公开(公告)号：US07095765B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10249804

申请日：2003-05-09

申请人： Wen-Huang Liu ,  Po-Chun Liu ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzu-Feng Tseng ,  Chen Ou

发明人： Wen-Huang Liu ,  Po-Chun Liu ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzu-Feng Tseng ,  Chen Ou

IPC分类号： H01S3/00 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A light emitter includes an emitting stack, a first electrode, a second electrode and a voltage dependent resistor layer. The emitter stack has a first surface area and a second surface area. The first electrode is formed on the first surface area of the emitting stack. The second electrode is formed on the second surface area of the emitting stack. The voltage dependent resistor layer is connected to the first and second electrodes, and is formed during the formation of the light emitter thus improving the yield of the light emitter.

摘要翻译： 光发射器包括发射堆叠，第一电极，第二电极和电压依赖电阻层。 发射极堆叠具有第一表面区域和第二表面区域。 第一电极形成在发射堆叠的第一表面区域上。 第二电极形成在发射堆叠的第二表面区域上。 电压依赖电阻层连接到第一和第二电极，并且在形成发光体期间形成，从而提高发光体的产量。

公开(公告)号：US09508902B2

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：US12562917

申请日：2009-09-18

申请人： Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon ,  Chien-Kai Chung ,  Hui-Chun Yeh ,  An-Ju Lin ,  Chien-Fu Shen ,  Chen Ou

发明人： Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon ,  Chien-Kai Chung ,  Hui-Chun Yeh ,  An-Ju Lin ,  Chien-Fu Shen ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor device in accordance with an embodiment of present invention includes a conversion unit having a first side; an electrical connector; a contact layer having an outer perimeter; and at least three successive discontinuous-regions formed along the outer perimeter and having at least one different factor; wherein the electrical connector, the contact layer, and the discontinuous-regions are formed on the first side of the conversion unit.

摘要翻译： 根据本发明实施例的光电子半导体器件包括具有第一侧的转换单元; 电连接器; 具有外周的接触层; 以及沿着所述外周边形成并且具有至少一个不同因素的至少三个连续不连续区域; 其中所述电连接器，所述接触层和所述不连续区形成在所述转换单元的第一侧上。

公开(公告)号：US09437780B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US12562917

申请日：2009-09-18

申请人： Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon ,  Chien-Kai Chung ,  Hui-Chen Yeh ,  An-Ju Lin ,  Chien-Fu Shen ,  Chen Ou

发明人： Tsun-Kai Ko ,  Schang-Jing Hon ,  Chien-Kai Chung ,  Hui-Chen Yeh ,  An-Ju Lin ,  Chien-Fu Shen ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

摘要： An optoelectronic semiconductor device in accordance with an embodiment of present invention includes a conversion unit having a first side; an electrical connector; a contact layer having an outer perimeter; and at least three successive discontinuous-regions formed along the outer perimeter and having at least one different factor; wherein the electrical connector, the contact layer, and the discontinuous-regions are formed on the first side of the conversion unit.

公开(公告)号：US07928424B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12270828

申请日：2008-11-13

申请人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride-based light-emitting device includes a substrate and a plurality of layers formed over the substrate in the following sequence: a nitride-based buffer layer formed by nitrogen, a first group III element, and optionally, a second group III element, a first nitride-based semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物系发光器件包括基板和在该基板上形成的多个层，其顺序如下：由氮形成的基于氮化物的缓冲层，第一III族元素和任选的第二III族元素， 第一氮化物基半导体层，发光层和第二氮化物基半导体层。

公开(公告)号：US20080157115A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US12073284

申请日：2008-03-04

申请人： Chia-Ming Chuang ,  Donald Tai-Chan Huo ,  Chia-Chen Chang ,  Tzu-Ling Yang ,  Chen Ou

发明人： Chia-Ming Chuang ,  Donald Tai-Chan Huo ,  Chia-Chen Chang ,  Tzu-Ling Yang ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22

摘要： This invention provides a high-efficiency light-emitting device and the manufacturing method thereof. The high-efficiency light-emitting device includes a substrate; a reflective layer; a bonding layer; a first semiconductor layer; an active layer; and a second semiconductor layer formed on the active layer. The second semiconductor layer includes a first surface having a first lower region and a first higher region.

摘要翻译： 本发明提供一种高效率的发光装置及其制造方法。 高效率的发光装置包括：基板; 反射层; 接合层; 第一半导体层; 活性层 以及形成在所述有源层上的第二半导体层。 第二半导体层包括具有第一下部区域和第一较高区域的第一表面。

公开(公告)号：US20050285136A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。

公开(公告)号：US08994052B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13161835

申请日：2011-06-16

申请人： Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Chien-Fu Huang ,  Shih-I Chen ,  Chiu-Lin Yao ,  Chia-Liang Hsu ,  Chen Ou

发明人： Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Chien-Fu Huang ,  Shih-I Chen ,  Chiu-Lin Yao ,  Chia-Liang Hsu ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a first semiconductor layer; an active layer formed on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer formed on the active layer; and a first pad formed on the second semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a first region right under the first pad and a plurality of voids formed in the first region, wherein the region outside the first region in the second semiconductor layer is devoid of voids, and an area of the first region is smaller than that of the first pad in top view and the area of the first pad is smaller than that of the second semiconductor layer in top view, and the light emitted from the active layer is extracted from a top surface of the second semiconductor layer opposite the first semiconductor layer.

摘要翻译： 发光器件包括第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二半导体层; 以及形成在所述第二半导体层上的第一焊盘，其中所述第二半导体层包括位于所述第一焊盘下方的第一区域和形成在所述第一区域中的多个空隙，其中所述第二半导体层中的所述第一区域外部的区域为空 并且第一区域的面积比顶视图中的第一区域的面积小，并且第一衬垫的面积在俯视图中小于第二半导体层的面积，并且从有源层发射的光为 从与第一半导体层相对的第二半导体层的顶表面提取。

公开(公告)号：US20120138991A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13310255

申请日：2011-12-02

申请人： Chia-Ming Chuang ,  Donald Tai-Chan Huo ,  Chia-Chen Chang ,  Tzu-Ling Yang ,  Chen Ou

发明人： Chia-Ming Chuang ,  Donald Tai-Chan Huo ,  Chia-Chen Chang ,  Tzu-Ling Yang ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22

摘要： This invention provides a high-efficiency light-emitting device and the manufacturing method thereof The high-efficiency light-emitting device includes a substrate; a reflective layer; a bonding layer; a first semiconductor layer; an active layer; and a second semiconductor layer formed on the active layer. The second semiconductor layer includes a first surface having a first lower region and a first higher region.

摘要翻译： 本发明提供一种高效率的发光装置及其制造方法。高效率发光装置包括：基板; 反射层; 接合层; 第一半导体层; 活性层 以及形成在所述有源层上的第二半导体层。 第二半导体层包括具有第一下部区域和第一较高区域的第一表面。

公开(公告)号：US07385226B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。

公开(公告)号：US20080054278A9

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。