公开(公告)号：US5764674A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US671995

申请日：1996-06-28

申请人： Mary K. Hibbs-Brenner ,  James R. Biard

发明人： Mary K. Hibbs-Brenner ,  James R. Biard

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/18308 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3432

摘要： A vertical cavity surface emitting laser having a planar structure, having an implantation or diffusion at the top of the mirror closest to the substrate or at the bottom of the mirror farthest from the substrate, to provide current confinement with the gain region, and having an active region and another mirror formed subsequent to the implantation or diffusion. This structure has an implantation or diffusion that does not damage or detrimentally affect the gain region, and does provide dimensions of current confinement that are accurately ascertained. Alternatively, the implantation or diffusion for current confinement may be placed within the top mirror, and several layers above the active region, still with minimal damage to the gain region and having a well-ascertained current confinement dimension.

摘要翻译： 具有平面结构的垂直空腔表面发射激光器，其具有在最靠近衬底的反射镜顶部处或在离衬底最远的镜子的底部处的注入或扩散，以提供与增益区域的电流限制，并且具有 活性区域和在植入或扩散之后形成的另一镜。 该结构具有不损坏或不利地影响增益区域的植入或扩散，并且确实提供准确确定的电流限制的尺寸。 或者，用于电流限制的注入或扩散可以放置在顶部反射镜内，并且在有源区上方的几个层仍然对增益区域具有最小的损害并具有良好确定的电流限制尺寸。

公开(公告)号：US4400054A

公开(公告)日：1983-08-23

申请号：US341873

申请日：1982-01-22

申请人： James R. Biard ,  John E. Shaunfield ,  Royce S. Speer

发明人： James R. Biard ,  John E. Shaunfield ,  Royce S. Speer

IPC分类号： G02B6/28 ,  G02B5/172

CPC分类号： G02B6/2808 ,  G02B6/2817

摘要： Disclosed is an optical data bus employing a passive optical coupler. The optical coupler includes a scrambler rod which is rectangular in cross section and employs solid substantially inflexible side arms which are also rectangular in cross section. The side arms include a mirrored prism to bend the light path and permit separation of the ends of the distribution side arms so that flexible fiber bundles may be attached to the ends of the distribution side arms.

摘要翻译： 公开了采用无源光耦合器的光数据总线。 光耦合器包括一个横截面为矩形的加扰杆，并采用横截面也是矩形的固体基本上不弯曲的侧臂。 侧臂包括用于弯曲光路并允许分配侧臂的端部分离的镜像棱镜，使得柔性纤维束可以附着到分布侧臂的端部。

公开(公告)号：US08039277B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US10486665

申请日：2002-08-12

申请人： Michael J. Haji-Sheikh ,  James R. Biard ,  James K. Guenter ,  Bobby M. Hawkins

发明人： Michael J. Haji-Sheikh ,  James R. Biard ,  James K. Guenter ,  Bobby M. Hawkins

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2856 ,  G01R31/275 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2863 ,  G01R31/2872 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/2884 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/005 ,  H01S5/423

摘要： Disclosed are methods for providing wafer parasitic current control to a semiconductor wafer (1240) having a substrate (1240), at least one active layer (1240) and at least one surface layer (1240), Current control can be achieved through the formation of patterns (1240) surrounding contacts (1215), said patterns (1240) including insulating implants and/or sacrificial layers formed between active devices represented by said contacts (1215). Current flows through active regions (1260) associated with said contacts (1215) and active devices. Methods of and systems for wafer level burn-in (WLBI) of semiconductor devices are also disclosed. Current control at the wafer level is important when using WLBI methods and systems.

摘要翻译： 公开了用于向具有衬底（1240），至少一个有源层（1240）和至少一个表面层（1240）的半导体晶片（1240）提供晶片寄生电流控制的方法，电流控制可以通过形成 围绕触点（1215）的图案（1240），所述图案（1240）包括在由所述触点（1215）表示的有源器件之间形成的绝缘植入物和/或牺牲层。 电流流过与所述触点（1215）和有源器件相关联的有源区（1260）。 还公开了半导体器件的晶片级老化（WLBI）的方法和系统。 使用WLBI方法和系统时，晶圆级的电流控制很重要。

公开(公告)号：US07746911B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11027383

申请日：2004-12-30

申请人： James K. Guenter ,  Jimmy A. Tatum ,  James R. Biard

发明人： James K. Guenter ,  Jimmy A. Tatum ,  James R. Biard

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/02

摘要： An optical structure that reduces the effects of spontaneous emissions from the active region of a laser. An optical structure includes optimizations to reduce the effects of spontaneous emissions. The optical structure includes a VCSEL with top and bottom DBR mirrors and an active region connected to the mirrors. The optical structure further includes a photodiode connected to the VCSEL. One or more optimizations may be included in the optical structure including optically absorbing materials, varying the geometry of the structure to change reflective angles, using optical apertures, changing the reflectivity of one or more mirrors, changing the photodiode to be more impervious to spontaneous emissions, and using ion implants to reduce photoluminescence efficiency.

