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    Method of manufacturing a semiconductor device using a polysilicon etching mask
    21.
    发明授权
    Method of manufacturing a semiconductor device using a polysilicon etching mask 失效
    使用多晶硅蚀刻掩模制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07122478B2

    公开(公告)日：2006-10-17

    申请号：US10818266

    申请日：2004-04-02

    申请人： Jeong-Nam Han ,  Woo-Gwan Shim ,  Woo-Sung Han ,  Chang-Ki Hong ,  Sang Jun Choi

    发明人： Jeong-Nam Han ,  Woo-Gwan Shim ,  Woo-Sung Han ,  Chang-Ki Hong ,  Sang Jun Choi

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a polysilicon layer as an etching mask includes: (a) forming an interlayer dielectric over a semiconductor substrate; (b) forming a polysilicon layer pattern over the interlayer dielectric; (c) forming a contact hole in the interlayer dielectric by etching the interlayer dielectric using the polysilicon layer pattern as an etching mask; (d) removing the polysilicon layer pattern by an etching process that has a large etching selectivity of the polisilicon layer with respect to the interlayer dielectric and about 3% or less etching uniformity; and (e) forming a contact by filling the contact hole with a conductive material.

    摘要翻译： 使用多晶硅层作为蚀刻掩模制造半导体器件的方法包括：（a）在半导体衬底上形成层间电介质; （b）在层间电介质上形成多晶硅层图案; （c）通过使用多晶硅层图案作为蚀刻掩模蚀刻层间电介质，在层间电介质中形成接触孔; （d）通过蚀刻工艺去除多晶硅层图案，所述蚀刻工艺对于硅酸盐层相对于层间电介质具有大的蚀刻选择性，蚀刻均匀性为约3％以下; 和（e）通过用导电材料填充接触孔来形成接触。

    Methods of Manufacturing Semiconductor Memory Devices with Unit Cells Having Charge Trapping Layers
    22.
    发明申请
    Methods of Manufacturing Semiconductor Memory Devices with Unit Cells Having Charge Trapping Layers 失效
    制造具有电荷陷阱层的单元电池的半导体存储器件的方法

    公开(公告)号：US20070264793A1

    公开(公告)日：2007-11-15

    申请号：US11746761

    申请日：2007-05-10

    申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Woo-Gwam Shim ,  Jong-Won Lee

    发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Woo-Gwam Shim ,  Jong-Won Lee

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11568

    摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device such as a SONOS type semiconductor device, a trench is formed on a substrate. An isolation layer protruding from the substrate is formed to fill the trench. After a first layer is formed on the substrate, a preliminary second layer pattern is formed on the first layer. The preliminary second layer pattern has an upper face substantially lower than or substantially equal to an upper face of the isolation layer. A third layer is formed on the preliminary second layer and the isolation layer. A fourth layer is formed on the third layer. The fourth layer, the third layer, the preliminary second layer pattern and the first layer are partially etched to form a gate structure on the substrate. Source/drain regions are formed at portions of the substrate adjacent to the gate structure.

    摘要翻译： 在制造诸如SONOS型半导体器件的半导体器件的方法中，在衬底上形成沟槽。 形成从衬底突出的隔离层以填充沟槽。 在基板上形成第一层之后，在第一层上形成预备的第二层图案。 预备的第二层图案具有基本上低于或基本上等于隔离层的上表面的上表面。 在初步第二层和隔离层上形成第三层。 在第三层上形成第四层。 部分蚀刻第四层，第三层，初步第二层图案和第一层，以在基板上形成栅极结构。 源极/漏极区域形成在与栅极结构相邻的衬底的部分处。

    Method of fabricating a semiconductor device
    23.
    发明授权
    Method of fabricating a semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07704828B2

    公开(公告)日：2010-04-27

    申请号：US11741639

    申请日：2007-04-27

    申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

    发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/91

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a mold for forming a storage electrode, forming sacrificial spacers at side walls of openings in the mold, forming a conductive film for a storage electrode along the inside of the openings, removing the mold by a wet etching process, removing the sacrificial spacers by a dry etching process, and sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the storage electrode.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成存储电极的模具，在模具的开口的侧壁处形成牺牲隔离物，沿着开口的内部形成用于存储电极的导电膜，通过湿法蚀刻工艺移除模具， 牺牲隔离物，并且在存储电极上依次形成电介质膜和上电极。