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    Photodiode with multi-epi films for image sensor
    22.
    发明授权
    Photodiode with multi-epi films for image sensor 有权
    用于图像传感器的多面膜的光电二极管

    公开(公告)号：US08164124B2

    公开(公告)日：2012-04-24

    申请号：US11752012

    申请日：2007-05-22

    申请人： Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Jyh-Ming Hung ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Jyh-Ming Hung ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

    摘要： The present disclosure provides an image sensor semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor substrate; a first epitaxy semiconductor layer disposed on the semiconductor substrate and having a first type of dopant and a first doping concentration; a second epitaxy semiconductor layer disposed over the first epitaxy semiconductor layer and having the first type of dopant and a second doping concentration less than the first doping concentration; and an image sensor on the second epitaxy semiconductor layer.

    摘要翻译： 本公开提供了一种图像传感器半导体器件。 半导体器件包括半导体衬底; 第一外延半导体层，其设置在所述半导体衬底上并且具有第一类型的掺杂剂和第一掺杂浓度; 第二外延半导体层，设置在所述第一外延半导体层上并且具有所述第一类型的掺杂物和小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度; 以及第二外延半导体层上的图像传感器。

    PHOTODIODE WITH MULTI-EPI FILMS FOR IMAGE SENSOR
    24.
    发明申请
    PHOTODIODE WITH MULTI-EPI FILMS FOR IMAGE SENSOR 有权
    用于图像传感器的多个EPI膜的光致抗体

    公开(公告)号：US20080246063A1

    公开(公告)日：2008-10-09

    申请号：US11752012

    申请日：2007-05-22

    申请人： Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Jyh-Ming Hung ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

    发明人： Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Jyh-Ming Hung ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

    IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

    摘要： The present disclosure provides an image sensor semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor substrate; a first epitaxy semiconductor layer disposed on the semiconductor substrate and having a first type of dopant and a first doping concentration; a second epitaxy semiconductor layer disposed over the first epitaxy semiconductor layer and having the first type of dopant and a second doping concentration less than the first doping concentration; and an image sensor on the second epitaxy semiconductor layer.

    摘要翻译： 本公开提供了一种图像传感器半导体器件。 半导体器件包括半导体衬底; 第一外延半导体层，其设置在所述半导体衬底上并且具有第一类型的掺杂剂和第一掺杂浓度; 第二外延半导体层，设置在所述第一外延半导体层上并且具有所述第一类型的掺杂物和小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度; 以及第二外延半导体层上的图像传感器。

    Pad design for backside illuminated image sensor
    25.
    发明授权
    Pad design for backside illuminated image sensor 有权
    背面照明图像传感器的垫设计

    公开(公告)号：US09142586B2

    公开(公告)日：2015-09-22

    申请号：US12708167

    申请日：2010-02-18

    申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

    发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

    摘要： A semiconductor image sensor device includes first and second semiconductor substrates. A pixel array and a control circuit are formed in a first surface of the first substrate. An interconnect layer is formed over the first surface of the first substrate and electrically connects the control circuit to the pixel array. A top conducting layer is formed over the interconnect layer to have electrical connectivity with at least one of the control circuit or the pixel array via the interconnect layer. A surface of a second substrate is bonded to the top conducting layer. A conductive through-silicon-via (TSV) passes through the second substrate, and has electrical connectivity with the top conducting layer. A terminal is formed on an opposite surface of the second substrate, and electrically connected to the TSV.

    摘要翻译： 半导体图像传感器装置包括第一和第二半导体衬底。 像素阵列和控制电路形成在第一基板的第一表面中。 在第一基板的第一表面上形成互连层，并将控制电路电连接到像素阵列。 顶部导电层形成在互连层上，以经由互连层与至少一个控制电路或像素阵列电连接。 第二基板的表面接合到顶部导电层。 导电硅通孔（TSV）通过第二衬底，并且与顶部导电层具有电连接性。 端子形成在第二基板的相对表面上，并电连接到TSV。

    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING SAME
    26.
    发明申请
    IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING SAME 有权
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20100244173A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12413752

    申请日：2009-03-30

    申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

    发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

    摘要： Provided is a method of fabricating an image sensor device. The method includes providing a device substrate having a front side and a back side. The method includes forming first and second radiation-sensing regions in the device substrate, the first and second radiation-sensing regions being separated by an isolation structure. The method also includes forming a transparent layer over the back side of the device substrate. The method further includes forming an opening in the transparent layer, the opening being aligned with the isolation structure. The method also includes filling the opening with an opaque material.

    摘要翻译： 提供了一种制造图像传感器装置的方法。 该方法包括提供具有前侧和后侧的装置基板。 该方法包括在器件衬底中形成第一和第二辐射感测区域，第一和第二辐射感测区域由隔离结构隔开。 该方法还包括在器件衬底的背面上形成透明层。 该方法还包括在透明层中形成开口，该开口与隔离结构对准。 该方法还包括用不透明材料填充开口。

    ISOLATION STRUCTURE FOR IMAGE SENSOR DEVICE
    27.
    发明申请
    ISOLATION STRUCTURE FOR IMAGE SENSOR DEVICE 审中-公开
    图像传感器设备的隔离结构

    公开(公告)号：US20080303932A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：US12120019

    申请日：2008-05-13

    申请人： Wen-De Wang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jyh-Ming Hung

    发明人： Wen-De Wang ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jyh-Ming Hung

    IPC分类号： H04N5/335

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/1463

    摘要： Provided is an image sensor device including a substrate with a pixel region and a peripheral region. A first isolation structure is formed on the substrate in the pixel region. The first isolation structure includes a trench having a first depth. A second isolation structure is formed on the substrate in the peripheral region. The second isolation structure includes a trench having a second depth. The first depth is greater than the second depth.

    摘要翻译： 提供了一种包括具有像素区域和周边区域的基板的图像传感器装置。 在像素区域中的衬底上形成第一隔离结构。 第一隔离结构包括具有第一深度的沟槽。 在周边区域的基板上形成第二隔离结构。 第二隔离结构包括具有第二深度的沟槽。 第一个深度大于第二个深度。

    Isolation for Semiconductor Devices
    28.
    发明申请
    Isolation for Semiconductor Devices 有权
    半导体器件隔离

    公开(公告)号：US20140061737A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13598275

    申请日：2012-08-29

    申请人： Wen-I Hsu ,  Min-Feng Kao ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Wen-De Wang

    发明人： Wen-I Hsu ,  Min-Feng Kao ,  Jen-Cheng Liu ,  Dun-Nian Yaung ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Wen-De Wang

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0649

    摘要： A system and method for isolating semiconductor devices is provided. An embodiment comprises an isolation region that is laterally removed from source/drain regions of semiconductor devices and has a dielectric material extending over the isolation implant between the source/drain regions. The isolation region may be formed by forming an opening through a layer over the substrate, depositing a dielectric material along the sidewalls of the opening, implanting ions into the substrate after the deposition, and filling the opening with another dielectric material.

    摘要翻译： 提供一种用于隔离半导体器件的系统和方法。 一个实施例包括从半导体器件的源极/漏极区域侧向移除的隔离区域，并且具有在源极/漏极区域之间的隔离注入物上延伸的介电材料。 可以通过在衬底上形成通过层的开口形成隔离区域，沿着开口的侧壁沉积电介质材料，在沉积之后将离子注入到衬底中，并用另一种电介质材料填充该开口。