公开(公告)号：US20080251777A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US12120605

申请日：2008-05-14

申请人： Georg J. Bednorz ,  David J. Gundlach ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard I. Meijer ,  Heike E. Riel ,  Walter H. Riess

发明人： Georg J. Bednorz ,  David J. Gundlach ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard I. Meijer ,  Heike E. Riel ,  Walter H. Riess

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L49/003 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L29/685

摘要： A field effect device includes a source electrode, a drain electrode, a channel formed between the source electrode and the drain electrode, and a gate electrode formed directly on the channel and arranged in a gap between the source electrode and the drain electrode. The channel includes a switching material that is reversibly switchable between a lower conductivity state and a higher conductivity state. The first conductivity state has an electrical conductivity which is lower than an electrical conductivity of the second conductivity state. Each of the conductivity states is persistent without the need for a sustaining excitation signal including an electrical field, heat and/or light applied to the device.

摘要翻译： 场效应器件包括源电极，漏电极，形成在源电极和漏电极之间的沟道，以及直接形成在沟道上并布置在源电极和漏电极之间的间隙中的栅电极。 该通道包括可在较低电导率状态和较高导电率状态之间可逆切换的开关材料。 第一导电状态具有低于第二导电状态的电导率的电导率。 导电状态中的每一个都是持续的，而不需要包括施加到器件的电场，热和/或光的维持激励信号。

公开(公告)号：US20080220561A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11871135

申请日：2007-10-11

申请人： Siegfried F. Karg ,  Heike E. Riel ,  Walter H. Riess

发明人： Siegfried F. Karg ,  Heike E. Riel ,  Walter H. Riess

IPC分类号： H01L51/40 ,  B05D5/12 ,  B05C5/00

CPC分类号： H01L51/0004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/56

摘要： The present invention provides methods and apparatus for melt-based patterning for electronic devices. It employs and provides processes and apparatus for fabricating an electronic device having a pattern formed on a surface by a deposition material. Further, the invention a process for fabricating semiconductors, organic light-emitting devices (OLEDs), field-effect transistors, and in particular high-resolution patterning for RGB displays. A process for fabricating an organic electronic device includes the steps of heating and applying a pressure to the deposition material to form a melt, and depositing the melted deposition material on the surface with a phase-change printing technique or a spray technique. The melted deposition material solidifies on the surface.

摘要翻译： 本发明提供了用于电子设备的熔融图案化方法和设备。 它采用和提供用于制造具有通过沉积材料在表面上形成的图案的电子器件的工艺和装置。 此外，本发明还涉及用于制造半导体，有机发光器件（OLED），场效应晶体管，特别是用于RGB显示器的高分辨率图案化的工艺。 制造有机电子器件的方法包括以下步骤：加热和施加压力至沉积材料以形成熔体;以及使用相变印刷技术或喷涂技术将熔融的沉积材料沉积在表面上。 熔融的沉积材料在表面上固化。

公开(公告)号：US20080152932A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11957797

申请日：2007-12-17

申请人： Johannes Georg Bednorz ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

发明人： Johannes Georg Bednorz ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0002 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  Y10T29/49 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention relates to a memory cell (10) comprising: a resistive structure (1), and at least two electrodes (2) coupled to the resistive structure (1), wherein: the resistive structure (1) comprises hydrogen, and the resistive structure (1) comprises a material that exhibits a hydrogen ion mobility value of at least 10−8 cm2/Vs.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储单元（10），包括：电阻结构（1）和耦合到电阻结构（1）的至少两个电极（2），其中：电阻结构（1）包括氢，并且 电阻结构（1）包括表现出至少10 -8 V 2 / Vs / Vs的氢离子迁移率值的材料。

公开(公告)号：US20080142925A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11612501

申请日：2006-12-19

申请人： Johannes G. Bednorz ,  Eric A. Joseph ,  Siegfried F. Karg ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer ,  Alejandro G. Schrott

发明人： Johannes G. Bednorz ,  Eric A. Joseph ,  Siegfried F. Karg ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer ,  Alejandro G. Schrott

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1641 ,  Y10S438/90

摘要： The present invention relates to a memory cell comprising: a resistive structure; at least two electrodes coupled to the resistive structure, and at least one hydrogen reservoir structure, wherein the application of an electrical signal to one of the at least two electrodes causes the electrical resistance of the resistive structure to be modified by altering a hydrogen-ion concentration in the resistive structure.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻结构; 耦合到电阻结构的至少两个电极和至少一个氢储存器结构，其中将电信号施加到所述至少两个电极中的一个电极导致通过改变氢离子来修改电阻结构的电阻 电阻结构中的浓度。

公开(公告)号：US20080011996A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11456591

申请日：2006-07-11

申请人： Johannes Georg Bednorz ,  Walter Heinrich Riess ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  German Hammerl

发明人： Johannes Georg Bednorz ,  Walter Heinrich Riess ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  German Hammerl

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658

摘要： The present invention provides a microelectronic device comprising a resistance structure including a plurality of programmable resistance layers and at least one intermediate layer such that an intermediate layer is placed between two programmable resistance layers. The programmable resistance layers can be individually doped or may consist of different materials. Each programmable resistance layer may be optimized for a specific application. The microelectronic device can be used as a programmable resistor or a memory cell as it exhibits switchable electrical resistance and does not require a time-consuming conditioning process.

摘要翻译： 本发明提供了一种微电子器件，其包括电阻结构，该电阻结构包括多个可编程电阻层和至少一个中间层，使得中间层位于两个可编程电阻层之间。 可编程电阻层可以单独掺杂或由不同的材料组成。 可针对特定应用优化每个可编程电阻层。 微电子器件可以用作可编程电阻器或存储器单元，因为其具有可切换的电阻并且不需要耗时的调节处理。

公开(公告)号：US20080001172A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11427820

申请日：2006-06-30

申请人： Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

发明人： Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A nonvolatile programmable resistance memory cell comprising a high-mobility ion conductor and a method for fabricating the same are provides. The memory cell comprises of a first and second electrode and a reversible and persistent programmable resistance structure connecting the first and second electrode. The resistance is modifiable by altering the ionic distribution of a high-mobility oxygen ion conductor region. As an alternate embodiment, the memory cell further includes a transition-metal oxide region.

摘要翻译： 提供了包括高迁移率离子导体的非易失性可编程电阻存储单元及其制造方法。 存储单元包括第一和第二电极以及连接第一和第二电极的可逆且持久的可编程电阻结构。 通过改变高迁移率氧离子导体区域的离子分布可以改变电阻。 作为替代实施例，存储单元还包括过渡金属氧化物区域。