摘要翻译： 一种降低激光器有源区自发发射效应的光学结构。 光学结构包括优化以减少自发辐射的影响。 光学结构包括具有顶部和底部DBR反射镜的VCSEL和连接到反射镜的有源区域。 光学结构还包括连接到VCSEL的光电二极管。 可以在光学结构中包括一个或多个优化，包括光学吸收材料，改变结构的几何形状以改变反射角度，使用光学孔径，改变一个或多个反射镜的反射率，将光电二极管改变为对自发辐射更为不透明 ，并使用离子注入来降低光致发光效率。

公开(公告)号：US07366217B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11027717

申请日：2004-12-30

申请人： James K. Guenter ,  Jimmy A. Tatum ,  James R. Biard

发明人： James K. Guenter ,  Jimmy A. Tatum ,  James R. Biard

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/06

CPC分类号： H01S5/0264 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/02

摘要： An optical structure that reduces the effects of spontaneous emissions from the active region of a laser. An optical structure includes optimizations to reduce the effects of spontaneous emissions. The optical structure includes a VCSEL with top and bottom DBR mirrors and an active region connected to the mirrors. The optical structure further includes a photodiode connected to the VCSEL. One or more optimizations may be included in the optical structure including optically absorbing materials, varying the geometry of the structure to change reflective angles, using optical apertures, changing the reflectivity of one or more mirrors, changing the photodiode to be more impervious to spontaneous emissions, and using ion implants to reduce photoluminescence efficiency.

摘要翻译： 一种降低激光器有源区自发发射效应的光学结构。 光学结构包括优化以减少自发辐射的影响。 光学结构包括具有顶部和底部DBR反射镜的VCSEL和连接到反射镜的有源区域。 光学结构还包括连接到VCSEL的光电二极管。 可以在光学结构中包括一个或多个优化，包括光学吸收材料，改变结构的几何形状以改变反射角度，使用光学孔径，改变一个或多个反射镜的反射率，将光电二极管改变为更多地不自发发射 ，并使用离子注入来降低光致发光效率。

公开(公告)号：US07324575B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10781590

申请日：2004-02-17

申请人： Bo Su Chen ,  James R. Biard

发明人： Bo Su Chen ,  James R. Biard

IPC分类号： H01S3/08

CPC分类号： G02B17/0856 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0683

摘要： A lens having a reflective surface, and systems that use such a lens. The lens includes a transmissive part for passing a portion of an incident light beam, and a reflective part for reflecting a portion of the incident light beam, and the reflective part is preferably substantially non-transmissive. Such a lens may be particularly suitable in systems that include a back monitor photo detector that is used for sampling and controlling the output power of a light source.

摘要翻译： 具有反射表面的透镜和使用这种透镜的系统。 透镜包括用于使入射光束的一部分通过的透射部分和用于反射入射光束的一部分的反射部分，并且反射部分优选地基本上不透射。 这种透镜可以特别适用于包括用于对光源的输出功率进行采样和控制的背面监视器光电检测器的系统。

公开(公告)号：US07009224B2

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10413186

申请日：2003-04-14

申请人： Ralph H. Johnson ,  James K. Guenter ,  James R. Biard

发明人： Ralph H. Johnson ,  James K. Guenter ,  James R. Biard

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y10S438/938

摘要： A metamorphic device including a substrate structure upon which a semiconductor device can be formed. In the metamorphic device, a buffer layer matching a substrate lattice constant is formed at normal growth temperatures and a thin grading layer which grades past the desired lattice constant is configured at a low temperature. A reverse grading layer grades the lattice constant back to match a desired lattice constant. Thereafter, a thick layer is formed thereon, based on the desired lattice constant. Annealing can then occur to isolate dislocated material in at least the grading layer and the reverse grading layer. Thereon a strained layer superlattice is created upon which a high-speed photodiode or other semiconductor device can be formed.

