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    Sorting and stacking apparatus
    24.
    发明授权
    Sorting and stacking apparatus 失效
    分拣和堆垛设备

    公开(公告)号：US4653647A

    公开(公告)日：1987-03-31

    申请号：US882433

    申请日：1986-07-07

    申请人： Susumu Hashimoto

    发明人： Susumu Hashimoto

    IPC分类号： G07D3/00 ,  B07C3/08 ,  G06F7/06 ,  G07D11/00 ,  G07F19/00 ,  B07C5/342

    CPC分类号： G07F19/20 ,  G06F7/06 ,  G07D11/0084 ,  G07F19/203

    摘要： A sorting and stacking apparatus has a currency note feeding section for feeding currency notes one at a time; and a currency note inspecting section for inspecting the denomination of a currency note, a normal note, a damaged note, an obverse-presented note and a reverse-presented note. The currency notes of a predetermined denomination among the currency notes fed by the currency note feeding section are fed to a first stacking section having first and second pockets while currency notes of other denominations are fed to the second stacking section. When the first pocket of the first stacking section is filled with the currency notes, the transport path of the currency note is automatically switched toward the second pocket. Subsequent currency notes are thus stacked in the second pocket of the first stacking section.

    摘要翻译： 分拣和堆垛装置具有用于一次一个地馈送钞票的钞票馈送部分; 以及用于检查货币单位面额，正常票据，损坏票据，正面现金票据和反向笔记的货币单据检查部分。 由纸币供给部分馈送的纸币中的预定面额的纸币被馈送到具有第一和第二袋的第一堆叠部分，而其他面额的纸币被馈送到第二堆叠部分。 当第一个堆叠部分的第一个口袋里充满了纸币时，钞票的输送路径自动切换到第二个口袋。 随后的纸币因此堆叠在第一堆叠部分的第二个袋中。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    26.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20120182647A1

    公开(公告)日：2012-07-19

    申请号：US13360856

    申请日：2012-01-30

    申请人： Hiromi Fuke ,  Susumu Hashimoto ,  Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki

    发明人： Hiromi Fuke ,  Susumu Hashimoto ,  Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki

    IPC分类号： G11B5/39 ,  C23C8/00

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1107

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes a first ferromagnetic layer a magnetization direction of which is pinned, a second ferromagnetic layer a magnetization direction of which is changed depending on an external magnetic field, an intermediate layer arranged between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer and including an insulating layer and a magnetic conductive column, an alloy layer formed between the magnetic conductive column in the intermediate layer and the second ferromagnetic layer and including at least one of FeCoAl and FeCoAlCu, and a pair of electrodes configured to supply a current perpendicularly to a film plane of a stacked film including the first ferromagnetic layer, the intermediate layer, the alloy layer and the second ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括其磁化方向被钉扎的第一铁磁层，其磁化方向根据外部磁场而改变的第二铁磁层，布置在第一铁磁层和第二铁磁层之间的中间层 第二铁磁层，并且包括绝缘层和导电柱，在中间层中的导电柱和第二铁磁层之间形成并且包括FeCoAl和FeCoAlCu中的至少一种的合金层，以及一对电极， 垂直于包括第一铁磁层，中间层，合金层和第二铁磁层的层叠膜的膜平面的电流。

    Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive element
    27.
    发明授权
    Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive element 有权
    用于制造磁阻元件的方法和装置

    公开(公告)号：US08153188B2

    公开(公告)日：2012-04-10

    申请号：US12248578

    申请日：2008-10-09

    申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hiromi Yuasa ,  Susumu Hashimoto ,  Hitoshi Iwasaki

    发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hiromi Yuasa ,  Susumu Hashimoto ,  Hitoshi Iwasaki

    IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/00 ,  G11B5/62 ,  H05H1/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/115

    摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a magnetoresistive element having a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, and a spacer layer including an insulating layer provided between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer and current paths penetrating into the insulating layer. A process of forming the spacer layer in the method includes depositing a first metal layer forming the metal paths, depositing a second metal layer on the first metal layer, performing a pretreatment of irradiating the second metal layer with an ion beam or a RF plasma of a rare gas, and converting the second metal layer into the insulating layer by means of supplying an oxidation gas or a nitriding gas.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造具有磁化钉扎层，磁化自由层和间隔层的磁阻元件的方法，所述隔离层包括设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的绝缘层，以及穿透绝缘层的电流路径 。 在该方法中形成间隔层的工艺包括沉积形成金属路径的第一金属层，在第一金属层上沉积第二金属层，执行用离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理 稀有气体，并且通过供给氧化气体或氮化气体将第二金属层转化为绝缘层。

