公开(公告)号：US5296405A

公开(公告)日：1994-03-22

申请号：US933718

申请日：1992-08-24

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama ,  Takashi Inujima ,  Masayoshi Abe ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Kaoru Koyanagi

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama ,  Takashi Inujima ,  Masayoshi Abe ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Kaoru Koyanagi

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L31/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/061 ,  Y10S148/09 ,  Y10S148/093

摘要： An improved semiconductor processing is disclosed. In the manufacturing process, a semiconductor layer is formed and then undergoes photo annealing. A neutralizer is then introduced to the photoannealed semiconductor. The semiconductor thus formed demonstrates the SEL effect instead of the Staebler-Wronski effect.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体处理。 在制造过程中，形成半导体层，然后进行光退火。 然后将中和剂引入到光电导半导体中。 这样形成的半导体表现出SEL效应而不是Staebler-Wronski效应。

公开(公告)号：US4970368A

公开(公告)日：1990-11-13

申请号：US333912

申请日：1989-04-06

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kenji Itoh ,  Susumu Nagayama

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kenji Itoh ,  Susumu Nagayama

IPC分类号： B41M5/26 ,  H01L21/302 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H05K3/02

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L21/302 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H05K3/027 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/94

摘要： In a method of making an electronic device having at least a transparent conductive layer, which includes at least a step of forming a transparent conductive layer member and a step of forming a transparent conductive layer by patterning the transparent conductive layer member using a spot-shaped or linear laser beam or beams, each of which has a short wavelength of 400 nm or less and optical energy greater than the optical energy band gap of the transparent conductive layer.

公开(公告)号：US4826711A

公开(公告)日：1989-05-02

申请号：US895028

申请日：1986-08-08

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/324

摘要： An improved semiconductor processing is disclosed. In the manufacturing process, fluorine gas is introduced just after formation of semiconductor layer in a reaction. The semiconductor thus formed demonstrates SEL effect in place of Staebler-Wronski effect.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体处理。 在制造过程中，在反应中形成半导体层之后引入氟气。 这样形成的半导体表现出SEL效应代替Staebler-Wronski效应。

公开(公告)号：US4812415A

公开(公告)日：1989-03-14

申请号：US82115

申请日：1987-08-06

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29 ,  Y10S438/94

摘要： An improved semiconductor device is disclosed which is free from current leakage due to pin-holes or other gaps. Also an improved method for processing a semiconductor device is shown. According to the invention, gaps produced during the fabricating process of the semiconductor layer are filled with insulator in advance of deposition of electrodes. By virtue of this configuration, short current paths do not result when electrodes are provided on the semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体器件，其由于针孔或其它间隙而没有电流泄漏。 还示出了用于处理半导体器件的改进方法。 根据本发明，在电极沉积之前，半导体层的制造过程中产生的间隙被绝缘体填充。 由于这种结构，当在半导体层上设置电极时，不会产生短路电流。

公开(公告)号：US20070192707A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11706205

申请日：2007-02-15

申请人： Hideaki Maeda ,  Shinya Nakamura ,  Susumu Nagayama

发明人： Hideaki Maeda ,  Shinya Nakamura ,  Susumu Nagayama

IPC分类号： G06F3/00

CPC分类号： G05B19/409

摘要： A numerical controller in which similar icons are created without applying major load onto a memory. Among icon definition data displayed in areas F1 . . . , G1 . . . , H1 . . . , on frames A, B and C, the data that can be expressed by conversions, such as rotation, horizontal mirror image, vertical mirror image, horizontal-and-vertical mirror image, magnification/contraction retaining horizontal/vertical ratio, magnification/contraction varying horizontal/vertical ratio, black/white reversal, display in red, blue, yellow and green, with respect to one parent icon, are substituted with data indicating the conversion contents. It is possible to display many icons with a small storage capacity. The definition data of each icon can be previously written in a ROM and copied to a RAM when the power is turned on to be used for display.

