利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

786 条记录 (耗时 0.034 秒)

    Method for modulating stresses of a contact etch stop layer
    1.
    发明授权
    Method for modulating stresses of a contact etch stop layer 有权
    用于调节接触蚀刻停止层的应力的方法

    公开(公告)号：US07629273B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11523674

    申请日：2006-09-19

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

    摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate comprising a first device region, forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device in the first device region, forming a stressed layer over the MOS device, and performing a post-treatment to modulate a stress of the stressed layer. The post-treatment is selected from the group consisting essentially of ultra-violet (UV) curing, laser curing, e-Beam curing, and combinations thereof.

    摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括提供包括第一器件区域的衬底，在第一器件区域中形成金属氧化物半导体（MOS）器件，在MOS器件上形成应力层，并进行后处理 调节应力层的应力。 后处理选自基本上由紫外线（UV）固化，激光固化，电子束固化及其组合组成的组。

    Method for modulating stresses of a contact etch stop layer
    3.
    发明申请
    Method for modulating stresses of a contact etch stop layer 有权
    用于调节接触蚀刻停止层的应力的方法

    公开(公告)号：US20080085607A1

    公开(公告)日：2008-04-10

    申请号：US11523674

    申请日：2006-09-19

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

    摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate comprising a first device region, forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device in the first device region, forming a stressed layer over the MOS device, and performing a post-treatment to modulate a stress of the stressed layer. The post-treatment is selected from the group consisting essentially of ultra-violet (UV) curing, laser curing, e-Beam curing, and combinations thereof.

    摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括提供包括第一器件区域的衬底，在第一器件区域中形成金属氧化物半导体（MOS）器件，在MOS器件上形成应力层，并进行后处理 调节应力层的应力。 后处理选自基本上由紫外线（UV）固化，激光固化，电子束固化及其组合组成的组。

    Semiconductor device and fabricating method thereof
    9.
    发明申请
    Semiconductor device and fabricating method thereof 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20060226549A1

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：US11104266

    申请日：2005-04-12

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device and a fabrication method thereof. The semiconductor device has a substrate with a first conductive area, a dielectric layer formed of a low dielectric constant material disposed on the substrate, and a dielectric anti-reflective coating (DARC) layer disposed on the dielectric layer. A contact hole is disposed in the DARC layer and the dielectric layer to the first conductive area and a contact plug is disposed in the contact hole and electrically connected to the first conductive area.

    摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 该半导体器件具有一个具有第一导电区域的基片，一个由布置在该基片上的低介电常数材料形成的电介质层，以及设置在介电层上的介电抗反射涂层（DARC）层。 接触孔设置在DARC层中，电介质层设置到第一导电区域，接触插头设置在接触孔中并电连接到第一导电区域。