公开(公告)号：US07297615B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11341519

申请日：2006-01-30

申请人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

发明人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

IPC分类号： C30B1/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/938 ,  Y10T428/26

摘要： A silicon nanowire substrate having a structure in which a silicon nanowire film having a fine line-width is formed on a substrate, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. The method of manufacturing the silicon nanowire substrate includes preparing a substrate, forming an insulating film on the substrate, forming a silicon film on the insulating film, patterning the insulating film and the silicon film into a strip shape, reducing the line-width of the insulating film by undercut etching at least one lateral side of the insulating film, and forming a self-aligned silicon nanowire film on an upper surface of the insulating film by melting and crystallizing the silicon film.

公开(公告)号：US20070246802A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11702624

申请日：2007-02-06

申请人： Wenxu Xianyu ,  Young-soo Park ,  Jun-ho Lee ,  Hyuk Lim ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin

发明人： Wenxu Xianyu ,  Young-soo Park ,  Jun-ho Lee ,  Hyuk Lim ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

摘要： A semiconductor device and method thereof. The example method may include forming a semiconductor device, including forming a first layer on a substrate, the first layer including aluminum nitride (AlN), forming a second layer by oxidizing a surface of the first layer and forming a third layer on the second layer, the first, second and third layers each being highly oriented with respect to one of a plurality crystallographic planes. The example semiconductor device may include a substrate including a first layer, the first layer including aluminum nitride (AlN), a second layer formed by oxidizing a surface of the first layer and a third layer formed on the second layer, the first, second and third layers each being highly oriented with respect to one of a plurality crystallographic planes.

摘要翻译： 半导体器件及其方法。 示例性方法可以包括形成半导体器件，包括在衬底上形成第一层，第一层包括氮化铝（AlN），通过氧化第一层的表面并在第二层上形成第三层来形成第二层 ，第一层，第二层和第三层各自相对于多个晶面之一高度取向。 示例性半导体器件可以包括：衬底，其包括第一层，第一层包括氮化铝（AlN），通过氧化第一层的表面形成的第二层和形成在第二层上的第三层，第一层，第二层和第二层 第三层各自相对于多个晶面之一高度取向。

公开(公告)号：US08803212B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13209606

申请日：2011-08-15

申请人： Hans S. Cho

发明人： Hans S. Cho

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L29/792 ,  H01L23/62 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A three-dimensional crossbar array may include a metal layer, and an insulator layer disposed adjacent the metal layer. A trench may be formed in the metal layer to create sections in the metal layer, and a portion of the trench may include an insulator. A hole may be formed in the trench and contact a section of the metal layer. The hole may define a via. A contact region between the via and the section of the metal layer may define a crossbar array.

摘要翻译： 三维交叉开关阵列可以包括金属层和邻近金属层设置的绝缘体层。 可以在金属层中形成沟槽以在金属层中形成部分，并且沟槽的一部分可以包括绝缘体。 可以在沟槽中形成孔并接触金属层的一部分。 孔可以定义通孔。 通孔和金属层的截面之间的接触区域可以限定交叉开关阵列。

公开(公告)号：US08502188B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13142504

申请日：2011-06-28

申请人： Matthew D. Pickett ,  Hans S. Cho ,  Julien Borghetti ,  Duncan Stewart

发明人： Matthew D. Pickett ,  Hans S. Cho ,  Julien Borghetti ,  Duncan Stewart

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/145 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/165

摘要： An electrically actuated device includes a first electrode and a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, thereby forming a junction therebetween. A material is established on the first electrode and at the junction. At least a portion of the material is a matrix region. A current conduction channel extends substantially vertically between the first and second electrodes, and is defined in at least a portion of the material positioned at the junction. The current conduction channel has a controlled profile of dopants therein.

摘要翻译： 电驱动装置包括第一电极和第二电极，其以非零角度与第一电极交叉，从而在它们之间形成接合部。 在第一电极和接合处建立材料。 材料的至少一部分是矩阵区域。 电流传导通道在第一和第二电极之间基本垂直地延伸，并且限定在位于结处的材料的至少一部分中。 电流传导通道在其中具有受控的掺杂剂分布。

公开(公告)号：US08445332B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US11976009

申请日：2007-10-19

申请人： Wenxu Xianyu ,  Young-soo Park ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim

发明人： Wenxu Xianyu ,  Young-soo Park ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B13/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  Y10T428/2962

摘要： A method of fabricating a single crystal silicon rod may include forming an insulation layer on a substrate, forming a hole in the insulation layer, selectively growing silicon in the hole, forming a silicon layer on the hole and on the insulation layer, forming a rod pattern on the silicon layer in a direction that is non-radial with respect to the hole, and melting the silicon layer and crystallizing the silicon layer by illuminating a laser beam on the silicon layer where the rod pattern is formed to generate a nucleation site at a position corresponding to the hole. According to the method, a single crystal silicon rod having no defects may be formed.

