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148 条记录 (耗时 0.037 秒)

    Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing
    81.
    发明授权
    Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing 失效
    使用气体簇离子束处理制备发光器件的方法

    公开(公告)号：US08481340B2

    公开(公告)日：2013-07-09

    申请号：US13074618

    申请日：2011-03-29

    申请人： John J. Hautala

    发明人： John J. Hautala

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0016

    摘要： A method of manufacturing semiconductor-based light-emitting devices, such as light-emitting diodes (LEDs), is described. The method comprises irradiating an interface region with a gas cluster ion beam (GCIB) to improve the interface region between a light-emitting device stack and the substrate, within the light-emitting device stack, and/or between the light-emitting device stack and a metal contact layer in an end-type contact.

    摘要翻译： 对发光二极管（LED）等半导体发光元件的制造方法进行说明。 该方法包括用气体簇离子束（GCIB）照射界面区域，以改善发光器件堆叠内的发光器件堆叠和衬底之间的界面区域和/或发光器件堆叠 和端接型中的金属接触层。

    GCIB process for reducing interfacial roughness following pre-amorphization
    82.
    发明授权
    GCIB process for reducing interfacial roughness following pre-amorphization 失效
    用于减少非晶化后的界面粗糙度的GCIB工艺

    公开(公告)号：US08440578B2

    公开(公告)日：2013-05-14

    申请号：US13073540

    申请日：2011-03-28

    申请人： John Gumpher

    发明人： John Gumpher

    IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/425 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/26566 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658

    摘要： A method for amorphizing a layer on a substrate is described. In one embodiment, the method includes treating the substrate with a first gas cluster ion beam (GCIB) using a first beam energy selected to yield an amorphous sub-layer within the substrate of a desired thickness, which produces a first interfacial roughness of an amorphous-crystal interface between the amorphous sub-layer and a crystalline sub-layer of the substrate. The method further includes treating the substrate with a second GCIB using a second beam energy, less than the first beam energy, to reduce the first interfacial roughness of the amorphous-crystal interface to a second interfacial roughness.

    摘要翻译： 描述了在基板上非晶化层的方法。 在一个实施方案中，该方法包括使用选择的第一束能量利用第一气体团簇离子束（GCIB）处理衬底，以产生所需厚度的衬底内的无定形子层，其产生无定形的第一界面粗糙度 非晶子层和基底的结晶子层之间的晶体界面。 该方法还包括使用小于第一光束能量的第二光束能量利用第二GCIB处理衬底，以将非晶 - 晶界面的第一界面粗糙度减小到第二界面粗糙度。

    SURFACE PROFILE ADJUSTMENT USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING
    84.
    发明申请
    SURFACE PROFILE ADJUSTMENT USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING 有权
    使用气体离子束处理的表面轮廓调整

    公开(公告)号：US20130075366A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13678972

    申请日：2012-11-16

    申请人： TEL EPION INC.

    发明人： John J. Hautala

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： B44C1/227 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02019

    摘要： A method of treating a workpiece is described. The method comprises computing correction data from metrology data related to a workpiece surface profile, adjusting the surface profile in accordance with the correction data using a gas cluster ion beam (GCIB), and further adjusting the surface profile by performing an etching process following the GCIB adjustment.

    摘要翻译： 描述了一种处理工件的方法。 该方法包括从与工件表面轮廓有关的计量数据中计算校正数据，使用气体簇离子束（GCIB）根据校正数据调整表面轮廓，并且通过执行GCIB之后的蚀刻工艺来进一步调节表面轮廓 调整。

    GAS CLUSTER ION BEAM ETCH PROFILE CONTROL USING BEAM DIVERGENCE
    85.
    发明申请
    GAS CLUSTER ION BEAM ETCH PROFILE CONTROL USING BEAM DIVERGENCE 有权
    气体束离子束蚀刻曲线控制使用光束分流

    公开(公告)号：US20130059449A1

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：US13223977

    申请日：2011-09-01

    申请人： John J. HAUTALA ,  Michael GRAF

    发明人： John J. HAUTALA ,  Michael GRAF

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01J2237/24528 ,  H01L21/32136

    摘要： A method of etching a substrate is described. In one embodiment, the method includes preparing a mask layer having a pattern formed therein on or above at least a portion of a substrate, etching a feature pattern into the substrate from the pattern in the mask layer using a gas cluster ion beam (GCIB), and controlling a sidewall profile of the feature pattern etched into the substrate by adjusting a beam divergence of the GCIB.

    摘要翻译： 描述蚀刻衬底的方法。 在一个实施方案中，该方法包括制备其中在基底的至少一部分上或之上形成的图案的掩模层，使用气体簇离子束（GCIB）从掩模层中的图案将特征图案蚀刻到衬底中， 并且通过调整GCIB的光束发散度来控制蚀刻到衬底中的特征图案的侧壁轮廓。

    Method for directional deposition using a gas cluster ion beam
    88.
    发明授权
    Method for directional deposition using a gas cluster ion beam 有权
    使用气体簇离子束进行定向沉积的方法

    公开(公告)号：US08372489B2

    公开(公告)日：2013-02-12

    申请号：US11864330

    申请日：2007-09-28

    申请人： John J. Hautala

    发明人： John J. Hautala

    IPC分类号： B01J19/08

    CPC分类号： C23C14/221 ,  H01J2237/0812

    摘要： A method for depositing material on a substrate is described. The method comprises directionally depositing a thin film on one or more surfaces of a substrate using a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a source of precursor to the thin film, wherein the deposition occurs on surfaces oriented substantially perpendicular to the direction of incidence of the GCIB, and deposition is substantially avoided on surfaces oriented substantially parallel to the direction of incidence.

    摘要翻译： 描述了在衬底上沉积材料的方法。 该方法包括使用从薄膜的前体源形成的气体簇离子束（GCIB）在衬底的一个或多个表面上定向沉积薄膜，其中沉积发生在基本上垂直于入射方向定向的表面上 的GCIB，并且在基本上平行于入射方向取向的表面上基本上避免了沉积。