公开(公告)号：US20060151819A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11373080

申请日：2006-03-09

申请人： Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Stefan Gernhardt ,  Rainer Bruchhaus ,  Andreas Hilliger ,  Uwe Wellhausen

发明人： Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Stefan Gernhardt ,  Rainer Bruchhaus ,  Andreas Hilliger ,  Uwe Wellhausen

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L28/55

摘要： An FeRAM comprising includes a ferroelectric material sandwiched between a top electrode and a bottom electrode. A V0-contact provides an electrical connection with an underlying CS-contact. The V0-contact is aligned using the bottom electrode. A liner layer covers a sidewall of the bottom electrode and provides a stop to an etch a hole forming the V0-contact. A method is utilized to form a V0-contact in an FeRAM comprising. An Fe capacitor of the FeRAM is encapsulated, a bottom electrode is etched, a liner layer is deposited covering a sidewall of the bottom electrode, and a hole is etched for the V0-contact until the etching is stopped by the liner layer.

摘要翻译： FeRAM包括夹在顶电极和底电极之间的铁电材料。 V0触点提供与底层CS触点的电气连接。 使用底部电极对齐V0触点。 衬里层覆盖底部电极的侧壁，并为蚀刻形成V0接触的孔提供停止。 在FeRAM中使用一种形成V0接触的方法，包括。 FeRAM的Fe电容器被封装，蚀刻底部电极，沉积覆盖底部电极的侧壁的衬层，并且蚀刻用于V0接触的孔，直到蚀刻被衬垫层停止。

公开(公告)号：US20050045932A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10651614

申请日：2003-08-29

申请人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Nicolas Nagel

发明人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Nicolas Nagel

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683

摘要： A process for the fabrication of a ferroelectric capacitor comprising depositing a layer of Ti 5 over an insulating layer 3 of Al2O3, and oxidising the Ti layer to form a TiO2 layer 7. Subsequently, a layer of PZT 9 is formed over the TiO2 layer 7. The PZT layer 9 is subjected to an annealing step in which, due to the presence of the TiO2 layer 7 it crystallises to form a layer 11 with a high degree of (111)-texture.

摘要翻译： 一种用于制造铁电电容器的方法，包括在Al 2 O 3的绝缘层3上沉积Ti 5层，并氧化Ti层以形成TiO 2层7.随后，在TiO 2层7上形成一层PZT 9 对PZT层9进行退火处理，其中由于TiO 2层7的存在，其结晶以形成具有高度（111） - 纹理的层11。

公开(公告)号：US20050023582A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10629326

申请日：2003-07-28

申请人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

发明人： Ulrich Egger ,  Haoren Zhuang ,  Rainer Bruchhaus

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/65

摘要： A ferroelectric capacitor is fabricated using a noble metal hardmask. A hardmask is deposited on a top electrode of a capacitor stack comprising a ferroelectric layer sandwiched between the top electrode and a bottom electrode. The top electrode is patterned according to the pattern of the hardmask by etching at a first temperature. The top electrode serves as the noble metal hardmask and the ferroelectric layer is patterned according to the pattern of the top electrode at a second temperature lower than the first temperature, resulting in the top electrode having sidewalls beveled relative to a top surface of the top electrode etching. The bottom electrode is etched at a third temperature to form the capacitor.

摘要翻译： 使用贵金属硬掩模制造铁电电容器。 硬掩模沉积在电容器堆叠的顶部电极上，该电容器堆叠包括夹在顶部电极和底部电极之间的铁电层。 根据硬掩模的图案，通过在第一温度下蚀刻来对顶部电极进行图案化。 顶部电极用作贵金属硬掩模，并且铁电层根据顶部电极的图案在低于第一温度的第二温度下被图案化，导致顶部电极具有相对于顶部电极的顶表面倾斜的侧壁 蚀刻。 在第三温度下蚀刻底部电极以形成电容器。

公开(公告)号：US20050013091A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10623461

申请日：2003-07-18

申请人： Andreas Hilliger ,  Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Rainer Bruchhaus ,  Stefan Gernhardt ,  Uwe Wellhausen ,  Bum-Ki Moon ,  Karl Hornik

发明人： Andreas Hilliger ,  Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Rainer Bruchhaus ,  Stefan Gernhardt ,  Uwe Wellhausen ,  Bum-Ki Moon ,  Karl Hornik

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L28/57

摘要： A multi-layer barrier for a ferroelectric capacitor includes an outdiffusion barrier layer permeable to both hydrogen and oxygen. The outdiffusion barrier layer covers the ferroelectric of the capacitor. Oxygen passes through the outdiffusion barrier layer into the ferroelectric during an oxygen anneal in order to repair damage to the ferroelectric caused during etching. The outdiffusion barrier layer reduces the decomposition of the ferroelectric by blocking molecules leaving the ferroelectric during the oxygen anneal. The multi-layer barrier also includes a hydrogen barrier layer deposited on the outdiffusion barrier layer after repair of the ferroelectric by the oxygen anneal. The hydrogen barrier layer allows the multi-layer barrier to block the passage of hydrogen into the ferroelectric during back-end processes.

