公开(公告)号：US08766341B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12905675

申请日：2010-10-15

申请人： Wei Han ,  Yi Zhou ,  Kang-Lung Wang ,  Roland K. Kawakami

发明人： Wei Han ,  Yi Zhou ,  Kang-Lung Wang ,  Roland K. Kawakami

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02293 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02269 ,  H01L29/66984

摘要： The embodiments disclosed herein relate to growth of magnesium-oxide on a single crystalline substrate of germanium. The embodiments further describes a method of manufacturing and crystalline structure of a FM/MgO/Ge(001) heterostructure. The embodiments further related to method of manufacturing and a crystalline structure for a high-k dielectric//MgO [100](001)//Ge[110](001) heterostructure.

摘要翻译： 本文公开的实施方案涉及在锗的单一晶体衬底上生长氧化镁。 实施例进一步描述了FM / MgO / Ge（001）异质结构的制造方法和晶体结构。 实施例进一步涉及制造方法和用于高k电介质// MgO [100]（001）// Ge [110]（001）异质结构的晶体结构。

公开(公告)号：US20140042574A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US14113562

申请日：2012-04-27

申请人： Gregory P. Carman ,  Kang-Lung Wang ,  Tao Wu ,  Alexandre Bur ,  Pedram Khalili Amiri

发明人： Gregory P. Carman ,  Kang-Lung Wang ,  Tao Wu ,  Alexandre Bur ,  Pedram Khalili Amiri

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L41/1875 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： A ferroelectric device includes a first electrode, a second electrode spaced apart from the first electrode, and a ferroelectric element arranged between the first and second electrodes. The ferroelectric element has a plurality of quasistatic strain configurations that are selectable by the application of an electric field and the device has selectable electromechanical displacement by the application of the electric field.

摘要翻译： 铁电体器件包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极和布置在第一和第二电极之间的铁电元件。 铁电元件具有可通过施加电场来选择的多个准静态应变结构，并且该器件通过施加电场而具有可选的机电位移。

公开(公告)号：US09166147B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US14113562

申请日：2012-04-27

申请人： Gregory P. Carman ,  Kang-Lung Wang ,  Tao Wu ,  Alexandre Bur ,  Pedram Khalili Amiri

发明人： Gregory P. Carman ,  Kang-Lung Wang ,  Tao Wu ,  Alexandre Bur ,  Pedram Khalili Amiri

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01L41/187 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L41/1875 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： A ferroelectric device includes a first electrode, a second electrode spaced apart from the first electrode, and a ferroelectric element arranged between the first and second electrodes. The ferroelectric element has a plurality of quasistatic strain configurations that are selectable by the application of an electric field and the device has selectable electromechanical displacement by the application of the electric field.

摘要翻译： 铁电体器件包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极和布置在第一和第二电极之间的铁电元件。 铁电元件具有可通过施加电场来选择的多个准静态应变结构，并且该器件通过施加电场而具有可选的机电位移。

公开(公告)号：US20130015429A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13180601

申请日：2011-07-12

申请人： Augustin J. Hong ,  Ji-Young Kim ,  Kang-Lung Wang

发明人： Augustin J. Hong ,  Ji-Young Kim ,  Kang-Lung Wang

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C16/04 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A Graphene Flash Memory (GFM) device is disclosed. In general, the GFM device includes a number of memory cells, where each memory cell includes a graphene channel, a graphene storage layer, and a graphene electrode. In one embodiment, by using a graphene channel, graphene storage layer, and graphene electrode, the memory cells of the GFM device are enabled to be scaled down much more than memory cells of a conventional flash memory device. More specifically, in one embodiment, the GFM device has a feature size less than 25 nanometers, less than or equal to 20 nanometers, less than or equal to 15 nanometers, less than or equal to 10 nanometers, or less than or equal to 5 nanometers.

