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    Method of Manufacturing Fin Field Effect Transistor
    14.
    发明申请
    Method of Manufacturing Fin Field Effect Transistor 审中-公开
    制造鳍场效应晶体管的方法

    公开(公告)号：US20130267073A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：US13577252

    申请日：2012-06-07

    申请人： Huaxiang Yin ,  Wei He ,  Huicai Zhong ,  Chao Zhao ,  Dapeng Chen

    发明人： Huaxiang Yin ,  Wei He ,  Huicai Zhong ,  Chao Zhao ,  Dapeng Chen

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： The present invention discloses a method of manufacturing a fin field effect transistor, which comprises the steps of forming a plurality of first fin structures on a substrate, which extend along a first direction parallel to the substrate; forming a plurality of second fin structures on a substrate, which extend along a second direction parallel to the substrate and the second direction intersecting with the first direction; selectively removing a part of the second fin structures to form a plurality of gate lines; and selectively removing a part of the first fin structures to form a plurality of substrate lines. In the method of manufacturing a fin field effect transistor according to the present invention, the gate lines and substrate lines are formed simultaneously by first making uniform silicon wing lines and gate wing lines using a limiting photolithography patternizing technique and then performing a centralized cutting of the corresponding specific regions, thereby increasing uniformity and reducing process difficulty and cost.

    摘要翻译： 本发明公开了一种制造鳍状场效应晶体管的方法，其特征在于包括以下步骤：沿着平行于衬底的第一方向延伸的衬底上形成多个第一鳍结构; 在基板上形成多个第二翅片结构，所述第二鳍结构沿着平行于所述基板的第二方向延伸并且所述第二方向与所述第一方向相交; 选择性地去除所述第二鳍结构的一部分以形成多个栅极线; 以及选择性地去除所述第一鳍结构的一部分以形成多条基片线。 在根据本发明的鳍状场效应晶体管的制造方法中，通过首先使用限制光刻图案化技术首先制造均匀的硅翼线和栅翼线，然后进行集中切割，同时形成栅极线和衬底线 相应的特定区域，从而增加均匀性，降低工艺难度和成本。

    Biocompatible resists
    17.
    发明授权
    Biocompatible resists 有权
    生物相容的抗蚀剂

    公开(公告)号：US08119392B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US10835757

    申请日：2004-04-30

    申请人： Kenneth E. Gonsalves ,  Wei He

    发明人： Kenneth E. Gonsalves ,  Wei He

    IPC分类号： C12M1/00 ,  A61K47/48 ,  A61K38/06

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/265

    摘要： This invention relates to biomaterials, biocompatible photoresists, and electroactive photoresists, and methods to engineer the interactions between biomaterials and cells. In one aspect, this invention provides for modifying surface topography through micro-patterning techniques that require no organic solvent development to reveal the lithographic patterns. Cells can be cultured on these surfaces directly and exhibit strong cell alignment features.

    摘要翻译： 本发明涉及生物材料，生物相容性光致抗蚀剂和电活性光致抗蚀剂，以及设计生物材料与细胞之间相互作用的方法。 在一个方面，本发明提供了通过不需要有机溶剂开发来显示平版印刷图案的微图案化技术改性表面形貌。 可以直接在这些表面上培养细胞并显示出强的细胞对准特征。