公开(公告)号：US20060221712A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11093877

申请日：2005-03-30

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Ferdinando Bedeschi ,  Claudio Resta ,  Roberto Gastaldi ,  Giulio Casagrande

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Ferdinando Bedeschi ,  Claudio Resta ,  Roberto Gastaldi ,  Giulio Casagrande

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054

摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.

摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。

公开(公告)号：US08120943B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12574005

申请日：2009-10-06

申请人： Ward Parkinson ,  Tyler Lowrey

发明人： Ward Parkinson ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

摘要： A memory employs a low-level current source to access a phase change memory cell. The current source charges an access capacitor in order to store sufficient charge for an ensuing access. When a memory cell is accessed, charge stored on the capacitor is discharged through the phase change memory, supplying a current to the phase change memory cell that is sufficient for the intended access operation and greater than that provided directly by the current source.

摘要翻译： 存储器采用低电平电流源来访问相变存储器单元。 电流源为存取电容器充电以便为接下来的存取储存足够的电量。 当访问存储器单元时，存储在电容器上的电荷通过相变存储器放电，向相变存储器单元提供足以用于预期访问操作的电流并且大于由电流源直接提供的电流。

公开(公告)号：US20100091561A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12640723

申请日：2009-12-17

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00 ,  H03K19/177

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 可以使用存储元件，阈值开关元件或存储元件和阈值开关元件的串联组合来耦合电可编程矩阵阵列中的导线。 可以通过选择性地将导电线之间的相变材料和/或阈值开关材料串联的击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US09472273B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US14791463

申请日：2015-07-05

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C8/10 ,  G11C13/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

摘要： A thin-film memory may include a thin-film transistor-free address decoder in conjunction with thin-film memory elements to yield an all-thin-film memory. Such a thin-film memory excludes all single-crystal electronic devices and may be formed, for example, on a low-cost substrate, such as fiberglass, glass or ceramic. The memory may be configured for operation with an external memory controller.

公开(公告)号：US20120051140A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13199328

申请日：2011-08-26

申请人： Steven Jeffrey Grossman ,  Ward Parkinson ,  Daniel Robert Shepard ,  Thomas Michael Trent ,  Sam Ira Young

发明人： Steven Jeffrey Grossman ,  Ward Parkinson ,  Daniel Robert Shepard ,  Thomas Michael Trent ,  Sam Ira Young

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/10 ,  G11C13/0002

摘要： A random access memory device is disclosed having an interface that is compatible with a NAND FLASH memory device such that the device can be operated with a standard NAND memory device's controller device. This memory device is can store data internally using any random access storage technology including PRAM, MRAM, RRAM, FRAM, OTP-RAM and 3-D memory.

摘要翻译： 公开了一种随机存取存储器件，其具有与NAND FLASH存储器件兼容的接口，使得该器件可以与标准NAND存储器件的控制器器件一起工作。 该存储器件可以使用包括PRAM，MRAM，RRAM，FRAM，OTP-RAM和3-D存储器在内的任何随机存取技术在内部存储数据。

公开(公告)号：US20100110782A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12683735

申请日：2010-01-07

申请人： Ward Parkinson ,  Yukio Fuji

发明人： Ward Parkinson ,  Yukio Fuji

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/1021 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1069 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C2013/0085 ,  G11C2207/005

摘要： An array of non-volatile memory cells arranged in logical columns and logical rows, and associated circuitry to enable reading or writing one or more memory cells on a row in parallel. In some embodiments, the array of memory cells may include a phase change material. In some embodiments, the circuitry may include a write driver, a read driver, a sense amplifier, and circuitry to isolate the memory cells from the sense amplifier with extended refresh.

摘要翻译： 布置在逻辑列和逻辑行中的非易失性存储器单元的阵列，以及相关联的电路，以使得能够并行地读取或写入行上的一个或多个存储器单元。 在一些实施例中，存储器单元阵列可以包括相变材料。 在一些实施例中，电路可以包括写入驱动器，读取驱动器，读出放大器以及通过扩展刷新来将存储器单元与读出放大器隔离的电路。

公开(公告)号：US07706178B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US12069092

申请日：2008-02-06

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H03K19/17736 ,  Y10S438/90

摘要： A phase-change material is proposed for coupling interconnect lines an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer between the phase change material and at least one of the lines. The matrix array may be used in a programmable logic device. The logic portions of the programmable logic device may be tri-stated.

摘要翻译： 提出了一种相变材料用于将互连线耦合到电可编程矩阵阵列。 可以通过在相变材料和至少一条线之间选择性地放置薄的绝缘击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。 可编程逻辑器件的逻辑部分可以是三态的。

公开(公告)号：US20090310402A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12214144

申请日：2008-06-17

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

摘要： A thin-film memory may include a thin-film transistor-free address decoder in conjunction with thin-film memory elements to yield an all-thin-film memory. Such a thin-film memory excludes all single-crystal electronic devices and may be formed, for example, on a low-cost substrate, such as fiberglass, glass or ceramic. The memory may be configured for operation with an external memory controller.

摘要翻译： 薄膜存储器可以包括结合薄膜存储器元件的薄膜无晶体管地址解码器以产生全薄膜存储器。 这样的薄膜存储器不包括所有单晶电子器件，并且可以例如形成在诸如玻璃纤维，玻璃或陶瓷的低成本基底上。 存储器可以被配置为与外部存储器控制器一起操作。

公开(公告)号：US20080084735A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11848997

申请日：2007-08-31

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/76

摘要： A phase change memory cells including a memory element or a threshold device is read using a read current which does not threshold either the memory element or the threshold device in the case of both a set and a reset memory element. As a result, higher currents may be avoided, increasing read endurance. A sensing circuit includes a charging rate detector coupled to a selected address line and sensing a rate of change of a voltage on the selected address line.

摘要翻译： 包括存储器元件或阈值器件的相变存储器单元使用在集合和复位存储器元件的情况下不对存储器元件或阈值器件进行阈值的读取电流来读取。 因此，可以避免更高的电流，增加阅读耐力。 感测电路包括耦合到所选择的地址线并感测所选地址线上的电压的变化率的充电速率检测器。

公开(公告)号：US20060056251A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939274

申请日：2004-09-10

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C16/3431 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79

摘要： A phase change memory may be utilized in place of a dynamic random access memory in a processor-based system. The memory may keep track of the number of read or write cycles so that it may determine when a refresh cycle will occur. During the refresh cycle, the phase change memory may implement other tasks not related to a refresh because the phase change memory does not need to be refreshed. Typical of such tasks may be determining whether any bits are weakly programmed or improperly programmed and taking corrective action with respect to those bits.

摘要翻译： 在基于处理器的系统中可以使用相变存储器代替动态随机存取存储器。 存储器可以跟踪读取或写入周期的数量，以便它可以确定何时将发生刷新周期。 在刷新周期期间，相变存储器可以实现与刷新无关的其它任务，因为相变存储器不需要刷新。 这些任务的典型可能在于确定任何比特是弱编程还是不正确编程，并针对这些比特采取校正动作。