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    METHODS OF FORMING ELECTRONIC DEVICES
    39.
    发明申请
    METHODS OF FORMING ELECTRONIC DEVICES 有权
    形成电子器件的方法

    公开(公告)号：US20160189953A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：US14972522

    申请日：2015-12-17

    Applicant: Dow Global Technologies LLC ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

    Inventor： Jong Keun Park ,  Phillip D. Hustad ,  Emad Aqad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Peter Trefonas, III ,  James W. Thackeray

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02359 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826

    Abstract: Methods of forming an electronic device comprise: (a) providing a semiconductor substrate comprising a porous feature on a surface thereof; (b) applying a composition over the porous feature, wherein the composition comprises a polymer and a solvent, wherein the polymer comprises a repeat unit of the following general formula (I): wherein: Ar1, Ar2, Ar3 and Ar4 independently represent an optionally substituted divalent aromatic group; X1 and X2 independently represent a single bond, —O—, —C(O)—, —C(O)O—, —OC(O)—, —C(O)NR1—, —NR2C(O)—, —S—, —S(O)—, —SO2— or an optionally substituted C1-20 divalent hydrocarbon group, wherein R1 and R2 independently represent H or a C1-20 hydrocarbyl group; m is 0 or 1; n is 0 or 1; and o is 0 or 1; and (c) heating the composition; wherein the polymer is disposed in pores of the porous feature. The methods find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices for forming low-k and ultra-low-k dielectric materials.

    Abstract translation: 形成电子器件的方法包括：（a）提供在其表面上包括多孔特征的半导体衬底; （b）在多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式（I）的重复单元：其中：Ar1，Ar2，Ar3和Ar4独立地表示任选地 取代二价芳基; X1和X2独立地表示单键，-O - ， - C（O） - ， - C（O）O-，-OC（O） - ， - C（O）NR 1 - ，-NR 2 C（O） -S - ， - S（O） - ， - SO 2 - 或任选取代的C 1-20二价烃基，其中R 1和R 2独立地表示H或C 1-20烃基; m为0或1; n为0或1; o为0或1; 和（c）加热组合物; 其中所述聚合物设置在所述多孔特征的孔中。 该方法在用于形成低k和超低k电介质材料的半导体器件的制造中具有特别的适用性。

    PORE-FILL COMPOSITIONS
    40.
    发明申请
    PORE-FILL COMPOSITIONS 审中-公开
    PORE-FILL组合物

    公开(公告)号：US20160185984A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：US14972529

    申请日：2015-12-17

    Applicant: Dow Global Technologies LLC ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

    Inventor： Emad Aqad ,  Jong Keun Park ,  Phillip D. Hustad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Peter Trefonas, III ,  James W. Thackeray

    IPC: C09D5/34 ,  C09D161/16 ,  H01L21/02 ,  C09D171/12

    CPC classification number: C09D5/34 ,  C08G65/4012 ,  C08G65/4043 ,  C08G65/485 ,  C09D161/16 ,  C09D171/00 ,  C09D171/12 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02343

    Abstract: A composition comprising a polymer and a solvent, wherein the polymer comprises: a repeat unit of the following general formula (I): wherein: Ar1, Ar2, Ar3 and Ar4 independently represent an optionally substituted divalent aromatic group; X1 and X2 independently represent a single bond, —O—, —C(O)—, —C(O)O—, —OC(O)—, —C(O)NR1—, —NR2C(O)—, —S—, —S(O)—, —SO2— or an optionally substituted C1-20 divalent hydrocarbon group, wherein R1 and R2 independently represent H or a C1-20 hydrocarbyl group; m is 0 or 1; n is 0 or 1; and o is 0 or 1; and an endcapping group that is free of polymerizable vinyl groups and hydroxyl groups. The compositions find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices for forming low-k and ultra-low-k dielectric materials.

    Abstract translation: 一种包含聚合物和溶剂的组合物，其中所述聚合物包含：以下通式（I）的重复单元：其中：Ar1，Ar2，Ar3和Ar4独立地表示任选取代的二价芳族基团; X1和X2独立地表示单键，-O - ， - C（O） - ， - C（O）O-，-OC（O） - ， - C（O）NR 1 - ，-NR 2 C（O） -S - ， - S（O） - ， - SO 2 - 或任选取代的C 1-20二价烃基，其中R 1和R 2独立地表示H或C 1-20烃基; m为0或1; n为0或1; o为0或1; 和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基。 该组合物特别适用于制造用于形成低k和超低k电介质材料的半导体器件。

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