公开(公告)号：US20130098872A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13595134

申请日：2012-08-27

申请人： Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Nipun Misra ,  James D. Carducci ,  Gary Leray ,  Kartik Ramaswamy

发明人： Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Nipun Misra ,  James D. Carducci ,  Gary Leray ,  Kartik Ramaswamy

IPC分类号： H05H1/24 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669

摘要： An array of electron beam sources surrounding a processing region of a plasma reactor is periodically switched to change electron beam propagation direction and remove or reduce non-uniformities.

摘要翻译： 周期性地切换围绕等离子体反应器的处理区域的电子束源的阵列，以改变电子束传播方向并去除或减少不均匀性。

公开(公告)号：US20130098553A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13595351

申请日：2012-08-27

申请人： Kallol Bera ,  Kenneth S. Collins ,  Shahid Rauf ,  Leonid Dorf

发明人： Kallol Bera ,  Kenneth S. Collins ,  Shahid Rauf ,  Leonid Dorf

IPC分类号： C23F1/08

CPC分类号： H01J37/3233 ,  H01J2237/06366

摘要： A plasma reactor that generates plasma in a workplace processing chamber by an electron beam, has an electron beam source chamber with a wall opposite to the electron beam propagation direction, the wall being profiled to compensate for a non-uniformity in electron beam density distribution.

摘要翻译： 通过电子束在工作场所处理室中产生等离子体的等离子体反应器具有电子束源室，其具有与电子束传播方向相反的壁，壁被成型以补偿电子束密度分布的不均匀性。

公开(公告)号：US20130098551A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13595201

申请日：2012-08-27

申请人： Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Nipun Misra ,  James D. Carducci ,  Gary Leray ,  Kartik Ramaswamy

发明人： Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins ,  Nipun Misra ,  James D. Carducci ,  Gary Leray ,  Kartik Ramaswamy

IPC分类号： C23F1/08

CPC分类号： H01J37/3233 ,  H01J37/32082

摘要： A plasma reactor that generates plasma in workpiece processing chamber by a electron beam, has an electron beam source chamber and an array of plasma sources facing the electron beam source chamber for affecting plasma electron density in different portions of the processing chamber. In another embodiment, an array of separately controlled electron beam source chambers is provided.

摘要翻译： 通过电子束在工件处理室中产生等离子体的等离子体反应器具有电子束源室和面向电子束源室的等离子体源的阵列，用于影响处理室的不同部分中的等离子体电子密度。 在另一个实施例中，提供了独立控制的电子束源室的阵列。

公开(公告)号：US08329593B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US20120273341A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13442478

申请日：2012-04-09

申请人： ANKUR AGARWAL ,  AJIT BALAKRISHNA ,  SHAHID RAUF

发明人： ANKUR AGARWAL ,  AJIT BALAKRISHNA ,  SHAHID RAUF

IPC分类号： H05H1/24 ,  B44C1/22

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H05H2001/4682

摘要： Methods and apparatus for controlling a plasma are provided herein. In some embodiments, a method may include supplying a first RF signal having a first frequency and a first period from an RF power source to a first electrode, wherein the first period is a first integer number of first cycles at the first frequency; supplying a second RF signal having a second frequency and a second period from the RF power source to the first electrode, wherein the second period is a second integer number of second cycles at the second frequency and wherein a first multiplicative product of the first frequency and the first integer number is equal to a second multiplicative product of the second frequency and the second integer number; and controlling the phase between the first and second periods to control an ion energy distribution of the plasma formed in a process chamber.

摘要翻译： 本文提供了用于控制等离子体的方法和装置。 在一些实施例中，一种方法可以包括从RF功率源向第一电极提供具有第一频率和第一周期的第一RF信号，其中第一周期是第一频率的第一整数个第一周期; 提供从RF电源到第一电极的具有第二频率和第二周期的第二RF信号，其中第二周期是第二频率的第二整数倍的第二周期，并且其中第一频率和第二频率的第一乘法乘积 第一整数等于第二频率和第二整数的第二乘法乘积; 以及控制第一和第二周期之间的相位，以控制在处理室中形成的等离子体的离子能量分布。

公开(公告)号：US08080479B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US11733858

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method of processing a workpiece in a plasma reactor chamber includes coupling RF power via an electrode to plasma in the chamber, the RF power being of a variable frequency in a frequency range that includes a fundamental frequency f. The method also includes coupling the electrode to a resonator having a resonant VHF frequency F which is a harmonic of the fundamental frequency f, so as to produce VHF power at the harmonic. The method controls the ratio of power near the fundamental f to power at harmonic F, by controlling the proportion of power from the generator that is up-converted from f to F, so as to control plasma ion density distribution.

