利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

181 条记录 (耗时 0.035 秒)

    Strain sensor element and blood pressure sensor
    83.
    发明授权
    Strain sensor element and blood pressure sensor 有权
    应变传感器元件和血压传感器

    公开(公告)号：US08760154B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13110392

    申请日：2011-05-18

    申请人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

    发明人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

    IPC分类号： G01B7/24 ,  G01L1/00

    CPC分类号： A61B5/021 ,  A61B5/02108 ,  G01B7/24 ,  G01L1/125

    摘要： A strain sensor element comprises a laminated film which has a magnetic free layer, a spacer layer, and a magnetic reference layer. The free layer has a variable magnetization direction and a out-of-plane magnetization direction. The reference layer has a variable magnetization direction which is pinned more strongly than the magnetization of the free layer. The spacer layer provided between the free layer and the reference layer. A pair of electrodes is provided with a plane of the laminated film. A substrate is provided with either of the pair electrodes and can be strained. The rotation angle of the magnetization of the free layer is different from the rotation angle of the magnetization of the reference layer when the substrate is distorted. Electrical resistance is changed depending on the magnetization angle between the free layer and the reference layer, which allows the element to operate as a strain sensor.

    摘要翻译： 应变传感器元件包括具有无磁性层，间隔层和磁性参考层的层压膜。 自由层具有可变的磁化方向和面外磁化方向。 参考层具有可变的磁化方向，该自由层的磁化强度比自由层的磁化强。 间隔层设置在自由层和参考层之间。 一对电极设置有层叠膜的平面。 基板设置有对电极中的任一个并且可以变形。 当衬底失真时，自由层的磁化的旋转角度与参考层的磁化的旋转角度不同。 电阻根据自由层和参考层之间的磁化角度而改变，这允许元件作为应变传感器工作。

    METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSING DEVICE
    85.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSING DEVICE 有权
    制造压力传感装置的方法

    公开(公告)号：US20130255069A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13710718

    申请日：2012-12-11

    申请人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    发明人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    IPC分类号： G01R3/00

    CPC分类号： G01R3/00 ,  A61B5/02141 ,  A61B2562/0247 ,  G01L1/125 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/16 ,  Y10T29/49007

    摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a pressure sensing device includes preparing a sensor unit and a mounting substrate. The sensor unit includes: a membrane body; and an element unit provided on the membrane body. The element unit includes: a first electrode; a second electrode; and a first magnetic layer provided between the first electrode and the second electrode and having magnetization in a first direction. The mounting substrate includes: a base; a first electrode pad provided on the base; and a second electrode pad provided on the base and provided apart from the first electrode pad. The method further includes joining the first electrode pad to the first electrode while heated, and joining the second electrode pad to the second electrode while heated, with an external magnetic field along the first direction applied to the sensor unit.

    摘要翻译： 根据一个实施例，用于制造压力感测装置的方法包括制备传感器单元和安装基板。 传感器单元包括：膜体; 以及设置在膜体上的元件单元。 元件单元包括：第一电极; 第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并且在第一方向上具有磁化的第一磁性层。 安装基板包括：基座; 设置在基座上的第一电极焊盘; 以及设置在基座上并与第一电极焊盘分开设置的第二电极焊盘。 该方法还包括在加热时将第一电极焊盘接合到第一电极，并且在加热时将第二电极焊盘接合到第二电极，沿着施加到传感器单元的第一方向的外部磁场。

    Magnetoresistive element utilizing a peltier effect junction of Au and CuNi to cool the element
    86.
    发明授权
    Magnetoresistive element utilizing a peltier effect junction of Au and CuNi to cool the element 有权
    使用Au和CuNi的珀耳帖效应结的磁阻元件来冷却元件

    公开(公告)号：US08345389B2

    公开(公告)日：2013-01-01

    申请号：US12879376

    申请日：2010-09-10

    申请人： Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa

    发明人： Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3906 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/486 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetoresistive element includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, a nonmagnetic layer, a first metal layer, a second metal layer, a first electrode, and a second electrode. The nonmagnetic layer is provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The first metal layer includes Au and is provided so that the first ferromagnetic layer is sandwiched between the nonmagnetic layer and the first metal layer. The second metal layer includes a CuNi alloy, and is provided so that the first metal layer is sandwiched between the first ferromagnetic layer and the second metal layer. In addition, magnetization of either one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is fixed in a direction. Magnetization of the other is variable in response to an external field. At least one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer includes a half metal.

    摘要翻译： 磁阻元件包括第一铁磁层，第二铁磁层，非磁性层，第一金属层，第二金属层，第一电极和第二电极。 非磁性层设置在第一铁磁层和第二铁磁层之间。 第一金属层包括Au，并且设置成使得第一铁磁层夹在非磁性层和第一金属层之间。 第二金属层包括CuNi合金，并且被设置成使得第一金属层夹在第一铁磁层和第二金属层之间。 此外，第一铁磁层和第二铁磁层中的任一个的磁化在一个方向上固定。 另一个的磁化响应于外部场是可变的。 第一铁磁层和第二铁磁层中的至少一个包括半金属。

    Magneto-resistance effect element
    90.
    发明授权
    Magneto-resistance effect element 有权
    磁阻效应元件

    公开(公告)号：US08111489B2

    公开(公告)日：2012-02-07

    申请号：US12314811

    申请日：2008-12-17

    申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

    发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/305 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129

    摘要： An example method for manufacturing a magneto-resistance effect element includes: forming a first magnetic layer; forming a first metallic layer, on the first magnetic layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Cu, Au, Ag; forming a functional layer, on the first metallic layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Si, Hf, Ti, Mo, W, Nb, Mg, Cr and Zr; forming a second metallic layer, on the functional layer, mainly containing Al; treating the second metallic layer by oxidizing, nitriding or oxynitiriding so as to form a current confined layer including an insulating layer and a current path with a conductor passing a current through the insulating layer; and forming, on the current confined layer, a second magnetic layer.

    摘要翻译： 用于制造磁阻效应元件的示例性方法包括：形成第一磁性层; 在第一磁性层上形成第一金属层，主要包含选自Cu，Au，Ag的元素; 在第一金属层上形成功能层，主要含有选自由Si，Hf，Ti，Mo，W，Nb，Mg，Cr和Zr组成的组中的元素; 在功能层上形成主要含有Al的第二金属层; 通过氧化，氮化或氧氮处理来处理第二金属层，以便形成包含绝缘层和电流通路的电流限制层，导体通过电流通过绝缘层; 以及在所述受限层上形成第二磁性层。