公开(公告)号：US20050133363A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US11031545

申请日：2005-01-08

申请人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Feng Liu ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Paul Butterfield ,  Yuan Tian ,  Sen-Hou Ko

发明人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Feng Liu ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Paul Butterfield ,  Yuan Tian ,  Sen-Hou Ko

IPC分类号： B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/04 ,  B24B53/007 ,  B24D13/14 ,  H01L21/321 ,  C25D17/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/14 ,  B24B37/16 ,  B24B37/205 ,  B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125 ,  Y10T428/249924

摘要： Embodiments of a polishing article for processing a substrate are provided. In one embodiment, a polishing article for processing a substrate comprises a fabric layer having a conductive layer disposed thereover. The conductive layer has an exposed surface adapted to polish a substrate. The fabric layer may be woven or non-woven. The conductive layer may be comprised of a soft metal and, in one embodiment, the exposed surface may be planar.

摘要翻译： 提供了用于处理基板的抛光制品的实施例。 在一个实施例中，用于处理衬底的抛光制品包括其上设置有导电层的织物层。 导电层具有适于抛光衬底的暴露表面。 织物层可以是编织的或非织造的。 导电层可以由软金属构成，并且在一个实施例中，暴露的表面可以是平面的。

公开(公告)号：US20050000801A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10880752

申请日：2004-06-30

申请人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald Olgado ,  Paul Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

发明人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald Olgado ,  Paul Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

IPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16 ,  B24B53/007 ,  B24D13/14 ,  H01L21/321 ,  C25D17/00

CPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/16 ,  B24B49/16 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method and apparatus for processing a substrate in an electrochemical mechanical planarizing system. In one embodiment, a cell for polishing a substrate includes a processing pad disposed on a top surface of a platen assembly. A plurality of conductive elements are arranged in a spaced-apart relation across the upper planarizing surface and adapted to bias the substrate relative to an electrode disposed between the pad and the platen assembly. A plurality of passages are formed through the platen assembly between the top surface and a plenum defined within the platen assembly. In another embodiment, a system is provided having a bulk processing cell and a residual processing cell. The residual processing cell includes a biased conductive planarizing surface. In further embodiments, the conductive element is protected from attack by process chemistries.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供用于在电化学机械平面化系统中处理基底的方法和装置。 在一个实施例中，用于抛光衬底的单元包括设置在压板组件的顶表面上的处理衬垫。 多个导电元件跨过上平坦化表面以间隔的关系布置，并且适于相对于设置在垫和压板组件之间的电极偏压衬底。 多个通道通过压板组件形成在顶表面和限定在压板组件内的气室之间。 在另一个实施例中，提供了具有批处理单元和残余处理单元的系统。 残余处理单元包括偏置的导电平面化表面。 在另外的实施方案中，保护导电元件免受过程化学物质的侵蚀。

公开(公告)号：US20060006074A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11196876

申请日：2005-08-04

申请人： Feng Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

发明人： Feng Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

IPC分类号： B23H5/00

CPC分类号： B23H5/08 ,  B24B37/042 ,  C25F3/02 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/7684

摘要： Polishing compositions and methods for removing conductive materials from a substrate surface are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate to remove conductive material disposed over narrow feature definitions formed in a substrate at a higher removal rate than conductive material disposed over wide feature definitions formed in a substrate by an electrochemical mechanical polishing technique, and then polishing the substrate by at least a chemical mechanical polishing technique.

