公开(公告)号：US06766528B1

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US09492358

申请日：2000-01-27

申请人： Jae Ryong Kim ,  Mun Youl Lee ,  Sung A Cho ,  Sang Won Chung ,  Se Jung Sohn

发明人： Jae Ryong Kim ,  Mun Youl Lee ,  Sung A Cho ,  Sang Won Chung ,  Se Jung Sohn

IPC分类号： H04N5445

CPC分类号： H04N5/445 ,  H04N5/44543 ,  H04N21/4348 ,  H04N21/4622 ,  H04N21/4722 ,  H04N21/84

摘要： An apparatus and method for displaying additional information on a TV program is disclosed. In the present invention, both a detail information included in the additional information transmitted by a broadcasting station or detail information obtained from an external source such as the Internet may be displayed to a user, it requested.

摘要翻译： 公开了一种用于在TV节目上显示附加信息的装置和方法。 在本发明中，包括在广播电台发送的附加信息中的细节信息或者从因特网等外部源获得的详细信息都可以向用户显示。

公开(公告)号：US06344879B1

公开(公告)日：2002-02-05

申请号：US09492385

申请日：2000-01-27

申请人： Jae Ryong Kim ,  Mun Youl Lee ,  Sung A Cho ,  Sang Won Chung ,  Se Jung Sohn

发明人： Jae Ryong Kim ,  Mun Youl Lee ,  Sung A Cho ,  Sang Won Chung ,  Se Jung Sohn

IPC分类号： H04N544

CPC分类号： H04N1/00291 ,  H04N1/00294 ,  H04N5/4448 ,  H04N21/23412 ,  H04N21/23614 ,  H04N21/4348 ,  H04N21/44012 ,  H04N21/47205

摘要： An apparatus and method for capturing an object in a TV program to display or print an object selected by a user is disclosed. The present invention includes a media object description table decoder to generate a data file corresponding to the object captured among the image frames being displayed on a display unit.

摘要翻译： 公开了一种用于捕获电视节目中的对象以显示或打印由用户选择的对象的装置和方法。 本发明包括一种媒体对象描述表解码器，用于生成与显示在显示单元上的图像帧之间捕获的对象相对应的数据文件。

公开(公告)号：US09190407B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US14569597

申请日：2014-12-12

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices may include a semiconductor substrate with a first semiconductor fin aligned end-to-end with a second semiconductor with a recess between facing ends of the first and second semiconductor fins. A first insulator pattern is formed adjacent sidewalls of the first and second semiconductor fins and a second insulator pattern is formed within the first recess. The second insulator pattern may have a top surface higher than a top surface of the first insulator pattern, such as to the height of the top surface of the fins (or higher or lower). First and second gates extend along sidewalls and a top surface of the first semiconductor fin. A dummy gate electrode may be formed on the top surface of the second insulator. Methods for manufacture of the same and modifications are also disclosed.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有第一半导体鳍片的半导体衬底，第一半导体鳍片端对端与第二半导体对准，第二半导体在第一和第二半导体鳍片的相对端之间具有凹陷。 第一绝缘体图案形成在第一和第二半导体鳍片的相邻侧壁附近，并且在第一凹部内形成第二绝缘体图案。 第二绝缘体图案可以具有高于第一绝缘体图案的顶表面的顶表面，例如高于鳍片（或更高或更低）的顶表面的高度。 第一和第二栅极沿第一半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。 可以在第二绝缘体的顶表面上形成伪栅电极。 还公开了其制造方法和修改方案。

公开(公告)号：US20150032779A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14385712

申请日：2012-05-11

申请人： Jong Seok Kang ,  Seong Hwa Hong ,  Hyuck Jai Lee ,  Se Jung Ahn ,  Hyun Sang Jung ,  Yeong Ho Moon

发明人： Jong Seok Kang ,  Seong Hwa Hong ,  Hyuck Jai Lee ,  Se Jung Ahn ,  Hyun Sang Jung ,  Yeong Ho Moon

IPC分类号： G06F17/30 ,  H04L12/24

CPC分类号： G06F17/30292 ,  G06Q10/06 ,  G06Q50/184 ,  H04L41/50

摘要： The present invention relates to a method and system for constructing a database for a product demand/supply connection network of a technology market connection and analysis apparatus comprising a microprocessor for controlling the construction of a database for implementing a product demand/supply connection network, and further comprising the database for a product demand/supply connection network, in which information relating to the database generated in accordance with the control of the microprocessor is stored.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于构建技术市场连接的产品需求/供应连接网络的数据库的方法和系统，以及包括用于控制用于实施产品需求/供应连接网络的数据库的构造的微处理器的分析装置，以及 还包括用于产品需求/供应连接网络的数据库，其中存储与根据微处理器的控制生成的数据库有关的信息。