    Endoscope control device
    28.
    发明授权
    Endoscope control device 有权
    内窥镜控制装置

    公开(公告)号：US08033986B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US11642235

    申请日：2006-12-20

    申请人： Atsushi Shimada ,  Yusuke Yabe ,  Susumu Hashimoto ,  Tomoya Takahashi

    发明人： Atsushi Shimada ,  Yusuke Yabe ,  Susumu Hashimoto ,  Tomoya Takahashi

    IPC分类号： A61B1/00 ,  A61B1/04 ,  A61B1/06

    CPC分类号： G02B23/2476 ,  A61B1/00055 ,  A61B1/0669 ,  H04N5/232 ,  H04N2005/2255

    摘要： An endoscope control device includes: a safety maintaining circuit for maintaining safety in terms of function or use-purpose of the endoscope control device; a control section for controlling operation of the endoscope control device; and an activation section for activating the control section, wherein the safety maintaining circuit is formed in the same device as at least one of the control section and the activation section.

    摘要翻译： 一种内窥镜控制装置，包括：安全保持电路，用于在所述内窥镜控制装置的功能或用途方面保持安全性; 控制部，其控制所述内窥镜控制装置的动作; 以及用于启动所述控制部分的激活部分，其中所述安全维持电路形成在与所述控制部分和所述激活部分中的至少一个相同的装置中。

    Cover support mechanism and image forming apparatus incorporating the same
    29.
    发明授权
    Cover support mechanism and image forming apparatus incorporating the same 有权
    盖支撑机构和包括其的图像形成装置

    公开(公告)号：US08029129B2

    公开(公告)日：2011-10-04

    申请号：US11717695

    申请日：2007-03-14

    申请人： Susumu Hashimoto ,  Jinichi Nagata ,  Hidetoshi Kaneko ,  Yasunobu Ohkawa

    发明人： Susumu Hashimoto ,  Jinichi Nagata ,  Hidetoshi Kaneko ,  Yasunobu Ohkawa

    IPC分类号： B41J29/13 ,  G03G21/00

    CPC分类号： B41J29/13 ,  H04N1/00543 ,  H04N1/00546 ,  Y10S292/15

    摘要： A cover support mechanism regulates an opening angle of an openable cover with respect to a chassis of an electronic device. The cover constitutes a portion of the chassis. The mechanism has a cord shaped or tape shaped stopper, and a support unit. The stopper has a first end portion and a second end portion, the first end portion being fixed to the cover. The support unit supports the second end portion of the stopper. The support unit is provided to the electronic device. The support unit has a receiving portion, a biasing member, and a braking unit. The receiving portion has a space for pulling in the second end portion of the stopper. The biasing member applies force to the stopper for pulling in the stopper into the receiving portion. The braking unit applies frictional force to the stopper when the cover is opened.

    摘要翻译： 盖支撑机构调节可打开盖相对于电子设备的底盘的打开角度。 盖构成机箱的一部分。 该机构具有线形或带状止动器和支撑单元。 止动件具有第一端部和第二端部，第一端部固定到盖上。 支撑单元支撑止动器的第二端部。 支撑单元被提供给电子设备。 支撑单元具有接收部分，偏置构件和制动单元。 接收部具有用于拉动止动件的第二端部的空间。 偏置构件向制动器施加力以将止动件拉入接收部分。 当盖打开时，制动单元向制动器施加摩擦力。

    Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive element
    30.
    发明授权
    Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive element 有权
    用于制造磁阻元件的方法和装置

    公开(公告)号：US07514117B2

    公开(公告)日：2009-04-07

    申请号：US11199448

    申请日：2005-08-09

    申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hiromi Yuasa ,  Susumu Hashimoto ,  Hitoshi Iwasaki

    发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hiromi Yuasa ,  Susumu Hashimoto ,  Hitoshi Iwasaki

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/115

    摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a magnetoresistive element having a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, and a spacer layer including an insulating layer provided between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer and current paths penetrating into the insulating layer. A process of forming the spacer layer in the method includes depositing a first metal layer forming the metal paths, depositing a second metal layer on the first metal layer, performing a pretreatment of irradiating the second metal layer with an ion beam or a RF plasma of a rare gas, and converting the second metal layer into the insulating layer by means of supplying an oxidation gas or a nitriding gas.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造具有磁化钉扎层，磁化自由层和间隔层的磁阻元件的方法，所述隔离层包括设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的绝缘层，以及穿透绝缘层的电流路径 。 在该方法中形成间隔层的工艺包括沉积形成金属路径的第一金属层，在第一金属层上沉积第二金属层，执行用离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理 稀有气体，并且通过供给氧化气体或氮化气体将第二金属层转化为绝缘层。