摘要翻译： 在等离子体反应器室中处理工件的方法包括经由电极将RF功率耦合到腔室中的等离子体，RF功率在包括基频f的频率范围内是可变频率的。 该方法还包括将电极耦合到具有作为基频f的谐波的谐振VHF频率F的谐振器，以便在谐波处产生VHF功率。 该方法通过控制从f向F转换为F的发电机的功率比例来控制基波f附近的功率与谐波F功率的比值，以便控制等离子体离子密度分布。

公开(公告)号：US07967996B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20110031216A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12851606

申请日：2010-08-06

申请人： BRYAN LIAO ,  KATSUMASA KAWASAKI ,  YASHASWINI PATTAR ,  SERGIO FUKUDA SHOJI ,  DUY D. NGUYEN ,  KARTIK RAMASWAMY ,  ANKUR AGARWAL ,  PHILLIP STOUT ,  SHAHID RAUF

发明人： BRYAN LIAO ,  KATSUMASA KAWASAKI ,  YASHASWINI PATTAR ,  SERGIO FUKUDA SHOJI ,  DUY D. NGUYEN ,  KARTIK RAMASWAMY ,  ANKUR AGARWAL ,  PHILLIP STOUT ,  SHAHID RAUF

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： C23F1/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116

摘要： Methods for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of etching a dielectric layer includes generating a plasma by pulsing a first RF source signal having a first duty cycle; applying a second RF bias signal having a second duty cycle to the plasma; applying a third RF bias signal having a third duty cycle to the plasma, wherein the first, second, and third signals are synchronized; adjusting a phase variance between the first RF source signal and at least one of the second or third RF bias signals to control at least one of plasma ion density non-uniformity in the plasma or charge build-up on the dielectric layer; and etching the dielectric layer with the plasma.

摘要翻译： 本文提供了处理基板的方法。 在一些实施例中，蚀刻介电层的方法包括通过脉冲具有第一占空比的第一RF源信号来产生等离子体; 向所述等离子体施加具有第二占空比的第二RF偏置信号; 向所述等离子体施加具有第三占空比的第三RF偏置信号，其中所述第一，第二和第三信号被同步; 调整所述第一RF源信号和所述第二或第三RF偏置信号中的至少一个之间的相位差，以控制所述等离子体中的等离子体或电荷积聚中的等离子体离子密度不均匀性中的至少一个; 并用等离子体蚀刻电介质层。

公开(公告)号：US07799661B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11324425

申请日：2006-01-03

申请人： Shahid Rauf

发明人： Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26

CPC分类号： C23C8/36 ,  C23C4/134

摘要： A device (101) for controlling the treatment of a substrate (102) with a plasma (103) is provided which comprises (a) a plasma chamber (104) adapted to generate a plasma (103); (b) a sensor (113) equipped with first (115) and second (117) electrodes that are exposed to the plasma generated within the chamber, said sensor being adapted to (i) apply a first low frequency voltage V1 to the first electrode, (ii) apply a plurality of high frequency voltages V2 . . . Vn to the first electrode, where n≧2, and (iii) measure the respective currents I1 . . . In flowing through the second electrode during application of each of the voltages V1 . . . Vn, respectively; and (c) a data processing device (121) adapted to determine the densities of a plurality of ion species based on currents I1 . . . In and on a mathematical model or on calibration data relating to the plasma chamber.

摘要翻译： 提供一种用于控制用等离子体（103）处理衬底（102）的装置（101），其包括：（a）适于产生等离子体的等离子体室（104）; （b）装备有暴露于室内产生的等离子体的第一（115）和第二（117）电极的传感器（113），所述传感器适于（i）将第一低频电压V1施加到第一电极 ，（ii）施加多个高频电压V2。 。 。 Vn到第一电极，其中n≥2，以及（iii）测量各个电流I1。 。 。 在施加每个电压V1期间流过第二电极。 。 。 Vn; 和（c）适于基于电流I1确定多个离子种类的密度的数据处理装置（121）。 。 。 数学模型或与等离子体腔相关的校准数据。

公开(公告)号：US07772584B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12099557

申请日：2008-04-08

申请人： Marius K. Orlowski ,  Shahid Rauf ,  Peter L. G. Ventzek

发明人： Marius K. Orlowski ,  Shahid Rauf ,  Peter L. G. Ventzek

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/939 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has lateral conductors or traces that are formed of nanotubes such as carbon. A sacrificial layer is formed overlying the substrate. A dielectric layer is formed overlying the sacrificial layer. A lateral opening is formed by removing a portion of the dielectric layer and the sacrificial layer which is located between two columns of metallic catalysts. The lateral opening includes a neck portion and a cavity portion which is used as a constrained space to grow a nanotube. A plasma is used to apply electric charge that forms an electric field which controls the direction of formation of the nanotubes. Nanotubes from each column of metallic catalyst are laterally grown and either abut or merge into one nanotube. Contact to the nanotube may be made from either the neck portion or the columns of metallic catalysts.

摘要翻译： 半导体器件具有由碳纳米管形成的横向导体或迹线。 覆盖衬底上形成牺牲层。 覆盖在牺牲层上的电介质层。 通过去除位于两列金属催化剂之间的介电层和牺牲层的一部分来形成侧向开口。 横向开口包括颈部和空腔部分，其用作用于生长纳米管的约束空间。 使用等离子体来施加形成控制纳米管形成方向的电场的电荷。 来自每列金属催化剂的纳米管横向生长并邻接或合并成一个纳米管。 与纳米管的接触可以由金属催化剂的颈部或者柱子制成。