公开(公告)号：US07985691B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12766243

申请日：2010-04-23

申请人： Kenshi Kanegae ,  Shinichi Imai ,  Hideo Nakagawa

发明人： Kenshi Kanegae ,  Shinichi Imai ,  Hideo Nakagawa

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

摘要： An organic/inorganic hybrid film represented by SiCxHyOz (x>0, y≧0, z>0) is plasma-etched with an etching gas containing fluorine, carbon and nitrogen. During the etching, a carbon component is eliminated from the surface portion of the organic/inorganic hybrid film due to the existence of the nitrogen in the etching gas, to thereby reform the surface portion. The reformed surface portion is nicely plasma-etched with the etching gas containing fluorine and carbon.

摘要翻译： 用含有氟，碳和氮的蚀刻气体等离子体蚀刻由SiCxHyOz（x> 0，y≥0，z> 0）表示的有机/无机杂化膜。 在蚀刻期间，由于蚀刻气体中存在氮，从有机/无机混合膜的表面部分除去碳成分，从而使表面部分重新形成。 重整表面部分用含氟和碳的蚀刻气体进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：US07923522B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12060291

申请日：2008-04-01

申请人： Yoshitaka Hamada ,  Masaru Sasago ,  Hideo Nakagawa ,  Yasunori Morinaga

发明人： Yoshitaka Hamada ,  Masaru Sasago ,  Hideo Nakagawa ,  Yasunori Morinaga

IPC分类号： C08G77/08

CPC分类号： H01L21/31695 ,  C01B39/04 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/127 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  Y10T428/249953

摘要： The invention provides a preparation process of organic-group-modified zeolite fine particles excellent in stability of particle size and to be used for electronic materials or the like. The preparation process comprises a first step of obtaining a liquid containing zeolite seed crystals having a particle size of 80 nm or less which are formed in the presence of a structure directing agent, a second step of adding an organic-group-containing hydrolyzable silane compound to the liquid obtained by the first step, and a third step of maturing the liquid of the second step at temperature higher than that of the first step. A dispersion liquid of zeolite fine particles obtained by the process.

摘要翻译： 本发明提供了粒径稳定性优异且用于电子材料等的有机基团改性沸石微粒的制备方法。 制备方法包括获得在结构导向剂存在下形成的含有粒径为80nm以下的沸石晶种的液体的第一步骤，添加含有机基的可水解硅烷化合物的第二步骤 与第一步骤获得的液体相比，以及第三步骤，在比第一步高的温度下熟化第二步骤的液体。 通过该方法获得的沸石细颗粒的分散液。

公开(公告)号：US07919005B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US11659109

申请日：2006-05-23

申请人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

发明人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： C03B11/082 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0143 ,  C03B11/084 ,  C03B2215/07 ,  C03B2215/412 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  C23F4/00 ,  G02B6/136 ,  Y02P40/57 ,  C04B41/0054 ,  C04B35/56

摘要： A WC substrate 7 is etched by using plasma 50 generated from a gas including a chlorine atom.

摘要翻译： 通过使用由包括氯原子的气体产生的等离子体50来蚀刻WC衬底7。

公开(公告)号：US07893535B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12649002

申请日：2009-12-29

申请人： Atsushi Ikeda ,  Hideo Nakagawa ,  Nobuo Aoi

发明人： Atsushi Ikeda ,  Hideo Nakagawa ,  Nobuo Aoi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device including: an insulating film (6) formed over a substrate (1); a buried metal interconnect (10) formed in the insulating film (6); and a barrier metal film (A1) formed between the insulating film (6) and the metal interconnect (10), the barrier metal film (A1) includes a metal oxide film (7), a metal compound film (8) and a metal film (9) stacked in this order from a side in which the insulating film (6) exists to a side in which the metal interconnect (10) exists. Elastic modulus of the metal compound film (8) is larger than that of the metal oxide film (7).

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：形成在衬底（1）上的绝缘膜（6）; 形成在所述绝缘膜（6）中的掩埋金属互连（10）; 和形成在绝缘膜（6）和金属互连件（10）之间的阻挡金属膜（A1），阻挡金属膜（A1）包括金属氧化物膜（7），金属化合物膜（8）和金属 膜（9）从绝缘膜（6）的存在一侧到存在金属互连（10）的一侧依次层叠。 金属化合物膜（8）的弹性模量大于金属氧化物膜（7）的弹性模量。

公开(公告)号：US20100283133A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12842400

申请日：2010-07-23

申请人： Yoshitaka Hamada ,  Fujio Yagihashi ,  Takeshi Asano ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

发明人： Yoshitaka Hamada ,  Fujio Yagihashi ,  Takeshi Asano ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/31 ,  C09D5/25

CPC分类号： H01L21/31695 ,  C08G77/08 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

摘要： In the invention, a silica sol prepared by hydrolyzing and condensing a silane compound represented by the following formula: Si(OR1)4 or R2nSi(OR3)4-n wherein R1s, R2(s) and R3(s) may be the same or different when a plurality of them are contained in the molecule and each independently represents a linear or branched C1-4 alkyl group in the presence of a hydrophilic basic catalyst and a hydrophobic basic catalyst is used for a conventional porous-film forming composition.

摘要翻译： 在本发明中，通过水解和缩合由下式表示的硅烷化合物制备的硅溶胶：Si（OR1）4或R2nSi（OR3 )4-n，其中R1，R2（s）和R3（s）可以相同 或者在分子中含有多个它们并且在亲水性碱性催化剂存在下各自独立地表示直链或支链C 1-4烷基，并且将疏水性碱性催化剂用于常规多孔膜形成组合物时使用。

公开(公告)号：US07758761B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11475173

申请日：2006-06-27

申请人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

发明人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23F4/00 ,  G02B6/136

摘要： A substance including tungsten and carbon is etched by using plasma. The plasma is generated from a mixed gas of a gas including a fluorine atom and a gas including a CN bond and a hydrogen atom.