摘要翻译： 一种变质装置，其包括可以形成半导体器件的基板结构。 在变质装置中，在正常生长温度下形成与衬底晶格常数相匹配的缓冲层，并且在低温下配置经过所需晶格常数的薄分级层。 反向分级层将晶格常数回归以匹配所需的晶格常数。 此后，基于所需的晶格常数，在其上形成厚层。 然后可以发生退火以在至少分级层和反向分级层中分离脱位的材料。 在其上形成了可以形成高速光电二极管或其它半导体器件的应变层超晶格。

公开(公告)号：US06949473B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10156324

申请日：2002-05-24

申请人： James R. Biard ,  James K. Guenter

发明人： James R. Biard ,  James K. Guenter

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01S5/18313 ,  H01S5/2068

摘要： A method and system for identifying and/or removing an oxide-induced dead zone in a VCSEL structure is disclosed herein. In general, a VCSEL structure can be formed having at least one oxide layer and an oxide-induced dead zone thereof. A thermal annealing operation can then be performed upon the VCSEL structure to remove the oxide-induced dead zone, thereby permitting oxide VCSEL structures thereof to be reliably and consistently fabricated. An oxidation operation may initially be performed upon the VCSEL structure to form the oxide layer and the associated oxide-induced dead zone. The thermal annealing operation is preferably performed upon the VCSEL after performing a wet oxidation operation upon the VCSEL structure.

摘要翻译： 本文公开了用于识别和/或去除VCSEL结构中的氧化物诱导死区的方法和系统。 通常，可以形成具有至少一个氧化物层和氧化物诱导的死区的VCSEL结构。 然后可以在VCSEL结构上进行热退火操作以去除氧化物诱导的死区，从而允许可靠且一致地制造其氧化物VCSEL结构。 最初可以在VCSEL结构上进行氧化操作以形成氧化物层和相关联的氧化物诱导的死区。 优选在对VCSEL结构进行湿氧化操作之后，对VCSEL执行热退火操作。

公开(公告)号：US06816526B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10028436

申请日：2001-12-28

申请人： James R. Biard ,  James K. Guenter

发明人： James R. Biard ,  James K. Guenter

IPC分类号： H01S319

CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2063

摘要： A vertical cavity surface emitting laser with a current guide comprised of an ion implant region and an oxide structure. The oxide structure is beneficially formed first, then, a gain guide ion implant region is formed in or below the oxide structure. The ion implant region extends into an active region. The energy and dosage used when forming the ion implant gain guide can be selected to control the lateral sheet resistance and the active region's non-radiative recombination centers.

摘要翻译： 具有由离子注入区域和氧化物结构构成的电流引导件的垂直腔表面发射激光器。 首先有利地形成氧化物结构，然后在氧化物结构内或下形成增益导向离子注入区。 离子注入区域延伸到有源区域。 可以选择形成离子注入增益指引时所使用的能量和剂量来控制侧向电阻和有源区的非辐射复合中心。

公开(公告)号：US5572058A

公开(公告)日：1996-11-05

申请号：US503167

申请日：1995-07-17

申请人： James R. Biard

发明人： James R. Biard

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L29/82 ,  H01L43/00

CPC分类号： G01R33/077 ,  H01L27/22 ,  Y10S73/03

摘要： A vertical Hall element is formed within the epitaxial layer of a semiconductor and isolated from other components by a P type isolation diffusion. A position defining diffusion is used to accurately locate a plurality of openings within the position defining diffusion where contact diffusions are made. The position defining diffusion is made simultaneously with the base diffusion for transistors within the integrated circuit and the contact diffusions are made simultaneously with the emitter diffusion of transistors within the integrated circuit. Five contact diffusions are provided on the upper surface of the epitaxial layer and generally aligned within the region defined as the Hall element by the isolation diffusions. The center contact is used to provide electrical current flowing through the Hall effect element. Electrical current is split and flows to the two end contact diffusions. The remaining two contact diffusions are used as sensing contacts and are each placed between the center contact and one of the two end contacts. By using the openings within the base diffusion, the contact diffusions can be accurately located and sized in order to improve the efficiency, sensitivity and accuracy of the vertical Hall element.

摘要翻译： 垂直霍尔元件形成在半导体的外延层内，并通过P型隔离扩散与其它元件隔离。 使用限定扩散的位置来精确地定位在形成接触扩散的限定扩散的位置内的多个开口。 定义扩散的位置与集成电路内的晶体管的基极扩散同时进行，并且接触扩散与集成电路内的晶体管的发射极扩散同时进行。 在外延层的上表面上提供了五个接触扩散，并且通过隔离扩散在通常被定义为霍尔元件的区域内对齐。 中心触点用于提供流经霍尔效应元件的电流。 电流分流并流到两端接触扩散。 剩余的两个接触扩散用作感测触点，并且分别放置在中心触点和两个端部触点中的一个之间。 通过使用基底扩散部内的开口，可以精确地定位和设定接触扩散，以提高垂直霍尔元件的效率，灵敏度和精度。