap energy than the primary light absorption layer.

Abstract translation: 一种紫外线（UV）光检测装置，包括：第一氮化物层; 设置在所述第一氮化物层上的次级光吸收层; 设置在次光吸收层上的初级光吸收层; 以及设置在初级光吸收层上的肖特基结层。 二次光吸收层包括具有比初级光吸收层低的带隙能量的氮化物层。

公开(公告)号：US20140197454A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US14154460

申请日：2014-01-14

Applicant: Seoul Viosys Co., Ltd.

Inventor： Ki Yon PARK ,  Chang Suk HAN ,  Hwa Mok KIM ,  Hyo Shik CHOI ,  Daewoong SUH

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/109 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/07 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1848 ,  Y02E10/544

Abstract: TA photo detection device, including a substrate, a band-pass filter layer formed over the substrate, a light absorption layer formed over the band-pass filter layer, a Schottky layer formed on a portion of the light absorption layer, a first electrode layer formed on a portion of the Schottky layer, and a second electrode layer formed on the light absorption layer and spaced apart from the Schottky layer.

Abstract translation: TA光检测装置，包括基板，在基板上形成的带通滤波器层，形成在带通滤波器层上的光吸收层，形成在光吸收层的一部分上的肖特基层，第一电极层 形成在肖特基层的一部分上，以及形成在光吸收层上并与肖特基层间隔开的第二电极层。

公开(公告)号：US20140183548A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14140054

申请日：2013-12-24

Applicant: SEOUL VIOSYS CO., LTD.

Inventor： Ki Yon PARK ,  Hwa Mok KIM ,  Young Hwan SON ,  Daewoong SUH

IPC: H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/03048 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1848 ,  Y02E10/544

Abstract: A light detection device includes a substrate, a buffer layer disposed on the substrate, a first band gap change layer disposed on a portion of the buffer layer, a light absorption layer disposed on the first band gap change layer, a Schottky layer disposed on a portion of the light absorption layer, and a first electrode layer disposed on a portion of the Schottky layer.

Abstract translation: 光检测装置包括衬底，设置在衬底上的缓冲层，设置在缓冲层的一部分上的第一带隙变化层，设置在第一带隙变化层上的光吸收层，设置在第一带隙变化层上的肖特基层 部分光吸收层，以及设置在肖特基层的一部分上的第一电极层。

公开(公告)号：US20140167086A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US14105919

申请日：2013-12-13

Applicant: SEOUL VIOSYS CO., LTD.

Inventor： Jong Min JANG ,  Kyu-Ho LEE ,  Chang Suk HAN ,  Hwa Mok KIM ,  Daewoong SUH ,  Chi Hyun IN ,  Jong Hyeon CHAE

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: An epitaxial wafer having a void for separation of a substrate and a semiconductor device fabricated using the same. The epitaxial wafer includes a substrate, a mask pattern disposed on the substrate and comprising a masking region and an opening region, and an epitaxial layer covering the mask pattern. The epitaxial layer includes a void disposed on the masking region.The epitaxial layer can be separated from the growth substrate by applying chemical lift-off or stress lift-off, at the void.

Abstract translation: 具有用于分离衬底的空隙的外延晶片和使用其制造的半导体器件。 外延晶片包括衬底，设置在衬底上并包括掩模区域和开口区域的掩模图案以及覆盖掩模图案的外延层。 外延层包括设置在掩蔽区域上的空隙。 通过在空隙处施加化学剥离或应力剥离，外延层可以与生长衬底分离。