摘要翻译： 制造单晶硅棒的方法可以包括在衬底上形成绝缘层，在绝缘层中形成孔，选择性地生长孔中的硅，在孔和绝缘层上形成硅层，形成棒 在相对于孔的非径向的方向上在硅层上形成图案，并且通过照射形成棒图案的硅层上的激光束来熔化硅层并使硅层结晶，从而在硅层上产生成核位置 对应于孔的位置。 根据该方法，可以形成没有缺陷的单晶硅棒。

公开(公告)号：US20130043056A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13209606

申请日：2011-08-15

申请人： Hans S. Cho

发明人： Hans S. Cho

IPC分类号： H01B5/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A three-dimensional crossbar array may include a metal layer, and an insulator layer disposed adjacent the metal layer. A trench may be formed in the metal layer to create sections in the metal layer, and a portion of the trench may include an insulator. A hole may be formed in the trench and contact a section of the metal layer. The hole may define a via. A contact region between the via and the section of the metal layer may define a crossbar array.

摘要翻译： 三维交叉开关阵列可以包括金属层和邻近金属层设置的绝缘体层。 可以在金属层中形成沟槽以在金属层中形成部分，并且沟槽的一部分可以包括绝缘体。 可以在沟槽中形成孔并接触金属层的一部分。 孔可以定义通孔。 通孔和金属层的截面之间的接触区域可以限定交叉开关阵列。

公开(公告)号：US08309404B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13173128

申请日：2011-06-30

申请人： Huaxiang Yin ,  Takashi Noguchi ,  Hyuk Lim ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

发明人： Huaxiang Yin ,  Takashi Noguchi ,  Hyuk Lim ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor comprises an Si-based channel having a nonlinear electron-moving path, a source and a drain disposed at both sides of the channel, a gate disposed above the channel, an insulator interposed between the channel and the gate, and a substrate supporting the channel and the source and the drain disposed at either side of the channel respectively.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括具有非线性电子移动路径的Si基通道，设置在沟道两侧的源极和漏极，设置在沟道上方的栅极，介于通道和栅极之间的绝缘体，以及 支撑通道的基板，分别设置在通道的两侧的源极和漏极。

公开(公告)号：US08012819B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12654866

申请日：2010-01-07

申请人： Xiaoxin Zhang ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin

发明人： Xiaoxin Zhang ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Huaxiang Yin

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385

摘要： A semiconductor device includes a transistor. The transistor includes a substrate having an inclined surface, a first upper surface extending from a lower portion of the inclined surface, and a second upper surface extending from an upper end of the inclined surface. A gate stack structure is formed on the inclined surface and includes a gate electrode. A first impurity region formed on one of the first and second upper surfaces contacts the gate stack structure. A second impurity region formed on the second upper surface contacts the gate stack structure. A channel between the first and second impurity regions is formed along the inclined surface in a crystalline direction.

摘要翻译： 半导体器件包括晶体管。 晶体管包括具有倾斜表面的基板，从倾斜表面的下部延伸的第一上表面和从倾斜表面的上端延伸的第二上表面。 栅极堆叠结构形成在倾斜表面上并且包括栅电极。 形成在第一和第二上表面中的一个上的第一杂质区域接触栅极堆叠结构。 形成在第二上表面上的第二杂质区域接触栅堆叠结构。 第一和第二杂质区之间的通道在结晶方向上沿着倾斜表面形成。

公开(公告)号：US07999322B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12947002

申请日：2010-11-16

申请人： Huaxiang Yin ,  Takashi Noguchi ,  Hyuk Lim ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

发明人： Huaxiang Yin ,  Takashi Noguchi ,  Hyuk Lim ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor comprises an Si-based channel having a nonlinear electron-moving path, a source and a drain disposed at both sides of the channel, a gate disposed above the channel, an insulator interposed between the channel and the gate, and a substrate supporting the channel and the source and the drain disposed at either side of the channel respectively.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括具有非线性电子移动路径的Si基通道，设置在沟道两侧的源极和漏极，设置在沟道上方的栅极，介于通道和栅极之间的绝缘体，以及 支撑通道的基板，分别设置在通道的两侧的源极和漏极。

公开(公告)号：US07750424B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11819386

申请日：2007-06-27

申请人： Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

发明人： Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

摘要： A microlens, an image sensor including the microlens, a method of forming the microlens and a method of manufacturing the image sensor are provided. The microlens includes a polysilicon pattern, having a cylindrical shape, formed on a substrate, and a round-type shell portion enclosing the polysilicon pattern. The microlens may further include a filler material filling an interior of the shell portion, or a second shell portion covering the first shell portion. The method of forming a microlens includes forming a silicon pattern on a semiconductor substrate having a lower structure, forming a capping film on the semiconductor substrate over the silicon pattern, annealing the silicon pattern and the capping film altering the silicon pattern to a polysilicon pattern having a cylindrical shape and the capping film to a shell portion for a round-type microlens, and filling an interior of the shell portion with a lens material through an opening between the semiconductor substrate and an edge of the shell portion. The image sensor includes a microlens formed by a similar method and a photodiode having a cylindrical shape.

摘要翻译： 提供微透镜，包括微透镜的图像传感器，形成微透镜的方法和制造图像传感器的方法。 微透镜包括形成在基板上的具有圆柱形状的多晶硅图案和包围多晶硅图案的圆形外壳部分。 微透镜还可以包括填充壳体部分的内部的填充材料或覆盖第一壳体部分的第二壳体部分。 形成微透镜的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成硅图案，在硅图案上的半导体衬底上形成覆盖膜，使硅图案和覆盖膜退火，将硅图案改变为具有 圆筒形，并且封盖膜用于圆形微透镜的外壳部分，并且通过半导体基板和外壳部分的边缘之间的开口用透镜材料填充外壳部分的内部。 图像传感器包括通过类似方法形成的微透镜和具有圆柱形状的光电二极管。