公开(公告)号：US07081409B2

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：US10877848

申请日：2004-06-25

申请人： Sang-Bom Kang ,  Jong-Myeong Lee ,  Kyung-In Choi ,  Gil-Heyun Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park ,  Sang-Woo Lee

发明人： Sang-Bom Kang ,  Jong-Myeong Lee ,  Kyung-In Choi ,  Gil-Heyun Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park ,  Sang-Woo Lee

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/6659 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833

摘要： In a method for forming a gate electrode, a dielectric layer having a high dielectric constant is formed on a substrate. Tantalum amine derivatives represented by a chemical formula Ta(NR1)(NR2R3)3 in which R1, R2 and R3 represent H or C1–C6 alkyl group are introduced onto the dielectric layer to form a tantalum nitride layer. A capacitor metal layer or a gate metal layer is formed on the tantalum nitride layer. The capacitor metal layer or the gate metal layer and the tantalum nitride layer are patterned to form a capacitor electrode or a gate electrode. The tantalum amine derivatives are used in forming a dual gate electrode.

摘要翻译： 在形成栅电极的方法中，在基板上形成具有高介电常数的介电层。 由化学式Ta（NR 1）3（NR 2 R 3）3表示的钽胺衍生物，其中 R 1，R 2和R 3代表H或C 1 -C 6 >烷基引入到电介质层上以形成氮化钽层。 在氮化钽层上形成电容器金属层或栅极金属层。 将电容器金属层或栅极金属层和氮化钽层图案化以形成电容器电极或栅电极。 钽胺衍生物用于形成双栅电极。

公开(公告)号：US07056776B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10940159

申请日：2004-09-14

申请人： Seong-Geon Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  You-Kyoung Lee

发明人： Seong-Geon Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  You-Kyoung Lee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L27/0922

摘要： A semiconductor device has at least two different gate electrodes. The two different gate electrodes include a first gate electrode on a first gate insulation layer. The first gate electrode includes a first metal-containing conductive pattern on the first gate insulation layer and a second metal-containing conductive pattern. A second gate electrode is provided on a second gate insulation layer and includes a third metal-containing conductive material on the second gate insulation layer. The first metal-containing conductive pattern and the third metal-containing conductive pattern have different work functions from each other. A surface of the second metal-containing conductive pattern and a surface of the third metal-containing conductive pattern are substantially planar. Methods of fabrication such semiconductor devices are also provided.

摘要翻译： 半导体器件具有至少两个不同的栅电极。 两个不同的栅电极包括在第一栅绝缘层上的第一栅电极。 第一栅电极包括第一栅绝缘层上的第一含金属导电图案和第二含金属导电图案。 第二栅电极设置在第二栅绝缘层上，并且在第二栅绝缘层上包括第三含金属导电材料。 第一含金属导电图案和第三含金属导电图案具有彼此不同的功函数。 第二含金属导电图案的表面和第三含金属导电图案的表面基本上是平面的。 还提供了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20070032008A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11494100

申请日：2006-07-27

申请人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

发明人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate divided into an NMOS region and a PMOS region, a first gate pattern formed on the PMOS region, and a second gate pattern formed on the NMOS region. The first gate pattern includes a first gate oxide layer pattern, a metal oxide layer pattern, a silicon nitride layer pattern and a first polysilicon layer pattern that are sequentially stacked. The second gate pattern includes a second oxide layer pattern and a second polysilicon layer pattern. Related methods are also provided.

摘要翻译： 半导体器件包括分为NMOS区和PMOS区的衬底，形成在PMOS区上的第一栅极图案，以及形成在NMOS区上的第二栅极图案。 第一栅极图案包括依次层叠的第一栅极氧化物层图案，金属氧化物层图案，氮化硅层图案和第一多晶硅层图案。 第二栅极图案包括第二氧化物层图案和第二多晶硅层图案。 还提供了相关方法。

公开(公告)号：US20060019501A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US11180121

申请日：2005-07-13

申请人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： Methods of forming a thin film include applying a first reactant to a substrate, chemisorbing a first portion of the first reactant and physisorbing a second portion of the first reactant on the substrate, applying a first oxidizer to the substrate, chemically reacting the first oxidizer with the first portion of the first reactant to form a first solid material on the substrate, applying a second reactant to the first solid material, chemisorbing a first portion of the second reactant and physisorbing a second portion of the second reactant on the first solid material, applying a second oxidizer to the first solid material; and chemically reacting the second oxidizer with the first portion of the second reactant to form a second solid material on the first solid material.

摘要翻译： 形成薄膜的方法包括将第一反应物施加到基底，化学吸收第一反应物的第一部分并在基底上吸附第一反应物的第二部分，将第一氧化剂施加到基底上，使第一氧化剂与 所述第一反应物的第一部分在所述基底上形成第一固体材料，向所述第一固体材料施加第二反应物，化学吸附所述第二反应物的第一部分并在所述第一固体材料上吸附所述第二反应物的第二部分， 将第二氧化剂施加到所述第一固体材料; 以及使所述第二氧化剂与所述第二反应物的第一部分化学反应以在所述第一固体材料上形成第二固体材料。

公开(公告)号：US20140374840A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US14312109