摘要翻译： 公开了一种石墨烯闪存（GFM）装置。 通常，GFM器件包括多个存储器单元，其中每个存储器单元包括石墨烯通道，石墨烯存储层和石墨烯电极。 在一个实施例中，通过使用石墨烯通道，石墨烯存储层和石墨烯电极，能够使GFM器件的存储器单元比常规闪存器件的存储器单元小得多。 更具体地说，在一个实施例中，GFM器件具有小于25纳米，小于或等于20纳米，小于或等于15纳米，小于或等于10纳米，或小于或等于5纳米 纳米。

公开(公告)号：US08772853B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13180601

申请日：2011-07-12

申请人： Augustin J. Hong ,  Ji-Young Kim ,  Kang-Lung Wang

发明人： Augustin J. Hong ,  Ji-Young Kim ,  Kang-Lung Wang

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C16/04 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A Graphene Flash Memory (GFM) device is disclosed. In general, the GFM device includes a number of memory cells, where each memory cell includes a graphene channel, a graphene storage layer, and a graphene electrode. In one embodiment, by using a graphene channel, graphene storage layer, and graphene electrode, the memory cells of the GFM device are enabled to be scaled down much more than memory cells of a conventional flash memory device. More specifically, in one embodiment, the GFM device has a feature size less than 25 nanometers, less than or equal to 20 nanometers, less than or equal to 15 nanometers, less than or equal to 10 nanometers, or less than or equal to 5 nanometers.

摘要翻译： 公开了一种石墨烯闪存（GFM）装置。 通常，GFM器件包括多个存储器单元，其中每个存储器单元包括石墨烯通道，石墨烯存储层和石墨烯电极。 在一个实施例中，通过使用石墨烯通道，石墨烯存储层和石墨烯电极，能够使GFM器件的存储器单元比常规闪存器件的存储器单元小得多。 更具体地说，在一个实施例中，GFM器件具有小于25纳米，小于或等于20纳米，小于或等于15纳米，小于或等于10纳米，或小于或等于5纳米 纳米。

公开(公告)号：US20110089415A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12905675

申请日：2010-10-15

申请人： Wei Han ,  Yi Zhou ,  Kang-Lung Wang ,  Roland K. Kawakami

发明人： Wei Han ,  Yi Zhou ,  Kang-Lung Wang ,  Roland K. Kawakami

IPC分类号： H01L29/38 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02293 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02269 ,  H01L29/66984

摘要： The embodiments disclosed herein relate to growth of magnesium-oxide on a single crystalline substrate of germanium. The embodiments further describes a method of manufacturing and crystalline structure of a FM/MgO/Ge(001) heterostructure. The embodiments further related to method of manufacturing and a crystalline structure for a high-k dielectric//MgO [100](001)//Ge[110](001) heterostructure.

摘要翻译： 本文公开的实施方案涉及在锗的单一晶体衬底上生长氧化镁。 实施例进一步描述了FM / MgO / Ge（001）异质结构的制造方法和晶体结构。 实施例进一步涉及制造方法和用于高k电介质// MgO [100]（001）// Ge [110]（001）异质结构的晶体结构。

公开(公告)号：US08860006B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13071934

申请日：2011-03-25

申请人： Kang-Lung Wang ,  Ajey Poovannummoottil ,  Faxian Xiu

发明人： Kang-Lung Wang ,  Ajey Poovannummoottil ,  Faxian Xiu

IPC分类号： H01L43/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/517 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66984 ,  Y10S977/935

摘要： A carrier-mediated magnetic phase change spin transistor is disclosed. In general, the spin transistor includes a Dilute Magnetic Semiconductor (DMS) channel and a gate stack formed on the DMS channel. The gate stack includes a multiferroic gate dielectric on the DMS channel, and a gate contact on a surface of the multiferroic gate dielectric opposite the DMS channel. The multiferroic gate dielectric is formed of a multiferroic material that exhibits a cross-coupling between magnetic and electric orders (i.e., magnetoelectric coupling), which in one embodiment is BiFeO3 (BFO). As a result, the multiferroic material layer enables an electrically modulated magnetic exchange bias that enhances paramagnetic to ferromagnetic switching of the DMS channel. The DMS channel is formed of a DMS material, which in one embodiment is Manganese Germanium (MnGe). In one embodiment, the DMS channel is a nanoscale DMS channel.

