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    Mask for forming fine pattern and method of forming the same
    1.
    发明授权
    Mask for forming fine pattern and method of forming the same 有权
    用于形成精细图案的面膜及其形成方法

    公开(公告)号：US07536671B2

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：US11590352

    申请日：2006-10-31

    Applicant: Jae-pil Shin ,  Young-Ile Kim ,  Moon-hyun Yoo

    Inventor： Jae-pil Shin ,  Young-Ile Kim ,  Moon-hyun Yoo

    IPC: G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G03F1/00 ,  G21K5/00

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    Abstract: In a mask for forming a fine pattern to completely transfer a first and a second pattern from the mask onto a receiving object, and a method of forming the mask, the mask includes a first pattern, a second pattern, and a supplemental pattern. The first pattern repeats in a first direction. The second pattern is arranged between and parallel to the first pattern and has a first width W1. The supplemental pattern is disposed between the first pattern and the second pattern, and is spaced apart by a first distance D1 in the first direction from the second pattern.

    Abstract translation: 在用于形成精细图案以将第一图案和第二图案从掩模完全转印到接收对象上的掩模以及形成掩模的方法中，掩模包括第一图案，第二图案和补充图案。 第一图案在第一方向上重复。 第二图案布置在第一图案之间并平行于第一图案并具有第一宽度W1。 辅助图案设置在第一图案和第二图案之间，并且在距离第二图案的第一方向上间隔开第一距离D1。

    Mask for forming fine pattern and method of forming the same
    2.
    发明申请
    Mask for forming fine pattern and method of forming the same 有权
    用于形成精细图案的面膜及其形成方法

    公开(公告)号：US20080082953A1

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：US11590352

    申请日：2006-10-31

    Applicant: Jae-pil Shin ,  Young-Ile Kim ,  Moon-hyun Yoo

    Inventor： Jae-pil Shin ,  Young-Ile Kim ,  Moon-hyun Yoo

    IPC: G06F17/50

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    Abstract: In a mask for forming a fine pattern to completely transfer a first and a second pattern from the mask onto a receiving object, and a method of forming the mask, the mask includes a first pattern, a second pattern, and a supplemental pattern. The first pattern repeats in a first direction. The second pattern is arranged between and parallel to the first pattern and has a first width W1. The supplemental pattern is disposed between the first pattern and the second pattern, and is spaced apart by a first distance D1 in the first direction from the second pattern.

    Abstract translation: 在用于形成精细图案以将第一图案和第二图案从掩模完全转印到接收对象上的掩模以及形成掩模的方法中，掩模包括第一图案，第二图案和补充图案。 第一图案在第一方向上重复。 第二图案布置在第一图案之间并平行于第一图案，并且具有第一宽度W 1。 补充图案设置在第一图案和第二图案之间，并且在距离第二图案的第一方向上间隔开第一距离D 1。

    METHOD OF ADJUSTING PATTERN DENSITY
    4.
    发明申请
    METHOD OF ADJUSTING PATTERN DENSITY 审中-公开
    调整图案密度的方法

    公开(公告)号：US20070174802A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11625569

    申请日：2007-01-22

    Applicant: Jae-Pil SHIN ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jin-Sook Choi ,  Sung Gyu Park

    Inventor： Jae-Pil SHIN ,  Moon-Hyun Yoo ,  Jong-Bae Lee ,  Jin-Sook Choi ,  Sung Gyu Park

    IPC: G06F17/50

    CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/36

    Abstract: A method of adjusting pattern density includes determining a reference pattern density, defining dummy generation fields and designed patterns, forming basic dummy patterns on the dummy generation fields, evaluating a total pattern density from a sum of a density of the designed patterns and a density of the basic dummy patterns, adjusting a size of the basic dummy patterns so that the total pattern density reaches the reference pattern density, and combining data of the adjusted dummy patterns with data of the designed patterns.

    Abstract translation: 调整图案密度的方法包括确定参考图案密度，定义虚拟生成区域和设计图案，在虚拟生成区域上形成基本虚拟图案，从设计图案的密度和密度之和评估总图案密度 基本虚拟图案，调整基本虚拟图案的尺寸，使得总图案密度达到参考图案密度，以及将调整的图案数据与设计图案的数据组合。

    Method and apparatus for designing fine pattern
    6.
    发明授权
    Method and apparatus for designing fine pattern 有权
    设计精细图案的方法和设备

    公开(公告)号：US07610574B2

    公开(公告)日：2009-10-27

    申请号：US11590399

    申请日：2006-10-31

    Applicant: Jae-pil Shin ,  Young-ile Kim ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    Inventor： Jae-pil Shin ,  Young-ile Kim ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    IPC: G06F17/50

    CPC classification number: G03F1/36

    Abstract: Provided are a method and apparatus for designing a fine pattern that can be entirely transferred onto an object. The method includes reading the original data of a fine pattern for exposure. The fine pattern is divided into a first pattern not requiring revision and a second pattern requiring revision. The fine pattern is revised by forming an auxiliary pattern maintaining a first distance D1 from the second pattern. A fine pattern to be transferred onto a target object is estimated by running an emulation program including a first auxiliary pattern and a second auxiliary pattern. The estimated fine pattern is compared to the original data of the fine pattern for exposure, and the revised fine pattern is designated as a final fine pattern if there is no difference between the estimated fine pattern and the original data of the fine pattern for exposure.

