公开(公告)号：US20080074026A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11846929

申请日：2007-08-29

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/025

摘要： A field emission electron source includes a substrate. A wiring layer is formed on the substrate, and an insulation layer is formed over the wiring layer. In the insulation layer, a plurality of through holes are provided, and conductive via plugs are disposed in the through holes. A diamond layer is formed to cover tops of the insulation layer and the conductive via plugs.

摘要翻译： 场发射电子源包括衬底。 在基板上形成布线层，在布线层上形成绝缘层。 在绝缘层中，设置有多个通孔，并且在通孔中设置导电通孔。 形成金刚石层以覆盖绝缘层和导电通孔塞的顶部。

公开(公告)号：US20050062392A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10899153

申请日：2004-07-27

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

IPC分类号： C30B29/04 ,  H01J1/05 ,  H01J1/15 ,  H01J9/04 ,  H01J31/15 ,  H01J61/06 ,  H01J61/067 ,  H01J61/073

CPC分类号： H01J9/042 ,  H01J1/15 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

摘要： A discharge electrode emitting electrons into a discharge gas, encompasses an emitter and current supply terminals configured to supply electric current to the emitter. The emitter embraces a wide bandgap semiconductor having at 300 K a bandgap of 2.2 eV or wider. Acceptor impurity atoms and donor impurity atoms being doped in the wide bandgap semiconductor, the activation energy of the donor impurity atoms being larger than the activation energy of the acceptor impurity atoms.

摘要翻译： 将电子发射到放电气体中的放电电极包括被配置为向发射极提供电流的发射极和电流源端子。 发射极包含宽度为300K的宽带隙半导体，其带隙为2.2eV或更宽。 受主杂质原子和施主杂质原子被掺杂在宽带隙半导体中，施主杂质原子的活化能大于受主杂质原子的活化能。

公开(公告)号：US07642542B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11531577

申请日：2006-09-13

申请人： Mariko Suzuki ,  Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida

发明人： Mariko Suzuki ,  Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58

摘要： A semiconductor light-emitting device includes: a first semiconductor layer; a light-emitting layer being disposed on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer being disposed on the light-emitting layer, and metal electrodes connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The light-emitting layer is lower in refractive index than the first semiconductor layer. The second semiconductor layer is lower in refractive index than the light-emitting layer. The metal electrodes supply a current to the light-emitting layer.

摘要翻译： 一种半导体发光器件包括：第一半导体层; 发光层设置在所述第一半导体层上; 设置在发光层上的第二半导体层和连接到第一半导体层和第二半导体层的金属电极。 发光层的折射率低于第一半导体层。 第二半导体层的折射率低于发光层。 金属电极向发光层提供电流。

公开(公告)号：US07528535B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11075883

申请日：2005-03-10

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Hiroaki Yoshida

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01J1/32 ,  H01J9/247 ,  H01J65/046

摘要： A cold cathode discharge lamp includes: a transparent hollow housing; a fluorescent film formed on inner surfaces of the hollow housing; a pair of cold cathodes that are located in the hollow housing; and a discharge gas that contains hydrogen gas sealed within the hollow housing. Each of the cold cathodes includes: a supporting body that has conductivity; an insulating diamond film formed on the supporting body; and an insulating layer that insulates the supporting body from the insulating diamond film.

摘要翻译： 冷阴极放电灯包括：透明中空壳体; 形成在中空壳体的内表面上的荧光膜; 位于中空壳体中的一对冷阴极; 以及包含密封在中空壳体内的氢气的放电气体。 每个冷阴极包括：具有导电性的支撑体; 形成在所述支撑体上的绝缘金刚石膜; 以及将支撑体与绝缘金刚石膜绝缘的绝缘层。

公开(公告)号：US20070046170A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11366468

申请日：2006-03-03

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01J61/0672 ,  H01J9/022 ,  H01J61/0675 ,  H01J61/72

摘要： A cold cathode for a discharge lamp includes a metal plate that has bending portions; a diamond film that is formed on a face of the metal plate, except for the bending portions; and a metal member that is mounted on the metal plate.

