公开(公告)号：US08836082B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13017903

申请日：2011-01-31

申请人： Qin Lin ,  Daniel M. Sullivan ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

发明人： Qin Lin ,  Daniel M. Sullivan ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

IPC分类号： H01L29/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00

摘要： A novel reversal lithography process without etch back is described. The reversal material comprises nanoparticles that are selectively deposited into the gaps between features without overcoating the tops of the features. As a result, a patterned imaging layer can be removed using solvent, blanket exposure followed by developer washing, or dry etching directly, without an etch-back process, and the original bright field lithography pattern can be reversed into dark field features, and transferred into subsequent layers using the nanoparticle reversal material as an etch mask.

摘要翻译： 描述了没有回蚀的新型反转光刻工艺。 反转材料包括纳米颗粒，其被选择性地沉积到特征之间的间隙中，而不覆盖特征的顶部。 结果，可以使用溶剂，毯式曝光，显影剂洗涤或直接干法蚀刻，而不用蚀刻工艺去除图案化成像层，并且原始的明视野光刻图案可以反转成暗场特征，并转移 使用纳米颗粒反转材料作为蚀刻掩模进入后续层。

公开(公告)号：US20130288058A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13460372

申请日：2012-04-30

申请人： Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Rama Puligadda ,  Susan Bailey

发明人： Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Rama Puligadda ,  Susan Bailey

IPC分类号： B32B37/00 ,  B32B7/12 ,  B32B38/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/00

CPC分类号： C08G73/0233 ,  B32B15/08 ,  C08G18/3215 ,  C08G18/4837 ,  C08G18/4841 ,  C08G18/7621 ,  C08G18/7671 ,  C08G69/44 ,  C08G2170/40 ,  C09J4/00 ,  C09J5/00 ,  C09J133/00 ,  C09J175/02 ,  C09J175/08 ,  C09J177/12 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  C08G18/10 ,  C08G18/48

摘要： New compositions and methods of using those compositions as bonding compositions for temporary wafer bonding are provided. The compositions are used to temporarily bond an active wafer to a carrier wafer or substrate in microelectronic fabrication using an in situ polymerization reaction of the components of the bonding composition to yield the bonding layer. The compositions form polymerized bonding layers that are mechanically strong and thermally resistant, but allow the wafers to be separated at the appropriate stage in the fabrication process. The bonding layer also retains its solubility so that residue can be cleaned from the debonded wafers using simple wet methods rather than etching or other harsh treatments.

摘要翻译： 提供了使用这些组合物作为临时晶片接合的粘合组合物的新组合物和方法。 组合物用于在微电子制造中使用粘合组合物的组分的原位聚合反应将活性晶片临时粘合到载体晶片或基底上，以产生粘合层。 组合物形成机械强度和耐热性，但允许晶片在制造过程中的适当阶段分离的聚合粘合层。 粘合层还保留其溶解度，使得可以使用简单的湿法而不是蚀刻或其它苛刻的处理从脱粘的晶片清洗残留物。

公开(公告)号：US08415083B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US13114612

申请日：2011-05-24

申请人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

发明人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03C1/76 ,  G03C1/825

CPC分类号： H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/312

摘要： This invention provides methods of creating via or trench structures on a developer-soluble hardmask layer using a multiple exposure-development process. The hardmask layer is patterned while the imaging layer is developed. After the imaging layer is stripped using organic solvents, the same hardmask can be further patterned using subsequent exposure-development processes. Eventually, the pattern can be transferred to the substrate using an etching process.

摘要翻译： 本发明提供了使用多次曝光显影工艺在显影剂可溶硬化掩模层上产生通孔或沟槽结构的方法。 在成像层被开发的同时硬化掩模层被图案化。 在使用有机溶剂剥离成像层之后，可以使用随后的曝光显影工艺进一步图案化相同的硬掩模。 最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到衬底。

公开(公告)号：US20120291938A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13548674

申请日：2012-07-13

申请人： Wenbin Hong ,  Dongshun Bai ,  Tony D. Flaim ,  Rama Puligadda

发明人： Wenbin Hong ,  Dongshun Bai ,  Tony D. Flaim ,  Rama Puligadda

IPC分类号： B29C65/52

CPC分类号： H01L21/187 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  C09J123/0823 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802

摘要： New compositions and methods of using those compositions as bonding compositions are provided. The compositions comprise a cycloolefin copolymer dispersed or dissolved in a solvent system, and can be used to bond an active wafer to a carrier wafer or substrate to assist in protecting the active wafer and its active sites during subsequent processing and handling. The compositions form bonding layers that are chemically and thermally resistant, but that can also be softened or dissolved to allow the wafers to slide or be pulled apart at the appropriate stage in the fabrication process.

