公开(公告)号：US20070103083A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11467439

申请日：2006-08-25

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J61/12 ,  H01J17/20

CPC分类号： H01J61/0737 ,  H01J61/0675 ,  H01J2201/308

摘要： A discharge light-emitting device includes an outer envelope filled with discharge gas and a pair of electrodes contained in the outer envelope is provided. At least one of the electrodes includes an electrically conductive substrate, an n-type semiconductor layer provided on the substrate, and a p-type diamond layer provided on the n-type semiconductor layer.

摘要翻译： 放电发光装置包括填充有放电气体的外封套和包含在外封套中的一对电极。 至少一个电极包括导电衬底，设置在衬底上的n型半导体层和设置在n型半导体层上的p型金刚石层。

公开(公告)号：US06753488B2

公开(公告)日：2004-06-22

申请号：US10661660

申请日：2003-09-15

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01H5700

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H1/027 ,  H01H1/10 ,  H01H2001/0089

摘要： Fine holes each having a diameter of scores of nanometers are formed in each of diamond thin films at an interval equal to the diameter of the fine hole, and metal electrodes each having a low resistivity are buried in the fine holes, and the distance between metal electrodes and the diamond thin films through which flows an electric current is set at an order of scores of nanometers so as to markedly lower the on-resistance. As a result, provided is a microswitch having a low on-resistance and utilizing the high reliability inherent in diamond.

摘要翻译： 在金刚石薄膜的每一个中，以与微孔直径相等的间隔形成各具有纳米级分的细孔，并且每个具有低电阻率的金属电极都埋在细孔中，金属间的距离 电极和通过其流过电流的金刚石薄膜设定为几十纳米的数量级，以便显着降低导通电阻。 结果，提供了具有低导通电阻并且利用金刚石固有的高可靠性的微动开关。

公开(公告)号：US20080074026A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11846929

申请日：2007-08-29

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/025

摘要： A field emission electron source includes a substrate. A wiring layer is formed on the substrate, and an insulation layer is formed over the wiring layer. In the insulation layer, a plurality of through holes are provided, and conductive via plugs are disposed in the through holes. A diamond layer is formed to cover tops of the insulation layer and the conductive via plugs.

摘要翻译： 场发射电子源包括衬底。 在基板上形成布线层，在布线层上形成绝缘层。 在绝缘层中，设置有多个通孔，并且在通孔中设置导电通孔。 形成金刚石层以覆盖绝缘层和导电通孔塞的顶部。

公开(公告)号：US07034447B2

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：US10657197

申请日：2003-09-09

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J63/04

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J61/06

摘要： A discharge lamp having an enclosure in which a discharging gas is sealed, and a pair of electron-emitting members sealed in the enclosure and between which a voltage is applied. Each electron-emitting member has, at its surface, a plurality of conductive micro-tips and an electron-emitting film which supports the plurality of conductive micro-tips and is made of a material whose secondary emission efficiency is higher than that of the material for the conductive micro-tips with respect to the discharging gas.

摘要翻译： 一种放电灯，其具有密封放电气体的外壳，以及密封在外壳中并在其间施加电压的一对电子发射元件。 每个电子发射构件在其表面上具有多个导电微尖端和支撑多个导电微尖端的电子发射膜，并且其二次发射效率高于材料的二次发射效率的材料 用于相对于放电气体的导电微尖端。

公开(公告)号：US20050062392A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10899153

申请日：2004-07-27

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

IPC分类号： C30B29/04 ,  H01J1/05 ,  H01J1/15 ,  H01J9/04 ,  H01J31/15 ,  H01J61/06 ,  H01J61/067 ,  H01J61/073

CPC分类号： H01J9/042 ,  H01J1/15 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

摘要： A discharge electrode emitting electrons into a discharge gas, encompasses an emitter and current supply terminals configured to supply electric current to the emitter. The emitter embraces a wide bandgap semiconductor having at 300 K a bandgap of 2.2 eV or wider. Acceptor impurity atoms and donor impurity atoms being doped in the wide bandgap semiconductor, the activation energy of the donor impurity atoms being larger than the activation energy of the acceptor impurity atoms.

