公开(公告)号：US09261974B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US13368820

申请日：2012-02-08

申请人： Jung-Hoon Park ,  Kwang-Cheol Choi ,  Je-Han Yoon

发明人： Jung-Hoon Park ,  Kwang-Cheol Choi ,  Je-Han Yoon

IPC分类号： G06K9/00 ,  G06F3/03 ,  G06F3/01

CPC分类号： G06F3/0304 ,  G06F3/016 ,  G06F3/017

摘要： A method and apparatus is capable of processing a sensory effect of image data. The apparatus includes an image analyzer that analyzes depth information and texture information about at least one object included in an image. A motion analyzer analyzes a motion of a user. An image matching processor matches the motion of the user to the image. An image output unit outputs the image to which the motion of the user is matched, and a sensory effect output unit outputs a texture of an object touched by the body of the user to the body of the user.

摘要翻译： 一种方法和装置能够处理图像数据的感觉效果。 该装置包括分析关于包括在图像中的至少一个对象的深度信息和纹理信息的图像分析器。 运动分析仪分析用户的运动。 图像匹配处理器将用户的运动与图像相匹配。 图像输出单元输出用户的运动匹配的图像，感觉效果输出单元将用户身体触摸的对象的纹理输出到用户的身体。

公开(公告)号：US08717072B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13411907

申请日：2012-03-05

申请人： Jung-Hoon Park

发明人： Jung-Hoon Park

IPC分类号： H03L7/00

CPC分类号： G11C7/222 ,  H03L7/00

摘要： A semiconductor device includes a comparison unit configured to compare the phases of a plurality of clocks having different frequencies and output a phase comparison signal, a phase inversion control unit configured to generate a phase inversion control signal, and a start control unit configured to generate a start control signal in response to a clock enable signal, wherein the comparison unit is configured to start an operation in response to the start control signal and invert, in response to the phase inversion control signal, a phase of an internal clock generated from one of the plurality of clocks when the plurality of clocks have different phases.

摘要翻译： 半导体器件包括：比较单元，被配置为比较具有不同频率的多个时钟的相位并输出相位比较信号;相位反转控制单元，被配置为生成相位反转控制信号;以及启动控制单元， 响应于时钟使能信号启动控制信号，其中，所述比较单元被配置为响应于所述启动控制信号开始操作，并且响应于所述相位反转控制信号反转从所述相位反转控制信号中产生的内部时钟的相位， 当多个时钟具有不同的相位时，多个时钟。

公开(公告)号：US20140028538A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560849

申请日：2012-07-27

申请人： Hang-Sik Shin ,  Jung-Hoon Park ,  Sung-Joo Ahn ,  DaeEun Kim ,  Jaehong Lee ,  Eunseok Jeong

发明人： Hang-Sik Shin ,  Jung-Hoon Park ,  Sung-Joo Ahn ,  DaeEun Kim ,  Jaehong Lee ,  Eunseok Jeong

IPC分类号： G06F3/033

CPC分类号： G06F3/014 ,  G06F3/017

摘要： According to one embodiment, a finger motion recognition glove using conductive materials configured to detect the bending of fingers using a characteristic in which the glove which is made of conductive fibers. The finger motion recognition glove includes pairs of contacts, positioned on corresponding pairs of locations on the glove where knuckles of fingers are bent, each pair of contacts coupled to a first surface of the glove, the finger region between each of the pairs of contacts having a resistance value that changes as the corresponding finger region of the glove is bent and unbent.

摘要翻译： 根据一个实施例，使用导电材料的手指运动识别手套，其被配置为使用其中由导电纤维制成的手套的特性来检测手指的弯曲。 手指运动识别手套包括定位在手指上的指关节弯曲的手套上的相应对位置上的成对的触点，每对触点耦合到手套的第一表面，每对触点之间的手指区域具有 随着手套的相应手指区域的弯曲变化而变化的电阻值不变。

公开(公告)号：US20130021380A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13553444

申请日：2012-07-19

申请人： Jung-Hoon Park

发明人： Jung-Hoon Park

IPC分类号： G06F3/041 ,  G09G5/00

CPC分类号： G06F3/04883 ,  G06F3/0233 ,  G06F3/04886

摘要： An electronic device and method for sensing an input gesture and inputting a selected symbol are provided. An operation method of the electronic device includes determining that an input means has been sensed in a position below a predetermined height from touch regions, determining that the position of the input means is in any one touch region among the touch regions partitioned into a plurality of regions, and analyzing a gesture of the input means and inputting any one of at least one mark type allocated to the touch region in which the input means is positioned.