摘要翻译： 提供了使用这些组合物作为粘合组合物的新组合物和方法。 组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，并且可用于将活性晶片结合到载体晶片或基底，以在随后的处理和处理期间有助于保护活性晶片及其活性位点。 组合物形成化学和耐热的粘合层，但是也可以软化或溶解以允许晶片在制造过程中的适当阶段滑动或拉开。

公开(公告)号：US20120264056A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13443533

申请日：2012-04-10

申请人： Qin Lin ,  Yubao Wang ,  Tony D. Flaim

发明人： Qin Lin ,  Yubao Wang ,  Tony D. Flaim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

摘要： Radiation-sensitive sol-gel compositions are provided, along with methods of forming microelectronic structures and the structures thus formed. The compositions comprise a sol-gel compound and a base generator dispersed or dissolved in a solvent system. The sol-gel compound comprises recurring monomeric units comprising silicon with crosslinkable moieties bonded to the silicon. Upon exposure to radiation, the base generator generates a strong base, which crosslinks the sol-gel compound in the compositions to yield a crosslinked layer that is insoluble in developers or solvents. The unexposed portions of the layer can be removed to yield a patterned sol-gel layer. The invention can be used to form patterns from sol-gel materials comprising features having feature sizes of less than about 1 μm.

摘要翻译： 提供了辐射敏感的溶胶 - 凝胶组合物，以及形成微电子结构和如此形成的结构的方法。 组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的溶胶 - 凝胶化合物和碱产生剂。 溶胶 - 凝胶化合物包括具有与硅结合的可交联部分的包含硅的重复单体单元。 暴露于辐射后，基底发生器产生强碱，其使组合物中的溶胶 - 凝胶化合物交联，得到不溶于显影剂或溶剂的交联层。 可以除去该层的未曝光部分以产生图案化的溶胶 - 凝胶层。 本发明可用于形成包含特征尺寸小于约1μm的特征的溶胶 - 凝胶材料的图案。

公开(公告)号：US08133659B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12362268

申请日：2009-01-29

申请人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

发明人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/22 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

CPC分类号： H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/312

摘要： This invention provides methods of creating via or trench structures on a developer-soluble hardmask layer using a multiple exposure-development process. The hardmask layer is patterned while the imaging layer is developed. After the imaging layer is stripped using organic solvents, the same hardmask can be further patterned using subsequent exposure-development processes. Eventually, the pattern can be transferred to the substrate using an etching process.

摘要翻译： 本发明提供了使用多次曝光显影工艺在显影剂可溶硬化掩模层上产生通孔或沟槽结构的方法。 在成像层被开发的同时硬化掩模层被图案化。 在使用有机溶剂剥离成像层之后，可以使用随后的曝光显影工艺进一步图案化相同的硬掩模。 最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到衬底。

公开(公告)号：US20110069467A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12951530

申请日：2010-11-22

申请人： Tony D. Flaim ,  Jeremy McCutcheon

发明人： Tony D. Flaim ,  Jeremy McCutcheon

IPC分类号： H05K7/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： New temporary bonding methods and articles formed from those methods are provided. The methods comprise bonding a device wafer to a carrier wafer or substrate only at their outer perimeters in order to assist in protecting the device wafer and its device sites during subsequent processing and handling. The edge bonds formed by this method are chemically and thermally resistant, but can also be softened, dissolved, or mechanically disrupted to allow the wafers to be easily separated with very low forces and at or near room temperature at the appropriate stage in the fabrication process.