摘要翻译： 用于铁电电容器的多层屏障包括可渗透氢和氧的扩散阻挡层。 外扩散阻挡层覆盖电容器的铁电体。 在氧退火期间，氧气通过外扩散阻挡层进入铁电体，以便修复在蚀刻期间引起的铁电体损坏。 扩散阻挡层通过在氧退火期间阻挡离开铁电体的分子来减少铁电体的分解。 多层屏障还包括通过氧退火修复铁电体之后沉积在扩散阻挡层上的氢阻挡层。 氢阻挡层允许多层屏障在后端工艺期间阻止氢气进入铁电体。

公开(公告)号：US06746877B1

公开(公告)日：2004-06-08

申请号：US10338798

申请日：2003-01-07

申请人： Karl Hornik ,  Ulrich Egger ,  Rainer Bruchhaus

发明人： Karl Hornik ,  Ulrich Egger ,  Rainer Bruchhaus

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/32134 ,  H01L28/60 ,  H01L28/88

摘要： A ferroelectric capacitor encapsulation method for preventing hydrogen damage to electrodes and ferroelectric material of the capacitor. In general terms, the method for encapsulating a capacitor includes etching a bottom electrode of a capacitor to expose an underlying wafer surface. An undercut is etched between the capacitor and the wafer surface. The undercut is refilled with a barrier layer to reduce the diffusion of hydrogen from the surface of the wafer into the capacitor.

摘要翻译： 一种用于防止对电容器的电极和铁电体材料的氢损伤的铁电电容器封装方法。 一般来说，封装电容器的方法包括蚀刻电容器的底部电极以暴露下面的晶片表面。 在电容器和晶片表面之间蚀刻底切。 底切被重新填充阻挡层以减少氢从晶片表面扩散到电容器中。

公开(公告)号：US06440210B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09787378

申请日：2001-03-16

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Dana Pitzer ,  Robert Primig ,  Matthias Schreiter

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Dana Pitzer ,  Robert Primig ,  Matthias Schreiter

IPC分类号： C30B102

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/31691

摘要： A method for producing self-polarized ferroelectric layers, in particular PZT layers, with a rhombohedral crystal structure includes providing a substrate and heating it to a temperature T1. Afterward the layer with a rhombohedral crystal structure is applied to the substrate by means of a sputtering method. This layer includes a Zr-deficient layer with a Curie temperature TC1 and a Zr-abundant layer with a Curie temperature TC2 wherein TC2

摘要翻译： 用于制造具有菱形晶体结构的自极化铁电体层，特别是PZT层的方法包括提供衬底并将其加热到温度T1。 之后，通过溅射法将具有菱形晶体结构的层施加到衬底。 该层包括具有居里温度TC1的Zr缺陷层和具有居里温度TC2的Zr丰富层，其中TC2

公开(公告)号：US5684302A

公开(公告)日：1997-11-04

申请号：US581590

申请日：1996-01-17

申请人： Wolfram Wersing ,  Rainer Bruchhaus

发明人： Wolfram Wersing ,  Rainer Bruchhaus

IPC分类号： G01J1/02 ,  G01J5/34 ,  H01L37/02

CPC分类号： H01L37/02 ,  G01J5/34

摘要： A novel pyrodetector element is produced by oriented growth, with the aid of buffer layers, above a monocrystalline silicon substrate and thus enables the fabrication of an array of pyrodetectors having read-out and amplifier circuitry integrated on the common substrate. Proposed as the buffer layers are yttrium-stabilized zirconium oxide YSZ or magnesium oxide above an interlayer made of spinel.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE94 / 00785 Sec。 371日期1996年1月16日 102（e）日期1996年1月16日PCT提交1994年7月8日PCT公布。 公开号WO95 / 02904 日期1995年1月26日通过定向生长，借助于缓冲层，在单晶硅衬底之上产生新的热解测试元件，因此能够制造具有集成在公共衬底上的读出和放大器电路的热解探测器阵列。 提出缓冲层是由尖晶石制成的中间层上的钇稳定的氧化锆YSZ或氧化镁。

