公开(公告)号：US20080108208A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11733467

申请日：2007-04-10

申请人： Edwin A. Arevalo ,  Christopher R. Hatem ,  Anthony Renau ,  Jonathan Gerald England

发明人： Edwin A. Arevalo ,  Christopher R. Hatem ,  Anthony Renau ,  Jonathan Gerald England

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

摘要： Techniques for forming shallow junctions are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a method for forming shallow junctions. The method may comprise generating an ion beam comprising molecular ions based on one or more materials selected from a group consisting of: digermane (Ge2H6), germanium nitride (Ge3N4), germanium-fluorine compounds (GFn, wherein n=1, 2, or 3), and other germanium-containing compounds. The method may also comprise causing the ion beam to impact a semiconductor wafer.

摘要翻译： 公开了形成浅结的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为用于形成浅结的方法。 该方法可以包括产生基于选自以下的一种或多种材料的分子离子的离子束：二氧化锗（Ge 2 H 6 H 6），氮化锗（Ge 3-N 3），锗 - 氟化合物（GF n n，其中n = 1,2或3）和其它含锗的 化合物。 该方法还可以包括使离子束撞击半导体晶片。

公开(公告)号：US20080078951A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11536872

申请日：2006-09-29

申请人： Anthony Renau ,  James S. Buff ,  Svetlana B. Radovanov

发明人： Anthony Renau ,  James S. Buff ,  Svetlana B. Radovanov

IPC分类号： H01J37/141 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/121

摘要： Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter. The electrostatic lens allows an ion implanter to scan, accelerate, decelerate, expand, compress, focus and parallelize an ion beam. This capability enables the ion implanter to function as either a high precision medium-current ion implanter or as a high-current ion implanter.

摘要翻译： 用于离子注入机的多功能静电透镜。 静电透镜允许离子注入机扫描，加速，减速，膨胀，压缩，聚焦和并联离子束。 该功能使离子注入机能够用作高精度中电流离子注入机或高电流离子注入机。

公开(公告)号：USRE40009E1

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：US10922783

申请日：2004-08-20

申请人： Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

发明人： Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1471

摘要： Methods and apparatus for implanting ions in a workpiece, such as a semiconductor wafer, include generating an ion beam, measuring parallelism of the ion beam, adjusting the ion beam for a desired parallelism based on the measured parallelism, measuring a beam direction of the adjusted ion beam, orienting a workpiece at an implant angle referenced to the measured beam direction and performing an implant with the workpiece oriented at the implant angle referenced to the measured beam direction. The implant may be performed with a high degree of beam parallelism.

摘要翻译： 用于在诸如半导体晶片的工件中注入离子的方法和装置包括产生离子束，测量离子束的平行度，基于所测量的平行度调节离子束以达到期望的平行度，测量经调节的 离子束，以参考所测量的束方向的注入角度定向工件，并且以与以测量的光束方向为准的注入角度对准的工件进行植入。 可以以高度的束平行度执行植入物。

公开(公告)号：US20070164229A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11413570

申请日：2006-04-28

申请人： Svetlana Radovanov ,  Anthony Renau ,  James Buff

发明人： Svetlana Radovanov ,  Anthony Renau ,  James Buff

IPC分类号： H01J3/14

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/3171

摘要： A technique for providing a segmented electrostatic lens in an ion implanter is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as an electrostatic lens for use in an ion implanter. The lens may comprise an entrance electrode biased at a first voltage potential, wherein an ion beam enters the electrostatic lens through the entrance electrode. The lens may also comprise an exit electrode biased at a second voltage potential, wherein the ion beam exits the electrostatic lens through the exit electrode. The lens may further comprise a suppression electrode located between the entrance electrode and the exit electrode, the suppression electrode comprising a plurality of segments that are independently biased to manipulate an energy and a shape of the ion beam.