    Abstract translation: 提供了一种用于设计可以完全转印到物体上的精细图案的方法和装置。 该方法包括读取用于曝光的精细图案的原始数据。 精细图案分为不需要修改的第一图案和需要修订的第二图案。 通过形成保持与第二图案的第一距离D1的辅助图案来修改精细图案。 通过运行包括第一辅助图案和第二辅助图案的仿真程序来估计要转印到目标对象上的精细图案。 将估计的精细图案与用于曝光的精细图案的原始数据进行比较，并且如果估计的精细图案与用于曝光的精细图案的原始数据之间没有差异，则将修改的精细图案指定为最终精细图案。

    MASK SET FOR MICROARRAY, METHOD OF FABRICATING MASK SET, AND METHOD OF FABRICATING MICROARRAY USING MASK SET
    8.
    发明申请
    MASK SET FOR MICROARRAY, METHOD OF FABRICATING MASK SET, AND METHOD OF FABRICATING MICROARRAY USING MASK SET 审中-公开
    用于微阵列的掩模设置，制作掩模组的方法以及使用掩模设置微阵列的方法

    公开(公告)号：US20080193863A1

    公开(公告)日：2008-08-14

    申请号：US12030647

    申请日：2008-02-13

    Applicant: Jae-pil Shin ,  Jin-sook Choi ,  Jung-hwan Hah ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    Inventor： Jae-pil Shin ,  Jin-sook Choi ,  Jung-hwan Hah ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00

    CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/00

    Abstract: Provided are a mask set for in-situ synthesizing probes of a microarray, a method of fabricating the mask set, and a method of fabricating the microarray using the mask set. A mask set for a microarray includes a plurality of masks for in-situ synthesizing probes onto a substrate which includes an array of a plurality of probe cells, wherein each mask includes light-transmitting regions and light-blocking regions, each probe cell corresponds to a light-transmitting region or a light-blocking region, and a pattern of each light-transmitting region is corrected for an optical proximity effect.

    Abstract translation: 提供了用于原位合成微阵列探针的掩模组，制造掩模组的方法，以及使用掩模组制造微阵列的方法。 用于微阵列的掩模组包括多个掩模，用于在包括多个探针单元的阵列的基板上原位合成探针，其中每个掩模包括透光区域和遮光区域，每个探针单元对应于 光透射区域或遮光区域以及每个透光区域的图案被校正为光学邻近效应。

    Method and apparatus for designing fine pattern
    9.
    发明申请
    Method and apparatus for designing fine pattern 有权
    设计精细图案的方法和设备

    公开(公告)号：US20080082954A1

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：US11590399

    申请日：2006-10-31

    Applicant: Jae-pil Shin ,  Young-ile Kim ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    Inventor： Jae-pil Shin ,  Young-ile Kim ,  Moon-hyun Yoo ,  Jong-bae Lee

    IPC: G06F17/50 ,  G03F1/00

    CPC classification number: G03F1/36

    Abstract: Provided are a method and apparatus for designing a fine pattern that can be entirely transferred onto an object. The method includes reading the original data of a fine pattern for exposure. The fine pattern is divided into a first pattern not requiring revision and a second pattern requiring revision. The fine pattern is revised by forming an auxiliary pattern maintaining a first distance D1 from the second pattern. A fine pattern to be transferred onto a target object is estimated by running an emulation program including a first auxiliary pattern and a second auxiliary pattern. The estimated fine pattern is compared to the original data of the fine pattern for exposure, and the revised fine pattern is designated as a final fine pattern if there is no difference between the estimated fine pattern and the original data of the fine pattern for exposure.

    Abstract translation: 提供了一种用于设计可以完全转印到物体上的精细图案的方法和装置。 该方法包括读取用于曝光的精细图案的原始数据。 精细图案分为不需要修改的第一图案和需要修订的第二图案。 通过形成保持与第二图案的第一距离D1的辅助图案来修改精细图案。 通过运行包括第一辅助图案和第二辅助图案的仿真程序来估计要转印到目标对象上的精细图案。 将估计的精细图案与用于曝光的精细图案的原始数据进行比较，并且如果估计的精细图案与用于曝光的精细图案的原始数据之间没有差异，则将修改的精细图案指定为最终精细图案。

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