申请日：2014-06-23

申请人： Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim ,  Moon-Kyu Park ,  Jae-Yeol Song ,  June-Hee Lee ,  Yong-Ho Ha ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim ,  Moon-Kyu Park ,  Jae-Yeol Song ,  June-Hee Lee ,  Yong-Ho Ha ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device includes a substrate and first and second gate electrodes on the substrate. The first gate electrode includes a first gate insulation film having a bottom portion on the substrate and sidewall portions extending from the bottom portion and away from the substrate defining a first trench having a first width and a first functional film filling the first trench. The second gate electrode includes a second gate insulation film having a bottom portion on the substrate and sidewall portions extending from the bottom portion defining a second trench having a second width different from the first width, a second functional film conforming to the second gate insulation film in the second trench and defining a third trench, and a metal region in the third trench. The first width may be less than the second width.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。 第一栅极电极包括第一栅极绝缘膜，该第一栅极绝缘膜具有在基板上的底部部分以及侧壁部分，其从底部延伸并远离基板限定具有第一宽度的第一沟槽和填充第一沟槽的第一功能膜。 所述第二栅电极包括第二栅极绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜具有在所述基板上的底部部分和从所述底部部分延伸的侧壁部分，所述侧壁部分限定具有不同于所述第一宽度的第二宽度的第二沟槽;第二功能膜， 在第二沟槽中并且限定第三沟槽，以及第三沟槽中的金属区域。 第一宽度可以小于第二宽度。

公开(公告)号：US20060035405A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/16

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US20060013946A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11182893

申请日：2005-07-15

申请人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A thin film structure is formed that includes hafnium silicon oxide using an atomic layer deposition process. A first reactant including tetrakis ethyl methyl amino hafnium (TEMAH) is introduced onto a substrate. A first portion of the first reactant is chemisorbed to the substrate, whereas a second portion of the first reactant is physorbed to the first portion of the first reactant. A first oxidant is provided onto the substrate. A first thin film including hafnium oxide is formed on the substrate by chemically reacting the first oxidant with the first portion of the first reactant. A second reactant including amino propyl tri ethoxy silane (APTES) is introduced onto the first thin film. A first portion of the second reactant is chemisorbed to the first thin film, whereas a second portion of the second reactant is physorbed to the first portion of the second reactant. A second oxidant is provided onto the first thin film. A second thin film including silicon oxide is formed on the first thin film by chemically reacting the second oxidant with the first portion of the second reactant.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成包括氧化铪的薄膜结构。 将包含四乙基甲基氨基铪（TEMAH）的第一反应物引入到基材上。 第一反应物的第一部分被化学吸附到基底上，而第一反应物的第二部分被物理吸附到第一反应物的第一部分。 第一氧化剂被提供到基底上。 通过使第一氧化剂与第一反应物的第一部分发生化学反应，在衬底上形成包括氧化铪的第一薄膜。 将包含氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）的第二反应物引入到第一薄膜上。 第二反应物的第一部分被化学吸附到第一薄膜，而第二反应物的第二部分被物理吸附到第二反应物的第一部分。 在第一薄膜上提供第二氧化剂。 通过使第二氧化剂与第二反应物的第一部分化学反应，在第一薄膜上形成包括氧化硅的第二薄膜。

公开(公告)号：US07459372B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/471 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US20070063295A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11522343

申请日：2006-09-18

申请人： In-Sang Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hye-Min Kim ,  Beom-Jun Jin

发明人： In-Sang Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hye-Min Kim ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： Example embodiments relate to a gate electrode, a method of forming the gate electrode, a transistor having the gate electrode, a method of manufacturing the transistor, a semiconductor device having the transistor and a method of manufacturing the semiconductor device. The gate electrode may include an embossing structure including a metal or a metal compound and having a first work function and a conductive layer pattern having a second work function formed on the embossing structure. A work function of the gate electrode may be adjusted between a work function of the embossing structure and a work function of the conductive layer pattern formed on the embossing structure. An NMOS transistor and a PMOS transistor having different work functions respectively may be formed on a substrate.

摘要翻译： 示例性实施例涉及栅电极，形成栅电极的方法，具有栅电极的晶体管，制造晶体管的方法，具有晶体管的半导体器件和制造半导体器件的方法。 栅电极可以包括包括金属或金属化合物并具有第一功函数的压花结构和在压花结构上形成的具有第二功函数的导电层图案。 可以在压花结构的功函数和形成在压花结构上的导电层图案的功函数之间调整栅电极的功函数。 可以在衬底上形成具有不同功函数的NMOS晶体管和PMOS晶体管。

公开(公告)号：US20120280330A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13422106

申请日：2012-03-16

申请人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim

发明人： Hye-Lan Lee ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Jin Hyun ,  Sang-Bom Kang ,  Jae-Jung Kim

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431

摘要： Semiconductor devices including first and second fin active regions protruding vertically from a substrate and integrally formed with the substrate, a gate insulation layer formed on the first and second fin active regions, a first gate metal contacting the gate insulation layer on the first fin active region, and a second gate metal contacting the first gate metal on the first fin active region and contacting the gate insulation layer on the second fin active region.

摘要翻译： 半导体器件包括从基板垂直突出并与基板一体形成的第一和第二鳍状物活性区域，形成在第一和第二鳍状物活性区域上的栅极绝缘层，与第一鳍状物活性区域上的栅极绝缘层接触的第一栅极金属 以及第二栅极金属，其与第一鳍状物活性区域上的第一栅极金属接触并且接触第二鳍状物活性区域上的栅极绝缘层。