公开(公告)号：US08730473B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12892403

申请日：2010-09-28

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Ya Hui Chang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Burn Jeng Lin

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Ya Hui Chang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsong-Hua Ou ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G01B11/00 ,  H01L21/76 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F1/42 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is an alignment mark having a plurality of sub-resolution elements. The sub-resolution elements each have a dimension that is less than a minimum resolution that can be detected by an alignment signal used in an alignment process. Also provided is a semiconductor wafer having first, second, and third patterns formed thereon. The first and second patterns extend in a first direction, and the third pattern extend in a second direction perpendicular to the first direction. The second pattern is separated from the first pattern by a first distance measured in the second direction. The third pattern is separated from the first pattern by a second distance measured in the first direction. The third pattern is separated from the second pattern by a third distance measured in the first direction. The first distance is approximately equal to the third distance. The second distance is less than twice the first distance.

摘要翻译： 提供具有多个次分辨率元素的对准标记。 子分辨率元素各自具有小于可由对准过程中使用的对准信号检测的最小分辨率的维度。 还提供了其上形成有第一，第二和第三图案的半导体晶片。 第一和第二图案在第一方向上延伸，并且第三图案沿垂直于第一方向的第二方向延伸。 第二图案与第一图案分离在第二方向上测量的第一距离。 第三图案与第一图案分离在第一方向上测量的第二距离。 第三图案与第二图案分离在第一方向上测量的第三距离。 第一距离近似等于第三距离。 第二距离小于第一距离的两倍。

公开(公告)号：US20130293858A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13464325

申请日：2012-05-04

申请人： Burn Jeng Lin ,  Hoi-Tou Ng ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Shou-Yen Chou

发明人： Burn Jeng Lin ,  Hoi-Tou Ng ,  Ken-Hsien Hsieh ,  Shou-Yen Chou

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F1/28

摘要： The present disclosure provides a photomask. The photomask includes a substrate. The photomask also includes a plurality of patterns disposed on the substrate. Each pattern is phase shifted from adjacent patterns by different amounts in different directions. The present disclosure also includes a method for performing a lithography process. The method includes forming a patternable layer over a wafer. The method also includes performing an exposure process to the patternable layer. The exposure process is performed at least in part through a phase shifted photomask. The phase shifted photomask contains a plurality of patterns that are each phase shifted from adjacent patterns by different amounts in different directions. The method includes patterning the patternable layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种光掩模。 光掩模包括基底。 光掩模还包括设置在基板上的多个图案。 每个图案在不同方向上从相邻图案相移不同的量。 本公开还包括用于执行光刻工艺的方法。 该方法包括在晶片上形成可图案化层。 该方法还包括对可图案层进行曝光处理。 曝光过程至少部分通过相移光掩模进行。 相移的光掩模包含多个图案，每个图案在不同方向上从相邻图案相移不同的量。 该方法包括图案化图案化层。

公开(公告)号：US20120320351A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13595734

申请日：2012-08-27

申请人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

发明人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70866 ,  G03F7/70341

摘要： Immersion lithography system and method using a sealed wafer bottom are described. One embodiment is an immersion lithography apparatus comprising a lens assembly comprising an imaging lens and a wafer stage for retaining a wafer beneath the lens assembly, the wafer stage comprising a seal ring disposed on a seal ring frame along a top edge of the wafer retained on the wafer stage, the seal ring for sealing a gap between an edge of the wafer and the wafer stage. The embodiment further includes a fluid tank for retaining immersion fluid, the fluid tank situated with respect to the wafer stage for enabling full immersion of the wafer retained on the wafer stage in the immersion fluid and a cover disposed over at least a portion of the fluid tank for providing a temperature-controlled, fluid-rich environment within the fluid tank; and