摘要翻译： 数字控制器，其中创建相似的图标而不对存储器施加主要负载。 在区域F 1中显示的图标定义数据中。 。 。 ，G 1。 。 。 ，H 1。 。 。 在帧A，B和C上，可以通过转换表示的数据，如旋转，水平镜像，垂直镜像，水平和垂直镜像，放大/缩小保持水平/垂直比，放大/缩小 变化的水平/垂直比率，黑/白反转，相对于一个父图标的红色，蓝色，黄色和绿色的显示被用指示转换内容的数据代替。 可以显示许多具有小存储容量的图标。 每个图标的定义数据可以预先写入ROM中，并在电源打开时复制到RAM中以用于显示。

公开(公告)号：US5171710A

公开(公告)日：1992-12-15

申请号：US520998

申请日：1990-05-09

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama ,  Takashi Inujima ,  Masayoshi Abe ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Kaoru Koyanagi

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Susumu Nagayama ,  Takashi Inujima ,  Masayoshi Abe ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Kaoru Koyanagi

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/061 ,  Y10S148/09 ,  Y10S148/093

摘要： An improved semiconductor processing is disclosed. In the manufacturing process, a semiconductor layer is formed and then undergoes photo annealing. A neutralizer is then introduced to the photoannealed semiconductor. The semiconductor thus formed demonstrates the SEL effect instead of the Staebler-Wronski effect.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体处理。 在制造过程中，形成半导体层，然后进行光退火。 然后将中和剂引入到光电导半导体中。 这样形成的半导体表现出SEL效应而不是Staebler-Wronski效应。

公开(公告)号：US4970369A

公开(公告)日：1990-11-13

申请号：US333911

申请日：1989-04-06

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kenji Itoh ,  Susumu Nagayama

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kenji Itoh ,  Susumu Nagayama

IPC分类号： B41M5/26 ,  H01L21/302 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H05K3/02

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L21/302 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H05K3/027 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/94

摘要： In a method of making an electronic device having at least a transparent conductive layer, which includes at least a step of forming a transparent conductive layer member and a step of forming a transparent conductive layer by patterning the transparent conductive layer member using a spot-shaped or linear laser beam or beams, each of which has a short wavelength of 400 nm or less and optical energy greater than the optical energy band gap of the transparent conductive layer.

公开(公告)号：US4847669A

公开(公告)日：1989-07-11

申请号：US942702

申请日：1986-12-17

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Masayoshi Abe ,  Susumu Nagayama ,  Kunio Suzuki ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Masayoshi Abe ,  Susumu Nagayama ,  Kunio Suzuki ,  Takeshi Fukada ,  Mikio Kinka ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L25/04 ,  H01L27/142 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/043 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/548

摘要： An improved tandem photoelectric conversion device is shown. The device comprises at least two photoelectric conversion semiconductor assemblies. The assembly located behind the other has higher crystallinity then the other, so that light with a long wavelength passing through the front assembly be converted into electricity at the back assembly. In the device, an intrinsic semiconductor layer is formed by an ECR CVD system.

摘要翻译： 示出了改进的串联光电转换装置。 该装置包括至少两个光电转换半导体组件。 位于另一个后面的组件具有更高的结晶度，然后另一个，使得通过前组件的长波长的光在后组件处被转换成电。 在器件中，本征半导体层由ECR CVD系统形成。

公开(公告)号：US4786607A

公开(公告)日：1988-11-22

申请号：US92943

申请日：1987-09-04

申请人： Shumpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

发明人： Shumpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/046 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

摘要： An improved semiconductor device is disclosed which is free from current leakage due to pin-holes or other gaps. Also an improved method for processsing a semiconductor device is shown. According to the invention, gaps produced in fabricating process of the semiconductor layer are filled with insulator in advance of deposition of electrodes.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体器件，其由于针孔或其它间隙而没有电流泄漏。 还示出了用于处理半导体器件的改进方法。 根据本发明，在电极沉积之前，在半导体层的制造工艺中产生的间隙被填充绝缘体。

公开(公告)号：US4725558A

公开(公告)日：1988-02-16

申请号：US927501

申请日：1986-11-06

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kunio Suzuki ,  Mikio Kinka ,  Takeshi Fukada ,  Masayoshi Abe ,  Ippei Kobayashi ,  Katsuhiko Shibata ,  Masato Susukida ,  Susumu Nagayama ,  Kaoru Koyanagi

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

摘要： An improved semiconductor defects curing method and apparatus are disclosed which is free from current leakage due to pin-holes or other defects. Also an improved method for processing a semiconductor device is shown. According to the invention, the gaps or holes in the semiconductor layer produced in the fabrication process are filled with insulator in advance of deposition of electrodes.

摘要翻译： 公开了一种改进的半导体缺陷固化方法和装置，其由于针孔或其它缺陷而没有电流泄漏。 还示出了用于处理半导体器件的改进方法。 根据本发明，在制造工艺中生产的半导体层中的间隙或孔在电极沉积之前被填充绝缘体。