摘要翻译： 将电子发射到放电气体中的放电电极包括被配置为向发射极提供电流的发射极和电流源端子。 发射极包含宽度为300K的宽带隙半导体，其带隙为2.2eV或更宽。 受主杂质原子和施主杂质原子被掺杂在宽带隙半导体中，施主杂质原子的活化能大于受主杂质原子的活化能。

公开(公告)号：US06323831B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09153086

申请日：1998-09-15

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Kazuya Nakayama

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Kazuya Nakayama

IPC分类号： G09G322

CPC分类号： H01J3/022 ,  H01J7/44 ,  H01J19/78

摘要： An electron emitting comprising an emitter electrode for emitting electrons when applied with an electric field, a gate electrode for extracting the electrons emitted from the emitter electrode, when applied with a voltage from a signal source, the voltage being positive with respect to the emitter electrode, an anode electrode connected to a load, for collecting the electrons extracted by the gate electrode, and for passing an anode current, and a gate resistor connected between the signal source and the gate electrode, for reducing a gate current flowing in the gate electrode, without changing an anode current flowing in the anode, and for lowering a gate voltage by utilizing a voltage drop cause by the gate current.

摘要翻译： 一种电子发射器，包括用于在施加电场时发射电子的发射极电极，用于从发射极发射的电子提取的栅电极，当施加来自信号源的电压时，该电压相对于发射电极为正 连接到负载的阳极，用于收集由栅电极提取的电子和用于通过阳极电流，以及连接在信号源和栅电极之间的栅极电阻，用于减少在栅电极中流动的栅极电流 ，而不改变在阳极中流动的阳极电流，并且通过利用由栅极电流引起的电压降降低栅极电压。

公开(公告)号：US07846766B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11674354

申请日：2007-02-13

申请人： Hiroaki Yoshida ,  Isamu Yanase ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai

发明人： Hiroaki Yoshida ,  Isamu Yanase ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

摘要： A diamond film formation method includes forming, in a composite of a metal material and a semiconductor material, diamond nuclei on a surface of the metal material at a temperature below 650° C. in a first mixed gas containing at least carbon and hydrogen, and growing the diamond nuclei formed in the composite at a temperature below 750° C. in a second mixed gas containing at least carbon and hydrogen to form a diamond film.

摘要翻译： 金刚石膜的形成方法包括在金属材料和半导体材料的复合物中，在低于650℃的温度下，在至少含有碳和氢的第一混合气体中，在金属材料的表面上形成金刚石核，以及 在低于750℃的温度下在包含至少碳和氢的第二混合气体中生长在复合材料中形成的金刚石核，以形成金刚石膜。

公开(公告)号：US07605527B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11140222

申请日：2005-05-31

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J61/04

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

摘要： A discharge lamp encompassing a sealed-off tube filled with a discharge gas and a discharge electrode provided in the sealed-off tube. The discharge electrode embraces a supporting base and an electron-emitting layer formed of a wide bandgap semiconductor and provided on the supporting base, implemented by a plurality of protrusions, at least part of surfaces of the protrusions are unseen from a perpendicular direction to thereof above a top surface of the electron-emitting layer, dangling bonds of the wide bandgap semiconductor at the surfaces are terminated with hydrogen atoms.

摘要翻译： 一种放电灯，包括填充有放电气体的封闭管和设置在密封管中的放电电极。 放电电极包括支撑基底和由宽带隙半导体形成的电子发射层，并且设置在由多个突起构成的支撑基底上，突起的至少一部分表面从其上方的垂直方向看不见 电子发射层的顶表面，表面处的宽带隙半导体的悬挂键被氢原子终止。

公开(公告)号：US20080203885A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11851095

申请日：2007-09-06

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J1/16

CPC分类号： H01J1/16

摘要： A thermal-electron source includes a substrate; and a thermionic cathode having conductivity, and being provided on the substrate, and including a plurality of microscopic pores on a surface of the thermionic cathode.

摘要翻译： 热电子源包括基板; 和具有导电性的热离子阴极，并且设置在基板上，并且在热离子阴极的表面上包括多个微孔。

公开(公告)号：US07348718B2

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US10899153

申请日：2004-07-27

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

IPC分类号： H01J1/13 ,  H01J1/14

CPC分类号： H01J9/042 ,  H01J1/15 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

摘要： A discharge electrode emitting electrons into a discharge gas, encompasses an emitter and current supply terminals configured to supply electric current to the emitter. The emitter embraces a wide bandgap semiconductor having at 300 K a bandgap of 2.2 eV or wider. Acceptor impurity atoms and donor impurity atoms being doped in the wide bandgap semiconductor, the activation energy of the donor impurity atoms being larger than the activation energy of the acceptor impurity atoms.

摘要翻译： 将电子发射到放电气体中的放电电极包括被配置为向发射极提供电流的发射极和电流源端子。 发射极包含宽度为300K的宽带隙半导体，其带隙为2.2eV或更宽。 受主杂质原子和施主杂质原子被掺杂在宽带隙半导体中，施主杂质原子的活化能大于受主杂质原子的活化能。