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    NON-VOLATILE MEMORY INTERFACE
    2.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY INTERFACE 有权
    非易失性存储器接口

    公开(公告)号：US20150032941A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：US14128669

    申请日：2013-07-25

    申请人： Eng Hun Ooi ,  Robert J. Royer, JR. ,  Michael W. Williams ,  Jeffrey R. Wilcox ,  Ritesh B. Trivedi ,  Blaise Fanning

    发明人： Eng Hun Ooi ,  Robert J. Royer, JR. ,  Michael W. Williams ,  Jeffrey R. Wilcox ,  Ritesh B. Trivedi ,  Blaise Fanning

    IPC分类号： G06F12/02

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/02 ,  G06F13/12 ,  G06F13/16 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/38 ,  G06F13/4234 ,  G06F2212/7202

    摘要： In an embodiment, a memory interface may send an indication that a request is being sent. The indication may be sent to a non-volatile memory via a point-to-point bus between a memory interface and the non-volatile memory. The memory interface may send the request to the non-volatile memory via the bus. The request may include an address that may be used to identify a location for storing or reading data. The non-volatile memory may acquire the request from the bus and process the request. After processing the request, the non-volatile memory may send an indication to the memory interface that indicates the non-volatile memory has a response to send to the memory interface. The memory interface may grant access to the bus to the non-volatile memory. After being granted access to the bus, the non-volatile memory may send the response to the memory interface.

    摘要翻译： 在一个实施例中，存储器接口可以发送请求被发送的指示。 该指示可以经由存储器接口和非易失性存储器之间的点对点总线发送到非易失性存储器。 存储器接口可以经由总线将请求发送到非易失性存储器。 请求可以包括可用于标识用于存储或读取数据的位置的地址。 非易失性存储器可以从总线获取请求并处理请求。 在处理请求之后，非易失性存储器可以向存储器接口发送指示非易失性存储器具有发送到存储器接口的响应的指示。 存储器接口可以向总线授予对非易失性存储器的访问。 在被允许访问总线之后，非易失性存储器可以将响应发送到存储器接口。

    MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS
    6.
    发明申请
    MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS 有权
    具有直接访问的多级记忆

    公开(公告)号：US20130339572A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：US13993695

    申请日：2011-12-29

    申请人： Blaise Fanning ,  Shekoufeh Qawami ,  Raymond S. Tetrick ,  Frank T. Hady

    发明人： Blaise Fanning ,  Shekoufeh Qawami ,  Raymond S. Tetrick ,  Frank T. Hady

    IPC分类号： G11C7/10

    CPC分类号： G06F3/0644 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/023 ,  G06F12/0238 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/08 ,  G06F12/10 ,  G06F12/1009 ,  G06F2212/2024 ,  G06F2212/205 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7204 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/56 ,  G11C16/00 ,  Y02D10/13

    摘要： Embodiments of a method, device, and system for implementing multi-level memory with direct access are disclosed. In one embodiment, the method includes designating an amount of a non-volatile random access memory (NVRAM) in a computer system to be utilized as a memory alternative for a dynamic random access memory (DRAM). The method continues by designating a second amount of the NVRAM to be utilized as a storage alternative for a mass storage device. Then the method re-designates at least a first portion of the first amount of NVRAM from the memory alternative designation to the storage alternative designation during operation of the computer system. Finally, the method re-designates at least a first portion of the second amount of NVRAM from the storage alternative designation to the memory alternative designation during operation of the computer system.

    摘要翻译： 公开了用于实现具有直接访问的多级存储器的方法，设备和系统的实施例。 在一个实施例中，该方法包括指定要用作动态随机存取存储器（DRAM）的存储器备选方案的计算机系统中的非易失性随机存取存储器（NVRAM）的量。 该方法通过指定要用作大容量存储设备的存储备用的第二数量的NVRAM来继续。 然后，该方法在计算机系统的操作期间将存储器备选指定中的第一数量的NVRAM的至少第一部分重新指定为存储备选指定。 最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二数量的NVRAM的至少第一部分从存储替代指定重新指定到存储器备选指定。