摘要翻译： 通过使用等离子体蚀刻包括钨和碳的物质。 等离子体由包含氟原子的气体和包含CN键和氢原子的气体的混合气体产生。

公开(公告)号：US20090294922A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12472645

申请日：2009-05-27

申请人： Yoshitaka Hamada ,  Fujio Yagihashi ,  Takeshi Asano ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

发明人： Yoshitaka Hamada ,  Fujio Yagihashi ,  Takeshi Asano ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/47 ,  C07F7/08 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  Y10T428/2995

摘要： Provided is an organic silicon oxide fine particle capable of satisfying an expected dielectric constant and mechanical strength and having excellent chemical stability for obtaining a high-performance porous insulating film. More specifically, provided is an organic silicon oxide fine particle comprising a core comprising an inorganic silicon oxide or a first organic silicon oxide containing an organic group having a carbon atom directly attached to a silicon atom and, and a shell on or above an outer circumference of the core, the shell comprising a second organic silicon oxide different from the first organic silicon oxide which the second organic silicon has been formed by hydrolysis and condensation, in the presence of a basic catalyst, of a shell-forming component comprising an organic-group-containing hydrolyzable silane containing an organic group having a carbon atom directly attached to a silicon atom or a mixture of the organic-group-containing hydrolyzable silane and an organic-group-free hydrolyzable silane not having the organic group, wherein a ratio [C]/[Si] is 0 or greater but less than 1 in the core and 1 or greater 1 in the shell wherein [C] represents the number of all the carbon atoms and [Si] represents the number of all the silicon atoms.

摘要翻译： 提供一种能够满足预期介电常数和机械强度并且具有优异的化学稳定性以获得高性能多孔绝缘膜的有机氧化硅细颗粒。 更具体地说，提供了一种有机氧化硅微粒，其包括含有无机氧化硅或含有直接连接到硅原子的碳原子的有机基团的第一有机氧化硅的芯，以及在外周上或上方的壳 所述壳包含不同于所述第一有机氧化硅的第二有机氧化硅，所述第二有机氧化硅通过在碱性催化剂的存在下通过水解和缩合形成第二有机硅，所述成壳组分包含有机 - 含有具有与硅原子直接连接的碳原子的有机基团的含有基团的可水解硅烷或含有机基的可水解硅烷和不具有有机基团的可水解硅烷的混合物，其中[ C] / [Si]在核中为0以上且小于1，在壳中为1以上1，[C]表示全部碳原子数a nd [Si]表示所有硅原子的数目。

公开(公告)号：US07563706B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11798085

申请日：2007-05-10

申请人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

发明人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： A material for forming an insulating film with low dielectric constant of this invention is a solution including a fine particle principally composed of a silicon atom and an oxygen atom and having a large number of pores, a resin and a solvent.

摘要翻译： 用于形成本发明的具有低介电常数的绝缘膜的材料是包括主要由硅原子和氧原子组成并且具有大量孔隙的细颗粒，树脂和溶剂的溶液。

公开(公告)号：US20090017259A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11659107

申请日：2006-05-23

申请人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

发明人： Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago ,  Tomoyasu Murakami

IPC分类号： C23F1/12 ,  C04B41/91 ,  G02B6/13 ,  C23F4/00

CPC分类号： C04B41/91 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  G02B2006/12166 ,  Y10T428/24479 ,  C04B41/0054 ,  C04B35/56

摘要： A WC substrate 7 is etched by using plasma 50 generated from a mixed gas of a gas including a halogen atom and a gas including a nitrogen atom.

摘要翻译： 通过使用由包括卤素原子的气体和包括氮原子的气体的混合气体产生的等离子体50来蚀刻WC衬底7。

公开(公告)号：US20080292863A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12029566

申请日：2008-02-12

申请人： Fujio Yagihashi ,  Yoshitaka Hamada ,  Takeshi Asano ,  Motoaki Iwabuchi ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

发明人： Fujio Yagihashi ,  Yoshitaka Hamada ,  Takeshi Asano ,  Motoaki Iwabuchi ,  Hideo Nakagawa ,  Masaru Sasago

IPC分类号： B32B3/26 ,  C08G77/26 ,  C08G77/08

CPC分类号： C08G77/08 ,  C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  Y10T428/249953

摘要： Provided is a method for preparing a siloxane polymer by hydrolysis and condensation reactions of a hydrolyzable silane compound, which has a step of preparing a salt of a silsesquioxane cage compound represented by the following formula (1): (SiO1.5—O)nn−X+n   (1) wherein, X represents NR4, Rs may be the same or different and each represents a linear or branched C1-4 alkyl group and n is an integer from 6 to 24 and a step of hydrolyzing and condensing the hydrolyzable silane compound with the salt of a silsesquioxane cage compound.

摘要翻译： 本发明提供一种通过水解性缩合反应制备硅氧烷聚合物的方法，该水解性硅烷化合物具有制备由下式（1）表示的倍半硅氧烷笼形化合物的盐的步骤： （“In-line Formula”）end =“lead”？>（SiO1.5-O）nn-X + n（1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？ >其中，X表示NR4，Rs可以相同或不同，表示直链或支链C 1-4烷基，n表示6〜24的整数，将可水解硅烷化合物与 倍半硅氧烷笼形化合物。