摘要翻译： 描述了浸没光刻系统和使用密封晶片底部的方法。 一个实施例是一种浸没光刻设备，其包括透镜组件，该透镜组件包括成像透镜和用于将晶片保持在透镜组件下方的晶片台，晶片台包括沿着晶片的顶部边缘设置在密封环框架上的密封环， 晶片台，用于密封晶片边缘与晶片台之间的间隙的密封环。 该实施例还包括用于保持浸没流体的流体箱，相对于晶片台定位的流体箱，用于使保留在晶片台上的晶片完全浸没在浸没流体中，并且覆盖设置在流体的至少一部分上 罐，用于在流体箱内提供温度控制，流体丰富的环境; 和

公开(公告)号：US20120236276A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13482879

申请日：2012-05-29

申请人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

发明人： Burn Jeng Lin ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03B27/52 ,  G03F7/70341

摘要： Immersion lithography system and method using direction-controlling fluid inlets are described. According to one embodiment of the present disclosure, an immersion lithography apparatus includes a lens assembly having an imaging lens disposed therein and a wafer stage configured to retain a wafer beneath the lens assembly. The apparatus also includes a plurality of direction-controlling fluid inlets disposed adjacent to the lens assembly, each direction-controlling fluid inlet in the plurality of direction-controlling fluid inlets being configured to direct a flow of fluid beneath the lens assembly and being independently controllable with respect to the other fluid inlets in the plurality of direction-controlling fluid inlets.

摘要翻译： 描述了使用方向控制流体入口的浸渍光刻系统和方法。 根据本公开的一个实施例，浸没式光刻设备包括具有设置在其中的成像透镜的透镜组件和被配置为将晶片保持在透镜组件下方的晶片台。 该装置还包括多个方向控制流体入口，其邻近透镜组件设置，多个方向控制流体入口中的每个方向控制流体入口构造成将透镜流体下方的流体引导到透镜组件的下方并且可独立控制 相对于多个方向控制流体入口中的其它流体入口。

公开(公告)号：US08179516B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US11548551

申请日：2006-10-11

申请人： Burn Jeng Lin ,  David Lu

发明人： Burn Jeng Lin ,  David Lu

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70983 ,  G02B1/105 ,  G02B1/111 ,  G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B13/143 ,  G03F7/70341

摘要： Disclosed is an objective lens adapted for use in liquid immersion photolithography and a method for making such a lens. In one example, the objective lens has multiple lens elements, one of which includes a transparent substrate and a layer of protective coating (PC). The PC is formed proximate to the transparent substrate and is positioned between a liquid used during the liquid immersion photolithography and the transparent substrate to protect the transparent substrate from the liquid.

摘要翻译： 公开了适用于液浸光刻的物镜和制造这种透镜的方法。 在一个示例中，物镜具有多个透镜元件，其中一个透镜元件包括透明基板和一层保护涂层（PC）。 PC形成在透明基板附近，并且位于液浸光刻期间使用的液体和透明基板之间，以保护透明基板免于液体。

公开(公告)号：US07999910B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11115433

申请日：2005-04-27

申请人： Chia-Jen Chen ,  Hsin-Chang Lee ,  Sheng-Chi Chin ,  Hung Chang Hsieh ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chia-Jen Chen ,  Hsin-Chang Lee ,  Sheng-Chi Chin ,  Hung Chang Hsieh ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03B27/32 ,  G03B27/58 ,  G03D5/00

CPC分类号： G03F7/38

摘要： The present disclosure provides a system and method for manufacturing a mask for semiconductor processing. In one example, the system includes at least one exposure unit configured to select a recipe for a later baking process in a post treatment unit, a buffer unit coupled to the exposure unit and configured to move the mask substrate from the exposure unit to the post treatment unit without exposing the mask substrate to the environment; and the post treatment unit coupled to the buffer unit and the exposure unit and configured to perform a baking process on the mask substrate using baking parameters associated with the recipe selected by the exposure unit.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造用于半导体处理的掩模的系统和方法。 在一个示例中，系统包括至少一个曝光单元，其被配置为在后处理单元中选择用于稍后烘焙处理的配方，缓冲单元，其耦合到曝光单元并且被配置为将掩模基板从曝光单元移动到柱 处理单元，而不将掩模基板暴露于环境中; 以及所述后处理单元，其耦合到所述缓冲单元和所述曝光单元，并且被配置为使用与由所述曝光单元选择的所述配方相关联的烘焙参数对所述掩模基板进行烘烤处理。

