公开(公告)号：US20110272689A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12929301

申请日：2011-01-13

申请人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim

发明人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： H01L31/0248

CPC分类号： G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L27/1225

摘要： An optical touch panel may be used remotely to control a large-sized display device. According to a method of fabricating the optical touch panel, an optical sensor transistor for sensing light and a switch transistor for drawing data can be formed together on the same substrate by using a relatively simple process. The optical touch panel may include an optical sensor transistor and a switch transistor. The optical sensor transistor may be configured to sense light and the switch transistor may be configured to draw data from the optical sensor transistor. The optical sensor transistor may include a light sensitive oxide semiconductor material as a channel layer. The switch transistor may include a non-light sensitive oxide semiconductor material as a channel layer.

摘要翻译： 可以远程地使用光学触摸面板来控制大型显示装置。 根据制造光学触摸面板的方法，可以通过使用相对简单的工艺在相同的衬底上一起形成用于感测光的光学传感器晶体管和用于绘制数据的开关晶体管。 光学触摸面板可以包括光学传感器晶体管和开关晶体管。 光学传感器晶体管可以被配置为感测光，并且开关晶体管可以被配置为从光学传感器晶体管绘制数据。 光传感器晶体管可以包括作为沟道层的光敏氧化物半导体材料。 开关晶体管可以包括作为沟道层的非光敏氧化物半导体材料。

公开(公告)号：US20110261017A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12926922

申请日：2010-12-17

申请人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： G06F3/042 ,  G01J1/42 ,  H01L27/146 ,  H01J40/02

CPC分类号： H01L27/14681 ,  G01J1/44 ,  G06F3/03542 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/0412 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3696 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/0626 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/1136 ,  H04N5/3745

摘要： Example embodiments are directed to light sensing circuits having a relatively simpler structure by using light-sensitive oxide semiconductor transistors as light sensing devices, and remote optical touch panels and image acquisition apparatuses, each including the light sensing circuits. The light sensing circuit includes a light-sensitive oxide semiconductor transistor in each pixel, wherein the light-sensitive oxide semiconductor transistor is configured as a light sensing device, and a driving circuit that outputs data. The light sensing circuit may have a relatively simple circuit structure including a plurality of transistors in one pixel. As a result, the structure and operation of the light sensing circuit may be simplified.

摘要翻译： 示例性实施例涉及具有通过使用光敏氧化物半导体晶体管作为光感测装置的相对简单的结构的光感测电路，以及每个包括光感测电路的远程光学触摸面板和图像采集装置。 光感测电路在每个像素中包括光敏氧化物半导体晶体管，其中光敏氧化物半导体晶体管被配置为光感测装置，以及输出数据的驱动电路。 光感测电路可以具有包括一个像素中的多个晶体管的相对简单的电路结构。 结果，可以简化光感测电路的结构和操作。

公开(公告)号：US20110241143A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12923553

申请日：2010-09-28

申请人： Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim

发明人： Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： H01L31/02 ,  G01T1/24

CPC分类号： G01T1/242 ,  H01L31/085

摘要： Example embodiments are directed to X-ray detectors including double photoconductors. According to example embodiments, the X-ray detector includes a first photoconductor on which X-rays are incident, and a second photoconductor on which X-rays transmitted through the first photoconductor are incident. The first photoconductor and the second photoconductor include a tandem structure. The first photoconductor is formed of silicon and absorbs X-rays in a low energy band, and the second photoconductor is formed of a material that absorbs X-rays in an energy band higher than the low energy band of the X-rays absorbed by silicon.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括双光电导体的X射线检测器。 根据示例性实施例，X射线检测器包括在其上入射X射线的第一感光体和通过第一光电导体透射X射线的第二感光体。 第一光电导体和第二光电导体包括串联结构。 第一光电导体由硅形成并在低能带中吸收X射线，第二光电导体由吸收X射线的能量带的材料形成，该能带高于由硅吸收的X射线的低能带 。

公开(公告)号：US20110141060A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12805722

申请日：2010-08-17

申请人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Jae-chul Park

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0386

摘要： An optical touch panel may include a plurality of light-sensing areas. The plurality of light-sensing areas may be integrally formed with pixels in a display panel or may be formed on the display panel, in order to sense incident light from outside the optical touch panel. A method of driving an optical touch panel may include sensing a change in an output from a plurality of light-sensing areas between two time points and determining that there is an optical input when the change in the output is greater than or equal to a first reference value that is defined in advance. The light-sensing areas may be integrally formed with pixels in a display panel or formed on a surface of the display panel, for sensing incident light from outside the optical touch panel.

摘要翻译： 光学触摸面板可以包括多个感光区域。 多个感光区域可以与显示面板中的像素一体地形成，或者可以形成在显示面板上，以便感测来自光学触摸面板外部的入射光。 驱动光学触摸面板的方法可以包括在两个时间点之间感测多个光感测区域的输出的变化，并且当输出的变化大于或等于第一时间点时确定存在光学输入 提前定义的参考值。 光感测区域可以与显示面板中的像素一体地形成或形成在显示面板的表面上，用于感测来自光学触摸面板外部的入射光。

公开(公告)号：US20110114939A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12805110

申请日：2010-07-13

申请人： Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim

发明人： Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： Transistors, electronic devices including a transistor and methods of manufacturing the same are provided, the transistor includes an oxide semiconductor layer (as a channel layer) having compositions that vary in one direction. The channel layer may be an oxide layer including a first element, a second element, and Zn, which are metal elements. The amount of at least one of the first element, the second element, and Zn may change in a deposition direction of the channel layer. The first element may be any one of hafnium (Hf), yttrium (Y), tantalum (Ta), zirconium (Zr), gallium (Ga), aluminum (Al) or combinations thereof. The second element may be indium (In). The channel layer may have a multi-layered structure including at least two layers with different compositions.

