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    METHOD FOR TREATING NON-PLANAR STRUCTURES USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING
    5.
    发明申请
    METHOD FOR TREATING NON-PLANAR STRUCTURES USING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING 有权
    使用气体离子束处理处理非平面结构的方法

    公开(公告)号：US20110084216A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12575887

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H01J3/14

    CPC分类号： H01J37/3178 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3171 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method for treating a structure is described. One embodiment includes forming a structure on a substrate, wherein the structure has a plurality of surfaces including one or more first surfaces lying substantially parallel to a first plane parallel with said substrate and one or more second surfaces lying substantially perpendicular to the first plane. Additionally, the method comprises directing a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source toward the substrate with a direction of incidence, and orienting the substrate relative to the direction of incidence. The method further comprises treating the one or more second surfaces.

    摘要翻译： 描述了一种处理结构的方法。 一个实施例包括在基底上形成结构，其中该结构具有包括一个或多个第一表面的多个表面，该第一表面基本上平行于与所述基底平行的第一平面，以及基本上垂直于第一平面的一个或多个第二表面。 此外，该方法包括将由材料源形成的气体簇离子束（GCIB）引导到具有入射方向的衬底，并且使衬底相对于入射方向取向。 该方法还包括处理一个或多个第二表面。

    Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing
    6.
    发明授权
    Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing 有权
    在气体簇离子束处理过程中倾斜衬底的方法和系统

    公开(公告)号：US08237136B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12575931

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： G01J5/00

    CPC分类号： H01J37/3053 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method and system for treating a non-planar structure is described. The method includes forming a non-planar structure on a substrate. Additionally, the method includes generating a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source for treatment of the non-planar structure, tilting the substrate relative to the GCIB, and irradiating the non-planar structure with the GCIB. The system includes a substrate tilt actuator coupled to a substrate holder and configured to tilt the substrate holder relative to a GCIB.

    摘要翻译： 描述了一种用于处理非平面结构的方法和系统。 该方法包括在衬底上形成非平面结构。 此外，该方法包括生成由材料源形成的用于处理非平面结构的气体簇离子束（GCIB），相对于GCIB倾斜衬底，以及用GCIB照射非平面结构。 该系统包括耦合到衬底保持器并且被配置为相对于GCIB倾斜衬底保持器的衬底倾斜致动器。

    Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing
    7.
    发明授权
    Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing 有权
    使用气体簇离子束处理处理非平面结构的方法

    公开(公告)号：US08048788B2

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US12575887

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01J37/3178 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3171 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method for treating a structure is described. One embodiment includes forming a structure on a substrate, wherein the structure has a plurality of surfaces including one or more first surfaces lying substantially parallel to a first plane parallel with said substrate and one or more second surfaces lying substantially perpendicular to the first plane. Additionally, the method comprises directing a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source toward the substrate with a direction of incidence, and orienting the substrate relative to the direction of incidence. The method further comprises treating the one or more second surfaces.

    摘要翻译： 描述了一种处理结构的方法。 一个实施例包括在基底上形成结构，其中该结构具有包括一个或多个第一表面的多个表面，该第一表面基本上平行于与所述基底平行的第一平面，以及基本上垂直于第一平面的一个或多个第二表面。 此外，该方法包括将由材料源形成的气体簇离子束（GCIB）引导到具有入射方向的衬底，并且使衬底相对于入射方向取向。 该方法还包括处理一个或多个第二表面。

    METHOD AND SYSTEM FOR TILTING A SUBSTRATE DURING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING
    8.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR TILTING A SUBSTRATE DURING GAS CLUSTER ION BEAM PROCESSING 有权
    在气体离子束处理中倾斜衬底的方法和系统

    公开(公告)号：US20110084215A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12575931

    申请日：2009-10-08

    申请人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    发明人： John J. Hautala ,  Noel Russell

    IPC分类号： H01J3/14 ,  G21K5/10

    CPC分类号： H01J37/3053 ,  C23C14/221 ,  C23C14/50 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

    摘要： A method and system for treating a non-planar structure is described. The method includes forming a non-planar structure on a substrate. Additionally, the method includes generating a gas cluster ion beam (GCIB) formed from a material source for treatment of the non-planar structure, tilting the substrate relative to the GCIB, and irradiating the non-planar structure with the GCIB. The system includes a substrate tilt actuator coupled to a substrate holder and configured to tilt the substrate holder relative to a GCIB.

    摘要翻译： 描述了一种用于处理非平面结构的方法和系统。 该方法包括在衬底上形成非平面结构。 此外，该方法包括生成由材料源形成的用于处理非平面结构的气体簇离子束（GCIB），相对于GCIB倾斜衬底，以及用GCIB照射非平面结构。 该系统包括耦合到衬底保持器并且被配置为相对于GCIB倾斜衬底保持器的衬底倾斜致动器。

    METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SILICON CARBIDE FILM USING A GAS CLUSTER ION BEAM
    9.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SILICON CARBIDE FILM USING A GAS CLUSTER ION BEAM 审中-公开
    使用气体离子束沉积硅碳膜的方法和系统

    公开(公告)号：US20090233004A1

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：US12049583

    申请日：2008-03-17

    申请人： Steven Sherman ,  John J. Hautala ,  Noel Russell ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault

    发明人： Steven Sherman ,  John J. Hautala ,  Noel Russell ,  Martin D. Tabat ,  Thomas G. Tetreault

    IPC分类号： C23C14/14

    CPC分类号： C23C14/221 ,  C23C14/0635 ,  C23C16/325 ,  C23C16/452 ,  C23C16/513 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/0812

    摘要： A method for depositing material on a substrate is described. The method comprises maintaining a reduced-pressure environment around a substrate holder for holding a substrate having a surface, and holding the substrate securely within the reduced-pressure environment. Additionally, the method comprises forming a gas cluster ion beam (GCIB) from a pressurized gas comprising a compound having silicon (Si) and carbon (C), accelerating the GCIB to the reduced-pressure environment, and irradiating the accelerated GCIB onto at least a portion of the surface of the substrate to form a thin film containing silicon and carbon, wherein the carbon content is greater than or equal to about 10%. Further the compound may possess a Si—C bond.

    摘要翻译： 描述了在衬底上沉积材料的方法。 该方法包括维持围绕衬底保持器的减压环境，用于保持具有表面的衬底，并且将衬底牢固地保持在减压环境中。 此外，该方法包括从包含具有硅（Si）和碳（C）的化合物的加压气体形成气体簇离子束（GCIB），将GCIB加速至减压环境，并将加速的GCIB至少照射 衬底表面的一部分以形成含有硅和碳的薄膜，其中碳含量大于或等于约10％。 此外，化合物可以具有Si-C键。