摘要翻译： 提供了用于感测输入手势并输入所选符号的电子装置和方法。 电子设备的操作方法包括：确定输入装置已经在距触摸区域低于预定高度的位置处被感测到，确定输入装置的位置在分割成多个的触摸区域中的任何一个触摸区域中 并且分析输入装置的手势并输入分配给输入装置所在的触摸区域的至少一个标记类型中的任何一个。

公开(公告)号：US20120315607A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13492705

申请日：2012-06-08

申请人： Hang-Sik Shin ,  Jung-Hoon Park ,  Sung-Joo Ahn

发明人： Hang-Sik Shin ,  Jung-Hoon Park ,  Sung-Joo Ahn

IPC分类号： G09B21/00 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/0488 ,  G06F3/04883 ,  G06F3/04886 ,  G06F2203/04806 ,  G06F2203/04808 ,  G09B21/005

摘要： In one embodiment, an apparatus and method for providing an interface in a device with a touch screen. The method includes displaying on a screen, a directory including a plurality of names and phone numbers corresponding to the names. When a touch event takes place, focusing a region in screen where the touch event occurs, and converting a name and phone number in the focusing region into Braille data and transmitting the Braille data to a Braille display through the interface.

摘要翻译： 在一个实施例中，一种用于在具有触摸屏的设备中提供接口的装置和方法。 该方法包括在屏幕上显示包括与名称对应的多个名称和电话号码的目录。 当发生触摸事件时，将触摸事件发生的屏幕中的区域聚焦，并将聚焦区域中的名称和电话号码转换为盲文数据，并通过界面将盲文数据传送到盲文显示。

公开(公告)号：US08203135B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12697620

申请日：2010-02-01

申请人： Kyu-Rie Sim ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song ,  Jae-Min Shin ,  Shin-Hee Han

发明人： Kyu-Rie Sim ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song ,  Jae-Min Shin ,  Shin-Hee Han

IPC分类号： H01L29/41

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L27/222

摘要： A semiconductor device, a semiconductor module, an electronic apparatus and methods of fabricating and manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a lower interconnection formed on a substrate, a plurality of control patterns formed on the lower interconnection, a plurality of lower contact plug patterns formed on the control patterns, a plurality of storage patterns formed on the lower contact plug patterns, a plurality of upper electrodes formed on the storage patterns, and a plurality of upper interconnections formed on the upper electrodes. The lower contact plug patterns each include at least two contact holes having different sizes, a plurality of sidewall patterns formed on inner sidewalls of the two contact holes and wherein the sidewall patterns have different thicknesses from one another. The semiconductor device further includes a plurality of electrode patterns conformably formed on the inside of the sidewall patterns and having size errors less than 10%, and a plurality of filling patterns formed inside the electrode patterns and completely filling the inside of the contact holes.

摘要翻译： 提供半导体器件，半导体模块，电子设备及其制造和制造方法。 半导体器件包括形成在衬底上的下互连，形成在下互连上的多个控制图案，形成在控制图案上的多个下接触插塞图案，形成在下接触插塞图案上的多个存储图案， 形成在存储图案上的多个上电极和形成在上电极上的多个上互连。 下接触插头图案各自包括具有不同尺寸的至少两个接触孔，多个侧壁图案形成在两个接触孔的内侧壁上，并且其中侧壁图案具有彼此不同的厚度。 半导体器件还包括多个沿着侧壁图案的内侧形成并且具有小于10％的尺寸误差的电极图案，以及形成在电极图案内并且完全填充接触孔内部的多个填充图案。

公开(公告)号：US08043924B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12420888

申请日：2009-04-09

申请人： Kyung-Chang Ryoo ,  Hong-Sik Jeong ,  Gi-Tae Jeong ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song