摘要翻译： 公开了一种在离子注入机中提供分段静电透镜的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于离子注入机的静电透镜。 透镜可以包括偏置在第一电压电位的入口电极，其中离子束通过入口电极进入静电透镜。 透镜还可以包括偏压在第二电压电位的出射电极，其中离子束通过出射电极离开静电透镜。 透镜还可以包括位于入射电极和出射电极之间的抑制电极，所述抑制电极包括多个段，所述多个段被独立地偏置以操纵离子束的能量和形状。

公开(公告)号：US06635880B1

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：US09412265

申请日：1999-10-05

申请人： Anthony Renau

发明人： Anthony Renau

IPC分类号： H01J37317

CPC分类号： H01J37/1475 ,  H01J37/3171

摘要： An ion beam apparatus includes an ion source, a first magnet assembly, a structure defining a resolving aperture and a second magnet assembly. The ion source has an elongated extraction aperture for generating a ribbon ion beam. The first magnet assembly provides first magnetic fields for deflecting the ribbon ion beam perpendicular to the long dimension of the ribbon ion beam cross section, wherein different ion species in the ribbon ion beam are separated. The resolving aperture selects an ion species from the separated ion beam. The second magnet assembly provides second magnetic fields for deflecting ions of the selected ion species in the ribbon ion beam parallel to the long dimension of the ribbon ion beam cross section to produce desired ion trajectories. The width of the ribbon ion beam increases through most of the beamline. As a result, low energy performance is enhanced.

摘要翻译： 离子束装置包括离子源，第一磁体组件，限定分辨孔的结构和第二磁体组件。 离子源具有用于产生带状离子束的细长的提取孔。 第一磁体组件提供用于使带状离子束垂直于带离子束横截面的长尺寸偏转的第一磁场，其中带状离子束中的不同离子种类被分离。 分辨光圈从分离的离子束中选择离子种类。 第二磁体组件提供第二磁场，用于偏转平行于带状离子束横截面的长尺寸的带离子束中的选定离子种类的离子，以产生期望的离子轨迹。 带离子束的宽度通过大多数束线而增加。 结果，能量性能降低。

公开(公告)号：US06403972B1

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09349828

申请日：1999-07-08

申请人： Antonella Cucchetti ,  Leo Vincent Klos, Jr. ,  Joseph C. Olson ,  Raymond L. Pelletier ,  Keith Pierce ,  Anthony Renau ,  Donna Smatlak

发明人： Antonella Cucchetti ,  Leo Vincent Klos, Jr. ,  Joseph C. Olson ,  Raymond L. Pelletier ,  Keith Pierce ,  Anthony Renau ,  Donna Smatlak

IPC分类号： H01J3730

CPC分类号： G21K1/08 ,  G21K1/093 ,  G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30472

摘要： An ion beam is sensed with a beam current sensor which has a sensing aperture that is smaller than a cross-sectional dimension of the ion beam at the beam current sensor. The sensed ion beam current is indicative of ion beam position relative to a desired ion beam path. The ion beam position may be adjusted if the sensed ion beam position differs from the desired ion beam path. One or more beam current sensors may be utilized in an ion implanter for calibration and/or alignment. The beam current sensor may be utilized to determine a relation between a characteristic of an ion beam, such as magnetic rigidity, and a parameter of a system element, such as magnetic field, required to direct the ion beam along a desired ion beam path.

摘要翻译： 用束电流传感器感测离子束，其具有小于束电流传感器处的离子束的横截面尺寸的感测孔径。 感测的离子束电流指示相对于期望的离子束路径的离子束位置。 如果感测的离子束位置与期望的离子束路径不同，则可以调节离子束位置。 用于校准和/或对准的离子注入机中可以使用一个或多个束电流传感器。 束电流传感器可以用于确定离子束的特性（例如磁刚性）与系统元件（诸如磁场）的参数之间的关系，以将离子束沿着期望的离子束路径引导。

公开(公告)号：US6130436A

公开(公告)日：2000-10-10

申请号：US89014

申请日：1998-06-02

申请人： Anthony Renau ,  Charles McKenna

发明人： Anthony Renau ,  Charles McKenna

IPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/047

摘要： An ion beam generator includes an ion beam source for generating an ion beam, an acceleration/deceleration column for selectably accelerating or decelerating ions in the ion beam to desired energies, a source filter positioned between the ion beam source and the acceleration/deceleration column for removing first undesired species from the ion beam, and a mass analyzer positioned downstream of the acceleration/deceleration column for removing second undesired species from the ion beam. The ion beam generator supplies an energetic ion beam having a low level of energy and mass contaminants. The ion beam generator may be utilized in an ion implanter.