摘要翻译： 提供了从这些方法形成的新的临时粘合方法和制品。 这些方法包括仅在其外周界处将器件晶片结合到载体晶片或衬底，以便在随后的处理和处理期间有助于保护器件晶片及其器件位置。 通过该方法形成的边缘粘合是化学和耐热的，但也可以被软化，溶解或机械破坏，以允许晶片在非常低的力和在室温下或在室温下在制造过程中的适当阶段容易地分离 。

公开(公告)号：US07803458B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11246399

申请日：2005-10-07

申请人： Tony D. Flaim ,  Yubao Wang ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

发明人： Tony D. Flaim ,  Yubao Wang ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

IPC分类号： B32B27/18

CPC分类号： C08G79/00 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/56 ,  C08L85/00 ,  Y10T428/25 ,  C08L2666/02

摘要： Novel compositions and methods of using those compositions to form metal oxide films or coatings are provided. The compositions comprise an organometallic oligomer and an organic polymer or oligomer dispersed or dissolved in a solvent system. The compositions have long shelf lives and can be prepared by easy and reliable preparation procedures. The compositions can be cured to cause conversion of the composition into films of metal oxide interdispersed with organic polymer or oligomer. The cured films have high refractive indices, high optical clarities, and good mechanical stabilities at film thicknesses of greater than about 1 μm.

摘要翻译： 提供了使用这些组合物形成金属氧化物膜或涂层的新型组合物和方法。 组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的有机金属低聚物和有机聚合物或低聚物。 组合物具有长的保质期，并且可以通过简单和可靠的制备方法制备。 组合物可以固化以使组合物转化成与有机聚合物或低聚物分散的金属氧化物的膜。 固化膜具有高折射率，高光学透明度，以及在大于约1μm的膜厚度下的良好的机械稳定性。

公开(公告)号：US20090191474A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12362268

申请日：2009-01-29

申请人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

发明人： Sam X. Sun ,  Hao Xu ,  Tony D. Flaim

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/312

摘要： This invention provides methods of creating via or trench structures on a developer-soluble hardmask layer using a multiple exposure-development process. The hardmask layer is patterned while the imaging layer is developed. After the imaging layer is stripped using organic solvents, the same hardmask can be further patterned using subsequent exposure-development processes. Eventually, the pattern can be transferred to the substrate using an etching process.

摘要翻译： 本发明提供了使用多次曝光显影工艺在显影剂可溶硬化掩模层上产生通孔或沟槽结构的方法。 在成像层被开发的同时硬化掩模层被图案化。 在使用有机溶剂剥离成像层之后，可以使用随后的曝光显影工艺进一步图案化相同的硬掩模。 最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到衬底。

公开(公告)号：US20090087666A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12194369

申请日：2008-08-19

申请人： Ramil-Marcelo L. Mercado ,  Robert V. Morford ,  Curtis Planje ,  Willie Perez ,  Tony D. Flaim ,  Taylor R. Bass

发明人： Ramil-Marcelo L. Mercado ,  Robert V. Morford ,  Curtis Planje ,  Willie Perez ,  Tony D. Flaim ,  Taylor R. Bass

IPC分类号： H01B1/12 ,  B05D5/12 ,  B32B27/06 ,  C08J7/04

CPC分类号： C08G59/245 ,  C08F283/10 ,  C08G59/226 ,  C08G59/38 ,  C08G65/18 ,  C08L63/00 ,  C08L63/04 ,  H01L51/5262 ,  Y10T428/31511

摘要： Novel compositions and methods of using those compositions to form high refractive index coatings are provided. The compositions preferably comprise both a reactive solvent and a high refractive index compound. Preferred reactive solvents include aromatic resins that are functionalized with one or more reactive groups (e.g., epoxides, vinyl ethers, oxetane), while preferred high refractive index compounds include aromatic epoxides, vinyl ethers, oxetanes, phenols, and thiols. An acid or crosslinking catalyst is preferably also included. The inventive compositions are stable under ambient conditions and can be applied to a substrate to form a layer and cured via light and/or heat application. The cured layers have high refractive indices and light transmissions.

摘要翻译： 提供了使用这些组合物形成高折射率涂层的新型组合物和方法。 组合物优选包含反应性溶剂和高折射率化合物。 优选的反应性溶剂包括用一个或多个反应性基团（例如环氧化物，乙烯基醚，氧杂环丁烷）官能化的芳族树脂，而优选的高折射率化合物包括芳族环氧化物，乙烯基醚，氧杂环丁烷，酚和硫醇。 优选还包括酸或交联催化剂。 本发明的组合物在环境条件下是稳定的，并且可以施加到基底以形成层并通过光和/或热应用固化。 固化层具有高折射率和光透射。