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    III-N SEMICONDUCTOR LAYER ON Si SUBSTRATE
    2.
    发明申请
    III-N SEMICONDUCTOR LAYER ON Si SUBSTRATE 有权
    Si衬底上的III-N半导体层

    公开(公告)号：US20170054025A1

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：US15251999

    申请日：2016-08-30

    申请人： Rytis Dargis ,  Andrew Clark ,  Nam Pham ,  Erdem Arkun

    发明人： Rytis Dargis ,  Andrew Clark ,  Nam Pham ,  Erdem Arkun

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/04

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

    摘要： A method of growing III-N semiconducting material on a silicon substrate including the steps of growing a layer of epitaxial rare earth oxide on a single crystal silicon substrate and modifying the surface of the layer of epitaxial rare earth oxide with nitrogen plasma. The method further includes the steps of growing a layer of low temperature epitaxial gallium nitride on the modified surface of the layer of epitaxial rare earth oxide and growing a layer of bulk epitaxial III-N semiconductive material on the layer of low temperature epitaxial gallium nitride.

    摘要翻译： 一种在硅衬底上生长III-N半导体材料的方法，包括在单晶硅衬底上生长一层外延稀土氧化物并用氮等离子体改性外延稀土氧化物表面的步骤。 该方法还包括以下步骤：在外延稀土氧化物层的改性表面上生长一层低温外延氮化镓，并在低温外延氮化镓层上生长一层体外延III-N半导体材料。

    Treatment for peanut allergy
    3.
    发明授权
    Treatment for peanut allergy 有权
    花生过敏治疗

    公开(公告)号：US09481716B2

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：US14005789

    申请日：2012-03-16

    申请人： Andrew Clark ,  Pamela Ewan

    发明人： Andrew Clark ,  Pamela Ewan

    IPC分类号： A01N65/00 ,  A61K36/00 ,  A61K36/48 ,  A61K39/35 ,  A61K39/36 ,  C07K14/415 ,  A61K39/00

    CPC分类号： C07K14/415 ,  A61K39/35 ,  A61K2039/542 ,  A61K2039/545

    摘要： The present invention relates to oral immunotherapy for the desensitization of patients who are hypersensitive to peanut allergen. The immunotherapy comprises increasing the oral dose daily dose of peanut protein administered to the patient at intervals of at least 2 weeks in a series of increments from an initial dose to a maximum dose, the series of dose increments including 2 mg, 5 mg, 12.5 mg, 25 mg, 50 mg, 100 mg, 200 mg, 400 mg and 800 mg; administering a daily oral dose of the maximum dose of peanut protein for at least 2 years and then administering a weekly oral dose of the maximum dose of peanut protein for at least 2 years.

    摘要翻译： 本发明涉及对花生过敏原过敏的患者的脱敏的口服免疫治疗。 免疫疗法包括以从初始剂量到最大剂量的一系列增量，以至少2周的间隔增加施用于患者的花生蛋白的口服剂量日剂量，所述剂量增量包括2mg，5mg，12.5 mg，25mg，50mg，100mg，200mg，400mg和800mg; 每日口服剂量的最大剂量的花生蛋白至少2年，然后每周口服剂量的最大剂量的花生蛋白质至少2年。

    REO/ALO/A1N template for III-N material growth on silicon
    6.
    发明授权
    REO/ALO/A1N template for III-N material growth on silicon 有权
    REO / ALO / A1N模板，用于在硅上进行III-N材料生长

    公开(公告)号：US08823055B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13717211

    申请日：2012-12-17

    申请人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    发明人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    IPC分类号： H01L31/0336

    CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

    摘要： A method of forming a template on a silicon substrate includes providing a single crystal silicon substrate. The method further includes epitaxially depositing a layer of rare earth oxide on the surface of the silicon substrate. The rare earth oxide being substantially crystal lattice matched to the surface of the silicon substrate. The method further includes forming an aluminum oxide layer on the rare earth oxide, the aluminum oxide being substantially crystal lattice matched to the surface of the rare earth oxide and epitaxially depositing a layer of aluminum nitride (AlN) on the aluminum oxide layer substantially crystal lattice matched to the surface of the aluminum oxide.

    摘要翻译： 在硅衬底上形成模板的方法包括提供单晶硅衬底。 该方法还包括在硅衬底的表面上外延沉积稀土氧化物层。 稀土氧化物基本上与硅衬底的表面晶格匹配。 所述方法还包括在所述稀土氧化物上形成氧化铝层，所述氧化铝基本上与所述稀土氧化物的表面晶格匹配，并且在所述氧化铝层上外延沉积基本上晶格上的氮化铝（AlN）层 与氧化铝的表面匹配。

    SINGLE-CRYSTAL REO BUFFER ON AMORPHOUS SiOx
    8.
    发明申请
    SINGLE-CRYSTAL REO BUFFER ON AMORPHOUS SiOx 审中-公开
    单晶SiOx单晶REO缓冲液

    公开(公告)号：US20130334536A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：US13771514

    申请日：2013-02-20

    申请人： Rytis Dargis ,  Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Michael Lebby

    发明人： Rytis Dargis ,  Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B1/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/22 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254

    摘要： A method of forming a layer of amorphous silicon oxide positioned between a layer of rare earth oxide and a silicon substrate. The method includes providing a crystalline silicon substrate and depositing a layer of rare earth metal on the silicon substrate in an oxygen deficient ambient at a temperature above approximately 500° C. The rare earth metal forms a layer of rare earth silicide on the substrate. A first layer of rare earth oxide is deposited on the layer of rare earth silicide with a structure and lattice constant substantially similar to the substrate. The structure is annealed in an oxygen ambience to transform the layer of rare earth silicide to a layer of amorphous silicon and an intermediate layer of rare earth oxide between the substrate and the first layer of rare earth oxide.

    摘要翻译： 一种形成位于稀土氧化物层和硅衬底之间的非晶氧化硅层的方法。 该方法包括在高于约500℃的温度下在缺氧环境中在硅衬底上提供晶体硅衬底和沉积稀土金属层。稀土金属在衬底上形成一层稀土硅化物。 第一层稀土氧化物沉积在稀土硅化物层上，其结构和晶格常数基本上类似于衬底。 该结构在氧气环境中进行退火以将稀土硅化物层转变成非晶硅层和稀土氧化物中间层，在基底和第一稀土氧化物层之间。

    Modification of REO by subsequent III-N EPI process
    10.
    发明授权
    Modification of REO by subsequent III-N EPI process 有权
    随后的III-N EPI过程修改REO

    公开(公告)号：US08501635B1

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13631906

    申请日：2012-09-29

    申请人： Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Michael Lebby

    发明人： Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

    摘要： A method of growing single crystal III-N material on a semiconductor substrate includes providing a substrate including one of crystalline silicon or germanium and a layer of rare earth oxide. A layer of single crystal III-N material is epitaxially grown on the substrate using a process that elevates the temperature of the layer of rare earth oxide into a range of approximately 750° C. to approximately 1250° C. in the presence of an N or a III containing species, whereby a portion of the layer of rare earth oxide is transformed to a new alloy.

    摘要翻译： 在半导体衬底上生长单晶III-N材料的方法包括提供包括结晶硅或锗中的一种和稀土氧化物层的衬底。 使用在N存在下将稀土氧化物层的温度升高到大约750℃至大约1250℃的范围的方法在衬底上外延生长单层III-N材料层 或含III族的物质，由此将一部分稀土氧化物转变成新的合金。