发明人： Kyung-Chang Ryoo ,  Hong-Sik Jeong ,  Gi-Tae Jeong ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/36 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1675

摘要： In a method of forming a phase-change memory unit, a conductive layer is formed on a substrate having a trench. The conductive layer is planarized until the substrate is exposed to form a first electrode. A spacer partially covering the first electrode is formed. A phase-change material layer is formed on the first electrode and the second spacer. A second electrode is formed on the phase-change material layer. Reset/set currents of the phase-change memory unit may be reduced and deterioration of the phase-change material layer may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 在形成相变存储单元的方法中，在具有沟槽的衬底上形成导电层。 导电层被平坦化，直到基板暴露以形成第一电极。 形成部分地覆盖第一电极的间隔件。 相变材料层形成在第一电极和第二间隔物上。 在相变材料层上形成第二电极。 可以减少相变存储器单元的复位/设置电流，并且/或可以防止相变材料层的劣化。

公开(公告)号：US07869286B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12346074

申请日：2008-12-30

申请人： Jung-Hoon Park ,  Young-Ho Jung

发明人： Jung-Hoon Park ,  Young-Ho Jung

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C29/02 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028

摘要： The semiconductor memory device includes a data input/output unit configured to input data synchronously with a data clock and to output the data to a memory cell in response to an output strobe signal; and an output strobe signal generation unit configured to output the output strobe signal, wherein the output strobe signal is synchronized with a system clock in response to a write command regardless of whether the semiconductor memory device is in a write training mode.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：数据输入/输出单元，被配置为与数据时钟同步地输入数据，并且响应于输出选通信号将数据输出到存储单元; 以及输出选通信号生成单元，被配置为输出输出选通信号，其中，无论半导体存储器件是否处于写入训练模式，输出选通信号都响应于写入命令与系统时钟同步。

公开(公告)号：US20090242866A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12382781

申请日：2009-03-24

申请人： Seung-Pil Ko ,  Jae-Hee Oh ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song ,  Jae-Hyun Park ,  Dong-Won Lim

发明人： Seung-Pil Ko ,  Jae-Hee Oh ,  Jung-Hoon Park ,  Yoon-Jong Song ,  Jae-Hyun Park ,  Dong-Won Lim

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

摘要： A semiconductor device includes an insulating layer on a substrate, a first electrode in the insulating layer having a first upper surface and a second upper surface, a second electrode in the insulating layer spaced apart from the first electrode by a first distance and having a third upper surface and a fourth upper surface, the third upper surface being disposed at a substantially same level as the first upper surface, and the fourth upper surface being disposed at a substantially same level as the second upper surface, a first phase change material pattern covering a part of the first upper surface of the first electrode, and a second phase change material pattern covering a part of the third upper surface of the second electrode, wherein an interface region between the second phase change pattern and the second electrode is spaced apart from an interface region between the first phase change pattern and the first electrode by a second distance greater than the first distance.

摘要翻译： 半导体器件在衬底上包括绝缘层，绝缘层中的第一电极具有第一上表面和第二上表面，绝缘层中的第二电极与第一电极隔开第一距离，并具有第三距离 上表面和第四上表面，所述第三上表面设置在与所述第一上表面基本相同的高度，所述第四上表面设置在与所述第二上表面基本相同的水平面上，所述第一相变材料图案覆盖 第一电极的第一上表面的一部分和覆盖第二电极的第三上表面的一部分的第二相变材料图案，其中第二相变图案和第二电极之间的界面区域与 所述第一相变图案和所述第一电极之间的界面区域大于所述第一距离的第二距离。

公开(公告)号：US07463518B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11409950

申请日：2006-04-25

申请人： Jung-Hoon Park

发明人： Jung-Hoon Park

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C5/025 ,  G11C5/063

摘要： A flash memory device includes a core region, high-voltage pump regions disposed at one side of the core region, and a peripheral control region disposed at one side of the core region and between the high-voltage pump regions.

摘要翻译： 闪存器件包括芯区域，设置在芯区域一侧的高压泵区域和设置在芯区域的一侧和高压泵区域之间的外围控制区域。