公开(公告)号：US20120034767A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13023145

申请日：2011-02-08

申请人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

发明人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

摘要： Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。

公开(公告)号：US08507040B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13156501

申请日：2011-06-09

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。

公开(公告)号：US07064224B1

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US11051140

申请日：2005-02-04

申请人： Xinjian Lei ,  Manchao Xiao ,  Hareesh Thridandam ,  Kirk Scott Cuthill

发明人： Xinjian Lei ,  Manchao Xiao ,  Hareesh Thridandam ,  Kirk Scott Cuthill

IPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/44 ,  C23C16/00

CPC分类号： C07F15/065 ,  C07F7/10 ,  C07F15/025 ,  C07F15/045 ,  C23C16/18

摘要： This invention is related to organometallic precursors and deposition processes for fabricating conformal metal containing films on substrates such as silicon, metal nitrides and other metal layers.The organometallic precursors are N,N′-alkyl-1,1-alkylsilylamino metal complexes represented by the formula: wherein M is a metal selected from Group VIIb, VIII, IX and X, and specific examples include cobalt, iron, nickel, manganese, ruthenium, zinc, copper, palladium, platinum, iridium, rhenium, osmium, and the R1-5 can be same or different selected from hydrogen, alkyl, alkoxy, fluoroalkyl and alkoxy, cycloaliphatic, and aryl.

摘要翻译： 本发明涉及用于在诸如硅，金属氮化物和其它金属层的衬底上制造含适形金属膜的有机金属前体和沉积工艺。 有机金属前体是由下式表示的N，N'-烷基-1,1-烷基甲硅烷基氨基金属络合物：其中M是选自VIIb，VIII，IX和X族的金属，具体实例包括钴，铁，镍，锰 ，钌，锌，铜，钯，铂，铱，铼，锇和R 1-5可以相同或不同，选自氢，烷基，烷氧基，氟烷基和烷氧基，脂环族和 芳基。

公开(公告)号：US08828505B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13405453

申请日：2012-02-27

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr.

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr.

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention is a process of plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon nitride, silicon carbonitride, silicon oxynitride, silicon carboxynitride, and carbon doped silicon oxide from alkylaminosilanes having Si—H3, preferably of the formula (R1R2N)SiH3 wherein R1 and R2 are selected independently from C2 to C10 and a nitrogen or oxygen source, preferably ammonia or oxygen has been developed to provide films with improved properties such as etching rate, hydrogen concentrations, and stress as compared to films from thermal chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明是由具有Si-H3（优选为式（R1R2N）SiH3）的烷基氨基硅烷，氮化硅，碳氮化硅，氮氧化硅，氮氧化硅，碳掺杂的氧化硅等离子体增强的循环化学气相沉积的方法，其中R1和R2 独立于C2至C10选择氮和氧源，优选为氨或氧，以提供与热化学气相沉积的膜相比具有改进性能的蚀刻速率，氢浓度和应力的膜。

公开(公告)号：US20130210217A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13572973

申请日：2012-08-13

申请人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

发明人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

摘要： The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. The invention is also related to making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

摘要翻译： 本发明是使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制造锗 - 锑 - 碲合金（GST）或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜的方法，其中甲硅烷基锑前体是 用作合金膜的锑源。 本发明还涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制备其它元素的锑合金，其中使用甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体作为锑或铋的来源。

公开(公告)号：US20120171874A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13405453

申请日：2012-02-27

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, JR.

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, JR.

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention is a process of plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon nitride, silicon carbonitride, silicon oxynitride, silicon carboxynitride, and carbon doped silicon oxide from alkylaminosilanes having Si—H3, preferably of the formula (R1R2N)SiH3 wherein R1 and R2 are selected independently from C2 to C10 and a nitrogen or oxygen source, preferably ammonia or oxygen has been developed to provide films with improved properties such as etching rate, hydrogen concentrations, and stress as compared to films from thermal chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明是由具有Si-H3（优选为式（R1R2N）SiH3）的烷基氨基硅烷，氮化硅，碳氮化硅，氮氧化硅，氮氧化硅，碳掺杂的氧化硅等离子体增强的循环化学气相沉积的方法，其中R1和R2 独立于C2至C10选择氮和氧源，优选为氨或氧，以提供与热化学气相沉积的膜相比具有改进性能的蚀刻速率，氢浓度和应力的膜。

公开(公告)号：US20120171378A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13156501

申请日：2011-06-09

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

IPC分类号： C23C16/30 ,  B05D3/10

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。

公开(公告)号：US08193027B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US13023145

申请日：2011-02-08

申请人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

发明人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/44 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

摘要： Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。

公开(公告)号：US07875312B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US11439554

申请日：2006-05-23

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31633

摘要： The present invention is directed to a method for depositing a silicon oxide layer on a substrate by CVD. The reaction of an organoaminosilane precursor where the alkyl group has at least two carbon atoms in the presence of an oxidizing agent allows for the formation of a silicon oxide film. The organoaminosilanes are represented by the formulas: The use of diisopropylaminosilane is the preferred precursor for the formation of the silicon oxide film.

摘要翻译： 本发明涉及通过CVD在衬底上沉积氧化硅层的方法。 在氧化剂存在下，烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体的反应允许形成氧化硅膜。 有机基氨基硅烷由下式表示：使用二异丙基氨基硅烷是形成氧化硅膜的优选前体。

公开(公告)号：US08563353B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13466275

申请日：2012-05-08

申请人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

发明人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

摘要： Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。