公开(公告)号：US07378700B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11373080

申请日：2006-03-09

申请人： Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Stefan Gernhardt ,  Rainer Bruchhaus ,  Andreas Hilliger ,  Uwe Wellhausen

发明人： Jingyu Lian ,  Nicolas Nagel ,  Stefan Gernhardt ,  Rainer Bruchhaus ,  Andreas Hilliger ,  Uwe Wellhausen

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L28/55

摘要： An FeRAM comprising includes a ferroelectric material sandwiched between a top electrode and a bottom electrode. A V0-contact provides an electrical connection with an underlying CS-contact. The V0-contact is aligned using the bottom electrode. A liner layer covers a sidewall of the bottom electrode and provides a stop to an etch a hole forming the V0-contact. A method is utilized to form a V0-contact in an FeRAM comprising. An Fe capacitor of the FeRAM is encapsulated, a bottom electrode is etched, a liner layer is deposited covering a sidewall of the bottom electrode, and a hole is etched for the V0-contact until the etching is stopped by the liner layer.

摘要翻译： FeRAM包括夹在顶电极和底电极之间的铁电材料。 V0触点提供与底层CS触点的电气连接。 使用底部电极对齐V0触点。 衬里层覆盖底部电极的侧壁，并为蚀刻形成V0接触的孔提供停止。 在FeRAM中使用一种形成V0接触的方法，包括。 FeRAM的Fe电容器被封装，蚀刻底部电极，沉积覆盖底部电极的侧壁的衬层，并且蚀刻用于V0接触的孔，直到蚀刻被衬垫层停止。

公开(公告)号：US07361549B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11185473

申请日：2005-07-20

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Martin Gutsche

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Martin Gutsche

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： The invention provides a method for fabricating a memory device having memory cells which are formed on a microstructured driving unit (100), in which method a shaping layer (104) is provided and is patterned in such a manner that vertical trench structures (105) are formed perpendicular to the surface of the driving unit (100). Deposition of a seed layer (106) on side walls (105a) of the trench structures (105) allows a crystallization agent (107) which has filled the trench structures (105), during crystallization, to have grain boundaries perpendicular to electrode surfaces that are to be formed. This provides memory cells based on vertical ferroelectric capacitors in a chain FeRAM structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于制造具有形成在微结构驱动单元（100）上的存储单元的存储器件的方法，其中提供了一种成形层（104），并以垂直沟槽结构（105） 垂直于驱动单元（100）的表面形成。 在沟槽结构（105）的侧壁（105a）上沉积种子层（106）允许在结晶过程中填充了沟槽结构（105）的结晶剂（107）具有垂直于电极表面的晶界 将要形成。 这提供了基于连续FeRAM结构的垂直铁电电容器的存储单元。

公开(公告)号：US07316980B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US10678758

申请日：2003-10-02

申请人： Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger ,  Rainer Bruchhaus ,  Karl Hornik ,  Jenny Lian ,  Stefan Gernhardt

发明人： Haoren Zhuang ,  Ulrich Egger ,  Rainer Bruchhaus ,  Karl Hornik ,  Jenny Lian ,  Stefan Gernhardt

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

摘要： Ferrocapacitors having a vertical structure are formed by a process in which a ferroelectric layer is deposited over an insulator. In a first etching stage, the ferroelectric material is etched to form openings in it, leaving the insulating layer substantially intact. Then a conductive layer is deposited into the openings formed in the ferroelectric layer, forming electrodes on the sides of the openings. Further etching is performed to form gaps in the Al2O3 layer, for making connections to conductive elements beneath it. Thus, by the time the second etching step is performed; there are already electrodes overlying the sides of the ferroelectric material, without insulating fences in between.

摘要翻译： 具有垂直结构的铁电体通过在绝缘体上沉积铁电体层的工艺形成。 在第一蚀刻阶段中，铁电材料被蚀刻以在其中形成开口，从而使绝缘层基本上完好无损。 然后，将导电层沉积到形成在铁电层中的开口中，在开口的侧面形成电极。 执行进一步蚀刻以在Al 2 O 3层中形成间隙，以便连接到其下方的导电元件。 因此，在进行第二蚀刻步骤的时候， 已经有电极覆盖在铁电材料的两侧，其间没有绝缘栅栏。