公开(公告)号：US20130240755A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13481625

申请日：2012-05-25

申请人： IL-MO KANG ,  KI-MIN RON ,  SE-JUNG CHI ,  SANG-MO KOH ,  CHUL-HO HEO

发明人： IL-MO KANG ,  KI-MIN RON ,  SE-JUNG CHI ,  SANG-MO KOH ,  CHUL-HO HEO

IPC分类号： G01N21/64

CPC分类号： A61B5/0071 ,  A61B2562/16 ,  G01N21/01 ,  G01N21/64 ,  G01N21/6447 ,  G01N33/24 ,  G01N2201/0646 ,  G01V8/02

摘要： Provided is a portable ultraviolet device for exploring a mineral resource. The portable ultraviolet device for exploring the mineral resource may include a body, a visible component, an ultraviolet lamp assembly, and a darkroom component. The visible component is coupled to the body to pass through the body so that a mineral resource disposed at a lower portion of the body is observed from an upper side of the body. The ultraviolet lamp assembly part is coupled to the body to emit ultraviolet rays onto the mineral resource. The darkroom component is coupled to a bottom surface of the body to surround the visible component and the ultraviolet lamp assembly and defines an external light blocking space having an openable inlet in a lower portion of the body.

摘要翻译： 提供了一种用于探索矿物资源的便携式紫外线装置。 用于探索矿物资源的便携式紫外线装置可以包括主体，可见部件，紫外灯组件和暗室部件。 可见部件联接到身体以穿过身体，从而从身体的上侧观察设置在身体下部的矿物质资源。 紫外线灯组件部分与身体耦合以向矿物资源发射紫外线。 暗室部件耦合到主体的底表面以包围可见部件和紫外灯组件，并且限定了在主体的下部具有可打开入口的外部光阻挡空间。

公开(公告)号：US08426852B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12923089

申请日：2010-09-01

申请人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

发明人： Jae-cheol Lee ,  Chang-seung Lee ,  Jae-gwan Chung ,  Eun-ha Lee ,  Anass Benayad ,  Sang-wook Kim ,  Se-jung Oh

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： Transistors and electronic apparatuses including the same are provided, the transistors include a channel layer on a substrate. The channel layer includes a zinc (Zn)-containing oxide. The transistors include a source and a drain, respectively, contacting opposing ends of the channel layer, a gate corresponding to the channel layer, and a gate insulating layer insulating the channel layer from the gate. The channel layer has a first surface adjacent to the substrate, a second surface facing the first surface, and a channel layer-protection portion on the second surface. The channel layer-protection portion includes a fluoride material.

摘要翻译： 提供了包括它们的晶体管和电子设备，晶体管包括在衬底上的沟道层。 沟道层包括含锌（Zn）的氧化物。 晶体管分别包括与沟道层的相对端接触的源极和漏极，对应于沟道层的栅极以及将沟道层与栅极绝缘的栅极绝缘层。 沟道层具有与基板相邻的第一表面，与第一表面相对的第二表面和在第二表面上的沟道层保护部分。 沟道层保护部分包括氟化物材料。

公开(公告)号：US20110207258A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13026963

申请日：2011-02-14

申请人： Heui-Gyun Ahn ,  Se-Jung Oh ,  In-Gyun Jeon ,  Jun-Ho Won

发明人： Heui-Gyun Ahn ,  Se-Jung Oh ,  In-Gyun Jeon ,  Jun-Ho Won

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078

摘要： A method for forming a pad in a wafer with a three-dimensional stacking structure includes: (a) a first process of bonding a device wafer and a handling wafer; (b) a second process of thinning a back side of an Si substrate which is formed on the device wafer, after the first process; (c) a third process of forming an anti-reflective layer and a PMD (preferential metal deposition) dielectric layer, after the second process; (d) a fourth process of forming vias on back sides of super contacts which are formed on the Si substrate, after the third process; and (e) a fifth process of forming a pad, after the fourth process.