摘要翻译： 公开了载体介导的磁相变自旋晶体管。 通常，自旋晶体管包括稀疏磁性半导体（DMS）通道和形成在DMS通道上的栅极堆叠。 栅极堆叠包括在DMS通道上的多铁栅极电介质，以及与DMS沟道相对的多铁栅极电介质的表面上的栅极接触。 多铁栅极电介质由表现出磁和电顺序（即磁电耦合）之间的交叉耦合的多铁性材料形成，在一个实施例中是BiFeO 3（BFO）。 结果，多铁性材料层能够实现电磁调节的磁性交换偏置，其增强DMS通道的顺磁性到铁磁性切换。 DMS通道由DMS材料形成，在一个实施方案中，其为锰锗（MnGe）。 在一个实施例中，DMS信道是纳米级DMS信道。

公开(公告)号：US20110233524A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13071934

申请日：2011-03-25

申请人： Kang-Lung Wang ,  Ajey Poovannummoottil Jacob ,  Faxian Xiu

发明人： Kang-Lung Wang ,  Ajey Poovannummoottil Jacob ,  Faxian Xiu

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L29/517 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66984 ,  Y10S977/935

摘要： A carrier-mediated magnetic phase change spin transistor is disclosed. In general, the spin transistor includes a Dilute Magnetic Semiconductor (DMS) channel and a gate stack formed on the DMS channel. The gate stack includes a multiferroic gate dielectric on the DMS channel, and a gate contact on a surface of the multiferroic gate dielectric opposite the DMS channel. The multiferroic gate dielectric is formed of a multiferroic material that exhibits a cross-coupling between magnetic and electric orders (i.e., magnetoelectric coupling), which in one embodiment is BiFeO3 (BFO). As a result, the multiferroic material layer enables an electrically modulated magnetic exchange bias that enhances paramagnetic to ferromagnetic switching of the DMS channel. The DMS channel is formed of a DMS material, which in one embodiment is Manganese Germanium (MnGe). In one embodiment, the DMS channel is a nanoscale DMS channel.

摘要翻译： 公开了载体介导的磁相变自旋晶体管。 通常，自旋晶体管包括稀疏磁性半导体（DMS）通道和形成在DMS通道上的栅极堆叠。 栅极堆叠包括在DMS通道上的多铁栅极电介质，以及与DMS沟道相对的多铁栅极电介质的表面上的栅极接触。 多铁栅极电介质由表现出磁和电顺序（即磁电耦合）之间的交叉耦合的多铁性材料形成，在一个实施例中是BiFeO 3（BFO）。 结果，多铁性材料层能够实现电磁调节的磁性交换偏置，其增强DMS通道的顺磁性到铁磁性切换。 DMS通道由DMS材料形成，在一个实施方案中，其为锰锗（MnGe）。 在一个实施例中，DMS信道是纳米级DMS信道。

公开(公告)号：US20090001419A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12056383

申请日：2008-03-27

申请人： Jeong-hee Han ,  Ji-young Kim ,  Kang Lung Wang ,  Chung-woo Kim ,  Soo-doo Chae ,  Chan-jin Park

发明人： Jeong-hee Han ,  Ji-young Kim ,  Kang Lung Wang ,  Chung-woo Kim ,  Soo-doo Chae ,  Chan-jin Park

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117

摘要： Provided are non-volatile memory devices that may realize high integration and have high reliability. A plurality of first semiconductor layers are stacked on a substrate. A plurality of second semiconductor layers are interposed between the plurality of first semiconductor layers, respectively, and are recessed from one end of each of the plurality of first semiconductor layers to define a plurality of first trenches between the plurality of first semiconductor layers. A plurality of first storage nodes are provided on surfaces of the second semiconductor layers inside the plurality of first trenches. Devices may include a plurality of first control gate electrodes that are formed on the plurality of first storage nodes to fill the plurality of first trenches.

摘要翻译： 提供可以实现高集成度并且具有高可靠性的非易失性存储器件。 多个第一半导体层堆叠在基板上。 多个第二半导体层分别插入在多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹入以在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。 多个第一存储节点设置在多个第一沟槽内的第二半导体层的表面上。 器件可以包括形成在多个第一存储节点上以填充多个第一沟槽的多个第一控制栅电极。

公开(公告)号：US4339869A

公开(公告)日：1982-07-20

申请号：US187043

申请日：1980-09-15

申请人： Robert F. Reihl ,  Kang-Lung Wang

发明人： Robert F. Reihl ,  Kang-Lung Wang

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28

摘要： A low resistance electrical contact is made to a silicon substrate by forming a layer of a refractory metal on the substrate and thereafter applying a dosage of ions through the layer of refractory metal to the substrate to form a layer of a compound of the refractory metal and silicon at the interface of the layer of refractory metal and the silicon substrate.

摘要翻译： 通过在衬底上形成难熔金属层，然后将一定数量的离子通过难熔金属层施加到衬底上以形成难熔金属的化合物层，从而对硅衬底进行低电阻电接触， 硅在难熔金属层和硅衬底的界面处。