摘要翻译： 提供晶体管，包括晶体管的电子器件及其制造方法，晶体管包括具有在一个方向上变化的组成的氧化物半导体层（作为沟道层）。 沟道层可以是包括作为金属元素的第一元素，第二元素和Zn的氧化物层。 第一元件，第二元件和Zn中的至少一个的量可以在沟道层的沉积方向上改变。 第一元素可以是铪（Hf），钇（Y），钽（Ta），锆（Zr），镓（Ga），铝（Al）或其组合中的任一种。 第二元素可以是铟（In）。 沟道层可以具有包括具有不同组成的至少两层的多层结构。

公开(公告)号：US20110085368A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12659516

申请日：2010-03-11

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

摘要： The non-volatile memory device may include a substrate, a plurality of first signal lines on the substrate in a vertical direction, a plurality of memory cells having ends connected to the plurality of first signal lines, a plurality of second signal lines perpendicular to the plurality of first signal lines on the substrate and each connected to other ends of the plurality of memory cells, and a plurality of selection elements on the substrate and connected to at least two of the plurality of first signal lines.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括衬底，在垂直方向上的衬底上的多个第一信号线，具有连接到多个第一信号线的端部的多个存储器单元，垂直于第一信号线的多个第二信号线 基板上的多个第一信号线，并且各自连接到多个存储单元的另一端，以及多个选择元件，并且连接到多个第一信号线中的至少两个。

公开(公告)号：US20110001746A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12659156

申请日：2010-02-26

申请人： Chang-jung Kim ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

发明人： Chang-jung Kim ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

IPC分类号： G09G3/00 ,  G06F3/038

CPC分类号： G09G3/001 ,  G02B27/2264 ,  G09G3/003 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/023 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2340/10 ,  H04N13/395

摘要： An apparatus for displaying a three-dimensional (3D) image may include a plurality of display panels and a controller configured to apply image signals to each of the plurality of display panels. At least one of the display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction. A method of displaying a three-dimensional (3D) image may include displaying plane images on each of a plurality of display panels. At least one of the plurality of display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction.

摘要翻译： 用于显示三维（3D）图像的装置可以包括多个显示面板和被配置为将图像信号应用于多个显示面板中的每一个的控制器。 至少一个显示面板可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。 显示三维（3D）图像的方法可以包括在多个显示面板的每一个上显示平面图像。 多个显示面板中的至少一个可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：US20100308297A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L45/00 ,  H01L21/34 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US07816680B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12213399

申请日：2008-06-19

申请人： Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78693

摘要： Provided are oxide semiconductors and thin film transistors of the same. An oxide semiconductor includes Zn, In and Hf. The amount of Hf is in the range of about 2-16 at %, inclusive, based on the total amount of Zn, In, and Hf. A thin film transistor includes a gate and a gate insulating layer arranged on the gate. A channel corresponding to the gate is formed on the gate insulating layer. The channel includes an oxide semiconductor. The semiconductor oxide includes Zn, In and Hf. The amount of Hf is in the range of about 2-16 at %, inclusive, based on the total amount of Zn, In, and Hf. A source and a drain contact respective sides of the channel.

摘要翻译： 提供了这样的氧化物半导体和薄膜晶体管。 氧化物半导体包括Zn，In和Hf。 基于Zn，In和Hf的总量，Hf的量在约2-16at％的范围内。 薄膜晶体管包括设置在栅极上的栅极和栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成与栅极对应的沟道。 通道包括氧化物半导体。 半导体氧化物包括Zn，In和Hf。 基于Zn，In和Hf的总量，Hf的量在约2-16at％的范围内。 源极和漏极接触通道的相应侧面。

公开(公告)号：US20100117684A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12457907

申请日：2009-06-25

申请人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

发明人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

IPC分类号： H03K19/094

CPC分类号： H03K19/09443 ,  H03K19/09407

摘要： The inverter includes a driving transistor and a loading transistor having channel regions with different thicknesses. The channel region of the driving transistor may be thinner than the channel region of the load transistor. A channel layer of the driving transistor may have a recessed region between a source and a drain which contact both ends of the channel layer. The driving transistor may be an enhancement mode transistor and the load transistor may be a depletion mode transistor.

摘要翻译： 逆变器包括驱动晶体管和具有不同厚度的沟道区的负载晶体管。 驱动晶体管的沟道区可以比负载晶体管的沟道区更薄。 驱动晶体管的沟道层可以在与沟道层的两端接触的源极和漏极之间具有凹陷区域。 驱动晶体管可以是增强型晶体管，负载晶体管可以是耗尽型晶体管。