摘要翻译： 离子束发生器包括用于产生离子束的离子束源，用于将离子束中的离子可选择地加速或减速到所需能量的加速/减速列，位于离子束源和加速/减速列之间的源极过滤器， 从离子束中除去第一不想要的物质，以及质量分析器，其位于加速/减速塔的下游，用于从离子束中除去第二不需要的物质。 离子束发生器提供具有低水平能量和质量污染物的能量离子束。 离子束发生器可以用在离子注入机中。

公开(公告)号：US20120292285A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13111657

申请日：2011-05-19

申请人： Alexander C. Kontos ,  Frank Sinclair ,  Anthony Renau

发明人： Alexander C. Kontos ,  Frank Sinclair ,  Anthony Renau

IPC分类号： G11B5/84 ,  C23C14/48 ,  C23C14/04

CPC分类号： G11B5/855

摘要： A method of patterning a substrate, comprises patterning a photoresist layer disposed on the substrate using imprint lithography and etching exposed portions of a hard mask layer disposed between the patterned photoresist layer and the substrate. The method may also comprise implanting ions into a magnetic layer in the substrate while the etched hard mask layer is disposed thereon.

摘要翻译： 图案化衬底的方法包括使用压印光刻图案化设置在衬底上的光致抗蚀剂层，并蚀刻设置在图案化的光致抗蚀剂层和衬底之间的硬掩模层的暴露部分。 该方法还可以包括将离子注入到衬底中的磁性层中，同时将蚀刻的硬掩模层设置在其上。

公开(公告)号：US20120288637A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13470731

申请日：2012-05-14

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

IPC分类号： C23C14/48

CPC分类号： C23C14/48 ,  B41J2/1606 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623

摘要： Methods of affecting a material's properties through the implantation of ions, such as by using a plasma processing apparatus with a plasma sheath modifier. In this way, properties such as resistance to chemicals, adhesiveness, hydrophobicity, and hydrophilicity, may be affected. These methods can be applied to a variety of technologies. In some cases, ion implantation is used in the manufacture of printer heads to reduce clogging by increasing the materials hydrophobicity. In other embodiments, MEMS and NEMS devices are produced using ion implantation to change the properties of fluid channels and other structures. In addition, ion implantation can be used to affect a material's resistance to chemicals, such as acids.

摘要翻译： 通过离子注入来影响材料性质的方法，例如通过使用具有等离子体护套改性剂的等离子体处理装置。 以这种方式，可以影响耐化学性，粘合性，疏水性和亲水性等特性。 这些方法可以应用于各种技术。 在某些情况下，离子注入用于制造打印头，以通过增加材料疏水性来减少堵塞。 在其他实施例中，使用离子注入来生产MEMS和NEMS装置，以改变流体通道和其它结构的性质。 此外，可以使用离子注入来影响材料对诸如酸的化学物质的抗性。

公开(公告)号：USRE41214E1

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11053683

申请日：2005-02-08

申请人： Anthony Renau ,  Joseph C. Olson

发明人： Anthony Renau ,  Joseph C. Olson

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

摘要： A method for implanting ions into a workpiece, such as a semiconductor wafer, includes the steps of generating an ion beam, measuring an angle of non-parallelism of the ion beam, tilting the wafer at a first angle, performing a first implant at the first angle, tilting the wafer at a second angle, and performing a second implant at the second angle. The first and second angles are opposite in sign with respect to a reference direction and in magnitude are equal to or greater than the measured angle of non-parallelism. Preferably, the first and second implants are controlled to provide substantially equal ion doses in the workpiece.

摘要翻译： 用于将离子注入到诸如半导体晶片的工件中的方法包括以下步骤：产生离子束，测量离子束的非平行度的角度，以第一角度倾斜晶片，在 第一角度，以第二角度倾斜晶片，并且以第二角度执行第二植入。 第一和第二角度相对于参考方向的符号相反，并且幅度等于或大于所测量的非平行度的角度。 优选地，控制第一和第二植入物以在工件中提供基本相等的离子剂量。