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    MEMORY ARRAY WITH WRITE FEEDBACK
    52.
    发明申请
    MEMORY ARRAY WITH WRITE FEEDBACK 有权
    记忆阵列与写反馈

    公开(公告)号：US20120057390A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：US12875423

    申请日：2010-09-03

    申请人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammed Shakeel Qureshi

    发明人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammed Shakeel Qureshi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C5/063 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5624 ,  G11C2213/77

    摘要： A memory array with write feedback includes a number of row lines intersecting a number of column lines, a memory element connected between one of the row lines and one of the column lines, an electrical condition supply to be selectively applied to one of the row lines; and a feedback control loop to control an electrical condition supplied by the electrical condition supply. A method for setting the state of a memory element within a memory array includes applying an electrical condition to the memory element within the memory array, sensing a resistive state of the memory element, and controlling the electrical condition based on the sensed resistive state to cause the memory element to reach a target resistance.

    摘要翻译： 具有写入反馈的存储器阵列包括与多条列线相交的许多行线，连接在行线之一和列线之一之间的存储元件，选择性地施加到行线之一的电气供应 ; 以及用于控制由电气供应提供的电气状况的反馈控制回路。 用于设置存储器阵列内的存储元件的状态的方法包括将电气条件施加到存储器阵列内的存储元件，感测存储元件的电阻状态，以及基于所感测的电阻状态来控制电气状态，从而导致 记忆元件达到目标电阻。

    Silicon-Based Memristive Device
    53.
    发明申请
    Silicon-Based Memristive Device 有权
    硅基记忆装置

    公开(公告)号：US20110240941A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US13139557

    申请日：2009-01-15

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Duncan Stewart

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Duncan Stewart

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148

    摘要： A memristive device (100) includes a first and a second electrode (110, 115); a silicon memristive matrix (105) interposed between the first electrode (110) and the second electrode (115); and a mobile dopant species (210, 215) within the silicon memristive matrix (105) which moves in response to a programming electrical field and remains substantially in place after the removal of the programming electrical field. A method for using a crossbar architecture (610) containing a silicon memristive matrix (105) includes: applying a programming electrical field by applying a voltage bias across a first conductor (602) and a second conductor (604); a silicon memristive matrix (105, 606) containing mobile dopants (210, 215) being interposed between the first conductor (602) and the second conductor (604), the programming voltage repositioning the mobile dopants (210, 215) within the silicon memristive matrix (105, 606); and reading a state of the silicon memristive matrix (105, 606) by applying a reading energy across the silicon memristive matrix (105, 606), the reading energy producing a measurable indication of the state of the silicon memristive matrix (105, 606).

    摘要翻译： 忆阻器（100）包括第一和第二电极（110,115）; 插入在所述第一电极（110）和所述第二电极（115）之间的硅忆阻矩阵（105）; 以及在所述硅忆阻矩阵（105）内的移动掺杂剂物质（210,215），其响应于编程电场而移动并且在去除所述编程电场之后保持基本上就位。 一种使用包含硅忆阻矩阵（105）的交叉结构（610）的方法包括：通过跨第一导体（602）和第二导体（604）施加电压偏置来施加编程电场; 包含位于第一导体（602）和第二导体（604）之间的移动掺杂剂（210,215）的硅忆阻矩阵（105,606），所述编程电压重新定位硅忆阻器内的移动掺杂剂（210,215） 矩阵（105,606）; 以及通过在所述硅忆阻矩阵（105,606）上施加读取能量来读取所述硅忆阻矩阵（105,606）的状态，所述读取能量产生所述硅忆阻矩阵（105,606）的状态的可测量指示， 。

    Word shift static random access memory (WS-SRAM)
    56.
    发明授权
    Word shift static random access memory (WS-SRAM) 有权
    字移静态随机存取存储器（WS-SRAM）

    公开(公告)号：US09589623B2

    公开(公告)日：2017-03-07

    申请号：US14374776

    申请日：2012-01-30

    申请人： Frederick A. Perner ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Frederick A. Perner ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/407 ,  G11C19/28 ,  G11C11/412

    CPC分类号： G11C11/40615 ,  G11C11/407 ,  G11C11/412 ,  G11C19/28

    摘要： Word shift static random access memory (WS-SRAM) cell, word shift static random access memory (WS-SRAM) and method using the same employ dynamic storage mode switching to shift data. The WS-SRAM cell includes a static random access memory (SRAM) cell having a pair of cross-coupled elements to store data, a dynamic/static (D/S) mode selector to selectably switch the WS-SRAM cell between the dynamic storage mode and a static storage mode, and a column selector to selectably determine whether or not the WS-SRAM cell accepts shifted data. The WS-SRAM includes a plurality of WS-SRAM cells arranged in an array and a controller to shift data. The method includes switching a storage mode and activating a column selector of, coupling data from an adjacent memory cell to, and storing the coupled data in, a selected WS-SRAM cell.