摘要翻译： 提供了抛光组合物和从衬底表面去除导电材料的方法。 在一个方面，提供了一种处理衬底以除去布置在形成于衬底中的窄特征定义上的导电材料的方法，该导电材料以比通过电化学机械抛光技术在衬底中形成的宽特征定义上布置的导电材料更高的去除速率除去，以及 然后用至少一种化学机械抛光技术研磨衬底。

公开(公告)号：US20080108288A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11934878

申请日：2007-11-05

申请人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Stan Tsai ,  Feng Liu ,  Liang-Yuh Chen ,  Robert Ewald

发明人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Stan Tsai ,  Feng Liu ,  Liang-Yuh Chen ,  Robert Ewald

IPC分类号： B24B39/06 ,  H01L21/3105

CPC分类号： B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/14 ,  B24B37/16 ,  B24B37/205 ,  B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125

摘要： Embodiments of a polishing article for processing a substrate are provided. In one embodiment, a polishing article for processing a substrate comprises a fabric layer having a conductive layer disposed thereover. The conductive layer has an exposed surface adapted to polish a substrate. The fabric layer may be woven or non-woven. The conductive layer may be comprised of a soft material and, in one embodiment, the exposed surface may be planar.

摘要翻译： 提供了用于处理基板的抛光制品的实施例。 在一个实施例中，用于处理衬底的抛光制品包括其上设置有导电层的织物层。 导电层具有适于抛光衬底的暴露表面。 织物层可以是编织的或非织造的。 导电层可以由软质材料组成，并且在一个实施例中，暴露表面可以是平面的。

公开(公告)号：US07628905B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11475583

申请日：2006-06-27

申请人： Antoine P. Manens ,  Alain Duboust ,  Siew S. Neo ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Antoine P. Manens ,  Alain Duboust ,  Siew S. Neo ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B23H3/02

CPC分类号： B24B49/04 ,  B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B49/16 ,  C25F3/02 ,  C25F7/00 ,  G05B2219/45232 ,  G05B2219/49085 ,  H04N1/00

摘要： Method and apparatus for process control of electro-processes. The method includes electro-processing a wafer by the application of two or more biases and determining an amount of charge removed as a result of each bias, separately. In one embodiment, an endpoint is determined for each bias when the amount of charge removed for a bias substantially equals a respective target charge calculated for the bias.

摘要翻译： 电工艺过程控制的方法和装置。 该方法包括通过施加两个或更多个偏压来电晶体处理，并且分别确定作为每个偏压的结果去除的电荷量。 在一个实施例中，当针对偏置移除的电荷量基本上等于针对偏置计算的相应目标电荷时，针对每个偏置确定端点。

公开(公告)号：US07112270B2

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10456851

申请日：2003-06-06

申请人： Antoine P. Manens ,  Alain Duboust ,  Siew S. Neo ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Antoine P. Manens ,  Alain Duboust ,  Siew S. Neo ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： H05K3/07

CPC分类号： B24B49/04 ,  B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B49/16 ,  C25F3/02 ,  C25F7/00 ,  G05B2219/45232 ,  G05B2219/49085 ,  H04N1/00

摘要： Method and apparatus for process control of electro-processes. The method includes electro-processing a wafer by the application of two or more biases and determining an amount of charge removed as a result of each bias, separately. In one embodiment, an endpoint is determined for each bias when the amount of charge removed for a bias substantially equals a respective target charge calculated for the bias.

公开(公告)号：US07008554B2

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10193810

申请日：2002-07-11

申请人： Stan D. Tsai ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Lizhong Sun ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Stan D. Tsai ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Lizhong Sun ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： Compositions and methods for removal of barrier layer materials by a chemical mechanical polishing technique are provided. In one aspect, the invention provides a composition adapted for removing a barrier layer material in a chemical mechanical polishing technique including at least one reducing agent selected from the group of bicarboxylic acids, tricarboxylic acids, and combinations thereof, at least one reducing agent selected from the group of glucose, hydroxylamine, and combinations thereof, and deionized water, wherein the composition has a pH of about 7 or less. The composition may be used in a method for removing the barrier layer material including applying the composition to a polishing pad and polishing the substrate in the presence of the composition to remove the barrier layer.