公开(公告)号：USRE42556E1

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11292383

申请日：2005-12-01

申请人： Burn Jeng Lin

发明人： Burn Jeng Lin

IPC分类号： G02B7/02

CPC分类号： G02B7/028 ,  G02B7/04 ,  G03F7/70341

摘要： An apparatus for immersion lithography that includes an imaging lens which has a front surface, a fluid-containing wafer stage for supporting a wafer that has a top surface to be exposed positioned spaced-apart and juxtaposed to the front surface of the imaging lens, and a fluid that has a refractive index between about 1.0 and about 2.0 the fluid filling a gap formed in-between the front surface of the imaging lens and the top surface of the wafer. A method for immersion lithography can be carried out by flowing a fluid through a gap formed in-between the front surface of an imaging lens and a top surface of a wafer. The flow rate and temperature of the fluid can be controlled while particulate contaminants are filtered out by a filtering device.

摘要翻译： 一种用于浸没式光刻的装置，其包括具有前表面的成像透镜，用于支撑晶片的含流体的晶片台，所述晶片载台具有被间隔开并与所述成像透镜的前表面并置的待暴露的顶表面;以及 具有约1.0至约2.0的折射率的流体填充在成像透镜的前表面和晶片的顶表面之间形成的间隙。 可以通过使流体流过形成在成像透镜的前表面和晶片的顶表面之间的间隙来进行浸没式光刻的方法。 可以控制流体的流速和温度，同时通过过滤装置将颗粒污染物过滤掉。

公开(公告)号：US20090180087A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12413194

申请日：2009-03-27

申请人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Chun-Kuang Chen ,  Ru-Gun Liu ,  Shinn Sheng Yu ,  Jen Chieh Shih

发明人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Chun-Kuang Chen ,  Ru-Gun Liu ,  Shinn Sheng Yu ,  Jen Chieh Shih

IPC分类号： G03B27/52 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70808

摘要： Various seal ring arrangements for an immersion lithography system are disclosed. With the seal ring arrangements, the immersion lithography system can provide better sealing effect for processing the wafers on a wafer chuck.

摘要翻译： 公开了用于浸没式光刻系统的各种密封环装置。 利用密封环布置，浸没式光刻系统可以为晶片卡盘上的晶片加工提供更好的密封效果。

公开(公告)号：US20080311314A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11871360

申请日：2007-10-12

申请人： Burn Jeng Lin

发明人： Burn Jeng Lin

IPC分类号： C23C14/30 ,  B05B5/025

CPC分类号： G03F7/70991 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70508

摘要： A method and system for simultaneously processing multiple substrates through an imaging beam process is provided. The system includes a plurality of direct write substrate exposure modules configured to receive a writing instruction from a data processing unit. The system and method of the invention utilizes multiple exposure modules receiving writing instructions from a single common data processing unit.

摘要翻译： 提供了一种通过成像束过程同时处理多个基板的方法和系统。 该系统包括被配置为从数据处理单元接收写入指令的多个直接写入基板曝光模块。 本发明的系统和方法利用从单个公共数据处理单元接收写入指令的多个曝光模块。

公开(公告)号：US20080309891A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11762651

申请日：2007-06-13

申请人： Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

发明人： Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： Immersion lithography apparatus and method using a shield module are provided. An immersion lithography apparatus including a lens module having an imaging lens, a substrate table positioned beneath the lens module and configured for holding a substrate for processing, a fluid module for providing an immersion fluid to a space between the lens module and the substrate on the substrate table, and a shield module for covering an edge of the substrate during processing.

摘要翻译： 提供了使用屏蔽模块的浸渍光刻设备和方法。 一种浸没式光刻设备，包括具有成像透镜的透镜模块，位于透镜模块下方的被配置用于保持用于处理的基板的基板台，用于在透镜模块和基板之间的空间中提供浸没流体的流体模块 衬底台和用于在处理期间覆盖衬底的边缘的屏蔽模块。