    摘要翻译： 字移位静态随机存取存储器（WS-SRAM）单元，字移动静态随机存取存储器（WS-SRAM）和使用该方法的方法采用动态存储模式切换来移位数据。 WS-SRAM单元包括具有一对交叉耦合元件以存储数据的静态随机存取存储器（SRAM）单元，动态/静态（D / S）模式选择器，用于可选择地在动态存储器之间切换WS-SRAM单元 模式和静态存储模式，以及列选择器，可选地确定WS-SRAM单元是否接受移位数据。 WS-SRAM包括排列成阵列的多个WS-SRAM单元和用于移位数据的控制器。 该方法包括切换存储模式并激活列表选择器，将数据从相邻的存储器单元耦合到并将所耦合的数据存储在所选择的WS-SRAM单元中。

    Shiftable memory
    57.
    发明授权
    Shiftable memory 有权
    可移动内存

    公开(公告)号：US09390773B2

    公开(公告)日：2016-07-12

    申请号：US14126732

    申请日：2011-06-28

    申请人： Terence P. Kelly ,  Alan L. Davis ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Terence P. Kelly ,  Alan L. Davis ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C19/28 ,  G11C8/04 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C8/04 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C19/28 ,  G11C19/287

    摘要： A shiftable memory is employed in a system and a method to shift a contiguous subset of stored data within the shiftable memory. The shiftable memory includes a memory having built-in shifting capability to shift a contiguous subset of data stored by the memory from a first location to a second location within the memory. The contiguous subset has a size that is smaller than a total size of the memory. The system further includes a processor to provide an address and the length of the contiguous subset. The method includes selecting the contiguous subset of data and shifting the selected contiguous subset.

    摘要翻译： 在可移动存储器中使用可移位存储器和用于移位存储数据的连续子集的方法。 可移位存储器包括具有内置移位能力的存储器，用于将存储器存储的数据的连续子集从第一位置移动到存储器内的第二位置。 连续子集的大小小于存储器的总大小。 该系统还包括处理器，用于提供连续子集的地址和长度。 该方法包括选择连续的数据子集并移动所选择的连续子集。

    DECODER CIRCUITS HAVING METAL-INSULATOR-METAL THRESHOLD SWITCHES
    59.
    发明申请
    DECODER CIRCUITS HAVING METAL-INSULATOR-METAL THRESHOLD SWITCHES 审中-公开
    具有金属绝缘体金属阈值开关的解码器电路

    公开(公告)号：US20140225646A1

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：US14346554

    申请日：2011-11-04

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Hibeiro

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Hibeiro

    IPC分类号： G11C8/10

    CPC分类号： G11C8/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146

    摘要： Decoder circuits having negative differential resistance (NDR) devices are described. In an example, a decoder circuit includes a plurality of input lines to receive select signals, a bias logic to provide a voltage bias, a plurality of output lines to provide output signals, and a plurality of metal-insulator-metal (MIM) threshold switches coupled to the plurality of input lines, the bias logic, and the plurality of output lines. Each of the plurality of MIM threshold switches operating as either a current-controlled positive or negative resistance to map an input logic state of the select signals to an output logic state of the output signals.

    摘要翻译： 描述具有负差分电阻（NDR）装置的解码器电路。 在一个示例中，解码器电路包括多个用于接收选择信号的输入线，提供电压偏置的偏置逻辑，提供输出信号的多条输出线以及多个金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）阈值 耦合到多个输入线的开关，偏置逻辑和多个输出线。 多个MIM阈值开关中的每一个作为电流控制的正或负电阻工作，将选择信号的输入逻辑状态映射到输出信号的输出逻辑状态。

    STATEFUL NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICES
    60.
    发明申请
    STATEFUL NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICES 有权
    强大的负极差分电阻器件

    公开(公告)号：US20130176766A1

    公开(公告)日：2013-07-11

    申请号：US13346219

    申请日：2012-01-09

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Frederick A. Perner ,  R. Stanley Williams

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Frederick A. Perner ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/39 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L47/00

    摘要： A stateful negative differential resistance device includes a first conductive electrode and a second conductive electrode. The device also includes a first material with a reversible, nonvolatile resistance that changes based on applied electrical energy and a second material comprising a differential resistance that is negative in a locally active region. The first material and second material are sandwiched between the first conductive electrode and second conductive electrode. A method for using a stateful NDR device includes applying programming energy to the stateful NDR device to set a state of the stateful NDR device to a predetermined state and removing electrical power from the stateful NDR device. Power-up energy is applied to the stateful NDR device such that the stateful NDR device returns to the predetermined state.

    摘要翻译： 有状态的负差分电阻装置包括第一导电电极和第二导电电极。 该装置还包括具有基于所施加的电能而改变的可逆非易失性电阻的第一材料和包括在局​​部活性区域中为负的差分电阻的第二材料。 第一材料和第二材料夹在第一导电电极和第二导电电极之间。 使用有状态NDR设备的方法包括向有状态的NDR设备应用编程能量以将状态NDR设备的状态设置为预定状态，并从有状态的NDR设备移除电力。 上电能量被施加到状态NDR设备，使得状态NDR设备返回到预定状态。