公开(公告)号：US07390744B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11130032

申请日：2005-05-16

申请人： Renhe Jia ,  Feng Q. Liu ,  Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Renhe Jia ,  Feng Q. Liu ,  Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B23H5/08 ,  C09G1/02 ,  C11D3/1213 ,  C11D3/124 ,  C11D3/14 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0041 ,  C25F3/02 ,  C25F3/08 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684

摘要： Polishing compositions and methods for removing conductive materials and barrier materials from a substrate surface are provided. Polishing compositions are provided for removing at least a barrier material from a substrate surface by a chemical mechanical polishing process or by an electrochemical mechanical polishing process. The polishing compositions used in barrier removal may further be used after a process for electrochemical mechanical planarization process of a conductive material. The polishing compositions and methods described herein improve the effective removal rate of materials from the substrate surface with a reduction in planarization type defects.

摘要翻译： 提供了抛光组合物和从衬底表面去除导电材料和阻挡材料的方法。 提供抛光组合物用于通过化学机械抛光工艺或通过电化学机械抛光工艺从衬底表面去除至少一种阻挡材料。 用于屏障去除的抛光组合物可以在导电材料的电化学机械平面化工艺的过程之后进一步使用。 本文所述的抛光组合物和方法改善了材料从衬底表面的有效去除速率，同时降低了平面化型缺陷。

公开(公告)号：US07375023B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11393999

申请日：2006-03-30

申请人： Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Lizhong Sun ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Rashid Mavliev ,  Ratson Morad ,  Daniel A. Carl

发明人： Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Lizhong Sun ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Rashid Mavliev ,  Ratson Morad ,  Daniel A. Carl

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16 ,  H01L21/3212 ,  Y02P80/30

摘要： Methods and apparatus for processing substrates to improve polishing uniformity, improve planarization, remove residual material and minimize defect formation are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate having a conductive material and a low dielectric constant material disposed thereon including polishing a substrate at a polishing pressures of about 2 psi or less and at platen rotational speeds of about 200 cps or greater. The polishing process may use an abrasive-containing polishing composition having up to about 1 wt. % of abrasives. The polishing process may be integrated into a multi-step polishing process.

摘要翻译： 提供了用于处理基板以改善抛光均匀性，改善平面化，去除残留材料并最小化缺陷形成的方法和装置。 在一个方面，提供了一种处理具有导电材料和设置在其上的低介电常数材料的衬底的方法，其包括在约2psi或更小的抛光压力和约200cps或更大的压板旋转速度下抛光衬底。 抛光工艺可以使用含有至多约1重量％的磨料的抛光组合物。 磨料的百分比。 抛光工艺可以集成到多步抛光工艺中。

公开(公告)号：US06821881B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10199444

申请日：2002-07-19

申请人： Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Lizhong Sun ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Rashid Mavliev ,  Ratson Morad ,  Daniel A. Carl

发明人： Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Lizhong Sun ,  Shijian Li ,  Feng Q. Liu ,  Rashid Mavliev ,  Ratson Morad ,  Daniel A. Carl

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16 ,  H01L21/3212 ,  Y02P80/30

摘要： Methods and apparatus for processing substrates to improve polishing uniformity, improve planarization, remove residual material and minimize defect formation are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate having a conductive material and a low dielectric constant material disposed thereon including polishing a substrate at a polishing pressures of about 2 psi or less and at platen rotational speeds of about 200 cps or greater. The polishing process may use an abrasive-containing polishing composition having up to about 1 wt. % of abrasives. The polishing process may be integrated into a multi-step polishing process.

摘要翻译： 提供了用于处理基板以改善抛光均匀性，改善平面化，去除残留材料并最小化缺陷形成的方法和装置。 在一个方面，提供了一种用于处理具有导电材料和设置在其上的低介电常数材料的衬底的方法，其包括在约2psi或更小的抛光压力和约200cps或更高的压板旋转速度下抛光衬底。 抛光工艺可以使用含有至多约1重量％的磨料的抛光组合物。 磨料的百分比。 抛光工艺可以集成到多步抛光工艺中。