摘要翻译： 用于放电灯的冷阴极包括具有弯曲部分的金属板; 形成在所述金属板的除了所述弯曲部之外的表面上的金刚石膜; 以及安装在金属板上的金属构件。

公开(公告)号：US20070029935A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11495731

申请日：2006-07-31

申请人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tadashi Sakai ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J17/02

CPC分类号： H01J21/04 ,  H01J3/021

摘要： The electron emission device includes a first electrode; a semiconductor barrier that has a first face disposed to face the first electrode and a second face which is opposite face of the first face, and is formed with a wide bandgap semiconductor; an insulating material that forms a space sealed between the first electrode and the semiconductor barrier; an inert gas that is encapsulated in the space; a second electrode that is disposed to face a second face of the semiconductor barrier interposing vacuum therebetween; a first voltage applying unit that applies a voltage between the first electrode and the semiconductor barrier; and a second voltage applying unit that applies a voltage between the semiconductor barrier and the second electrode.

摘要翻译： 电子发射装置包括第一电极; 具有面对第一电极的第一面和与第一面相对的第二面的半导体势垒，形成有宽带隙半导体; 形成密封在第一电极和半导体势垒之间的空间的绝缘材料; 封闭在空间中的惰性气体; 第二电极，被设置为面对介于其间的真空的半导体势垒的第二面; 第一电压施加单元，其在所述第一电极和所述半导体势垒之间施加电压; 以及在半导体阻挡层和第二电极之间施加电压的第二施加电压单元。

公开(公告)号：US20070218660A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11674354

申请日：2007-02-13

申请人： Hiroaki Yoshida ,  Isamu Yanase ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai

发明人： Hiroaki Yoshida ,  Isamu Yanase ,  Tomio Ono ,  Naoshi Sakuma ,  Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

摘要： A diamond film formation method includes forming, in a composite of a metal material and a semiconductor material, diamond nuclei on a surface of the metal material at a temperature below 650° C. in a first mixed gas containing at least carbon and hydrogen, and growing the diamond nuclei formed in the composite at a temperature below 750° C. in a second mixed gas containing at least carbon and hydrogen to form a diamond film.

摘要翻译： 金刚石膜的形成方法包括在金属材料和半导体材料的复合物中，在低于650℃的温度下，在至少含有碳和氢的第一混合气体中，在金属材料的表面上形成金刚石核，以及 在低于750℃的温度下在包含至少碳和氢的第二混合气体中生长在复合材料中形成的金刚石核，以形成金刚石膜。

公开(公告)号：US20070216024A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11534355

申请日：2006-09-22

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A heat sink includes a base portion formed of insulating diamond, and a plurality of pressure contacting members formed of the insulating diamond and arranged on the base portion

摘要翻译： 散热器包括由绝缘金刚石形成的基部和由绝缘金刚石形成并且布置在基部上的多个压力接触部件

公开(公告)号：US20070103083A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11467439

申请日：2006-08-25

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01J61/12 ,  H01J17/20

CPC分类号： H01J61/0737 ,  H01J61/0675 ,  H01J2201/308

摘要： A discharge light-emitting device includes an outer envelope filled with discharge gas and a pair of electrodes contained in the outer envelope is provided. At least one of the electrodes includes an electrically conductive substrate, an n-type semiconductor layer provided on the substrate, and a p-type diamond layer provided on the n-type semiconductor layer.

摘要翻译： 放电发光装置包括填充有放电气体的外封套和包含在外封套中的一对电极。 至少一个电极包括导电衬底，设置在衬底上的n型半导体层和设置在n型半导体层上的p型金刚石层。

公开(公告)号：US07538423B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11534355

申请日：2006-09-22

申请人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

发明人： Tomio Ono ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Hiroaki Yoshida ,  Mariko Suzuki

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A heat sink includes a base portion formed of insulating diamond, and a plurality of pressure contacting members formed of the insulating diamond and arranged on the base portion

摘要翻译： 散热器包括由绝缘金刚石形成的基部和由绝缘金刚石形成并且布置在基部上的多个压力接触部件