摘要翻译： 用于在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法包括：（a）接合器件晶片和处理晶片的第一工艺; （b）在第一工序之后，使形成在器件晶片上的Si衬底的背面变薄的第二工序; （c）在第二工序之后形成抗反射层和PMD（优先金属沉积）介质层的第三工艺; （d）在第三工序之后在Si衬底上形成的超级触点的背面上形成通孔的第四工序; 和（e）在第四处理之后形成垫的第五工序。

公开(公告)号：US06793005B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US10298357

申请日：2002-11-18

申请人： Yoon-Sang Lee ,  Chang-Kyu Kim ,  Ki-Hwan Kim ,  Se-Jung Jang ,  Young-Joon Shin ,  Seong-Won Park

发明人： Yoon-Sang Lee ,  Chang-Kyu Kim ,  Ki-Hwan Kim ,  Se-Jung Jang ,  Young-Joon Shin ,  Seong-Won Park

IPC分类号： B22D1100

CPC分类号： B22D11/00 ,  B22D11/11

摘要： Disclosed are a method and an apparatus for continuously casting a uranium rod so that impurities generated in melting the metallic substance reduced from nuclear spent fuel are easily removed, the molten metal is easily degassed, the oxidation of uranium is prevented, and the molten metal does not remain in a crucible, thereby completely removing the noxious gas, improving the safety of work, allowing the workers to be close to the apparatus, reducing the consumption rate of the inert gas, completely preventing the oxidation of uranium, and being remotely controlled.

摘要翻译： 公开了一种用于连续铸造铀棒的方法和装置，使得容易除去从核废燃料中还原的金属物质熔化产生的杂质，熔融金属容易脱气，防止铀氧化，熔融金属 不残留在坩埚中，从而完全除去有害气体，提高工作安全性，使工人靠近设备，降低惰性气体的消耗速率，完全防止铀氧化，并进行远程控制。

公开(公告)号：US5978432A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US135819

申请日：1998-08-18

申请人： Chang-Kyu Kim ,  Ki-Hwan Kim ,  Se-Jung Jang ,  Eng-Soo Kim ,  Il-Hyun Kuk ,  Dong-Seong Sohn

发明人： Chang-Kyu Kim ,  Ki-Hwan Kim ,  Se-Jung Jang ,  Eng-Soo Kim ,  Il-Hyun Kuk ,  Dong-Seong Sohn

IPC分类号： B22F9/10 ,  C22C1/04 ,  G21C3/60

CPC分类号： G21C3/60 ,  B22F9/10 ,  C22C1/04 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  Y02E30/38 ,  Y10S376/901

摘要： The invention is directed to a high-density dispersion nuclear fuel having spherical particles of an uranium alloy dispersed in a nonfissionable matrix. The alloy includes uranium and 4-9 wt % Q, wherein Q is selected from the group consisting of Mo, Nb, and Zr. A process of manufacturing the spherical particles is also disclosed.

摘要翻译： 本发明涉及一种分散在不可裂变基质中的铀合金球形颗粒的高密度分散核燃料。 合金包括铀和4-9重量％的Q，其中Q选自Mo，Nb和Zr。 还公开了制造球形颗粒的方法。

公开(公告)号：US08916460B1

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US14270315

申请日：2014-05-05

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices may include a semiconductor substrate with a first semiconductor fin aligned end-to-end with a second semiconductor with a recess between facing ends of the first and second semiconductor fins. A first insulator pattern is formed adjacent sidewalls of the first and second semiconductor fins and a second insulator pattern is formed within the first recess. The second insulator pattern may have a top surface higher than a top surface of the first insulator pattern, such as to the height of the top surface of the fins (or higher or lower). First and second gates extend along sidewalls and a top surface of the first semiconductor fin. A dummy gate electrode may be formed on the top surface of the second insulator. Methods for manufacture of the same and modifications are also disclosed.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有第一半导体鳍片的半导体衬底，第一半导体鳍片端对端与第二半导体对准，第二半导体在第一和第二半导体鳍片的相对端之间具有凹陷。 第一绝缘体图案形成在第一和第二半导体鳍片的相邻侧壁附近，并且在第一凹部内形成第二绝缘体图案。 第二绝缘体图案可以具有高于第一绝缘体图案的顶表面的顶表面，例如高于鳍片（或更高或更低）的顶表面的高度。 第一和第二栅极沿第一半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。 可以在第二绝缘体的顶表面上形成伪栅电极。 还公开了其制造方法和修改方案。